【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本文提供了一种或多种用于形成镶嵌间隙结构的技术或系统。在一些实施例中，在第一蚀刻终止层(ESL)和ESL密封区域之间形成间隙。例如，通过去除氧化物区域之上的低k(LK)介电区域的一部分和去除氧化物区域来形成间隙。在一些实施例中，至少因为氧化物区域增强了LK介电区域底部的底部蚀刻速率，使得LK介电区域之下的氧化物区域有助于LK介电区域的去除，从而底部蚀刻速率与LK介电区域侧壁的侧壁蚀刻速率相似。以这种方式，例如提供了与更干净的间隙有关的镶嵌间隙结构。【专利说明】镶嵌间隙结构
本专利技术总的来说涉及半导体领域，更具体地，涉及镶嵌间隙结构。
技术介绍
总的来说，传统镶嵌间隙结构与间隙(诸如介电区域中的间隙)相关联。通常通过蚀刻介电区域的一部分来形成间隙。然而，诸如介电区域底部的底部蚀刻速率的第一蚀刻速率常常与诸如介电区域侧壁的侧壁蚀刻速率的第二蚀刻速率不同。因此，例如至少因为介电区域的不同蚀刻速率而导致间隙内的残留电介质，所以传统的镶嵌间隙结构的间隙常常具有不期望的轮廓。
技术实现思路
根据本专利技术的一个方面，提供了一种镶嵌间隙结构，包括:第一蚀刻...
【技术保护点】
一种镶嵌间隙结构，包括：第一蚀刻终止层(ESL)；氧化物区域，位于所述第一ESL之上；低k(LK)介电区域，位于所述氧化物区域之上；第二ESL，位于所述LK介电区域之上；第一ESL密封区域，位于所述第二ESL之上；第二ESL密封区域，与所述第二ESL齐平；间隙，位于所述第一ESL和所述第二ESL密封区域之间；第一金属线，位于所述间隙的第一侧，所述第一金属线形成在所述第二ESL或所述第二ESL密封区域中的至少一个的下方，所述第一金属线被形成为穿过所述第一ESL；以及第二金属线，位于所述间隙的第二侧，所述第二金属线形成在所述第二ESL或所述第二ESL密封区域中的至少一个的下方，...
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：苏怡年，林翔伟，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：台湾;71
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。