本发明公开了具有自适应性衬底间接合的MEMS结构。公开了一种包含多个结合的衬底的MEMS结构和形成该MEMS结构的方法。示例性MEMS结构包括具有底面的第一衬底和具有与第一衬底的底面基本上平行的顶面的第二衬底。第一衬底的底面通过锚固件与...

一种方法包括开发电路原理图，该电路原理图包括多个单元。该方法还包括基于电路原理图生成多个单元的单元布置规则和基于单元布置规则开发多个单元的电路布局图。该方法还包括基于阈值电压对电路布局图的多个单元进行分组和将阈值电压一致的填充物插入电路...

本申请公开了一种MRAM位单元，包括连接至第一数据线的第一磁隧道结（MTJ）和连接至第二数据线的第二MTJ。MRAM位单元进一步包括第一晶体管，其具有连接至第一MTJ的第一端子和连接至第二MTJ的第二端子。MRAM位单元进一步包括第二晶...

一种方法包括在SRAM单元的一部分上方形成介电层。该SRAM单元包括第一上拉晶体管和第二上拉晶体管、与第一上拉晶体管和第二上拉晶体管形成交叉锁存的反相器的第一下拉晶体管和第二下拉晶体管、以及分别连接至第一上拉晶体管和第一下拉晶体管的漏极...

本发明涉及增加半导体功率器件的击穿电压的方法和装置。通过利用中间氧化物层将器件晶圆接合至操作晶圆来形成接合晶圆。从器件晶圆的原始厚度大幅地减薄器件晶圆。通过半导体制造工艺在器件晶圆内形成功率器件。图案化操作晶圆以去除操作晶圆位于功率器件...

一种用于清洁容器，诸如，半导体晶圆载体的系统包括壳体、壳体中的清洁单元、壳体内的分析单元以及壳体内的真空单元。该清洁单元包括清洁室且被配置成向清洁室中的容器中喷洒清洁介质并且干燥该容器。该分析单元被配置成对从清洁室中出来的容器内的空气进...

一种方法，包括使用四点探针头探测至少一个半导体鳍，四点探针头的四个探针引脚与所述至少一个半导体鳍接触。计算至少一个半导体鳍的电阻。通过电阻计算半导体鳍的载流子浓度。本发明还提供了确定半导体鳍中的载流子浓度的方法。

一种器件包括贴片天线，该贴片天线包括馈线和位于馈线上方的接地板。接地板具有位于其中的孔。低k介电模块位于孔的上方并且与孔对准。贴片位于低k介电模块的上方。本发明还提供了在天线中嵌入低K材料。

本发明是含FinFET的SRAM单元。一种静态随机存储器(SRAM)包括第一上拉鳍式场效应晶体管(FinFET)和第二上拉FinFET，以及与所述第一上拉FinFET和所述第二上拉FinFET形成交叉锁存的反相器的第一下拉FinFET和...

公开了用于封装管芯的具有阻拦件的中介层的方法和装置。中介层可以包括位于衬底上方的金属层。一个或多个阻拦件可以形成在金属层上方。阻拦件围绕一区域，该区域的尺寸大于可以被连接至该区域内的金属层上方的接触焊盘的管芯的尺寸。阻拦件可以包含导电材...

本发明公开了用于三维集成电路的装置和方法，其中，一种结构包括：衬底，包括位于衬底上的多条线；多个连接件，形成在半导体管芯的顶面上，半导体管芯形成在衬底上并通过多个连接件和形成在衬底顶面的角部处的伪金属结构连接至衬底，伪金属结构具有两个不...

本发明涉及一种实施例集成电路(如，二极管)及其制造方法。实施例集成电路包括形成在具有第一掺杂类型的衬底的上方的具有第一掺杂类型的阱，该阱包括鳍、形成在鳍的第一侧的阱的上方的源极、形成在鳍的第二侧的阱的上方的漏极、以及形成在鳍的上方的栅氧...

一种形成半导体器件的方法包括在衬底上方形成NMOS栅极结构。该方法进一步包括紧邻NMOS栅极结构在衬底中形成非晶区。该方法还包括在非晶区中形成轻掺杂的源极/漏极(LDD)区。该方法进一步包括在NMOS栅极结构上方沉积应力膜，实施退火工艺...

一种衬底焊盘结构，包括：第一焊盘，突出到封装衬底的顶面的上方，第一焊盘具有第一细长形状；第二焊盘，嵌入封装衬底，第二焊盘具有第二细长形状；以及通孔，连接在第一焊盘和第二焊盘之间。

本发明提供了一种电阻式随机存取存储器(RRAM)结构。该RRAM结构包括位于衬底上的底部电极；位于底部电极上的电阻材料层，该电阻材料层具有导电丝比率大于约0.5的导电丝部件；和位于电阻材料层上的顶部电极。本发明还提供了高可靠性和高密度的...

一种用于抛光半导体晶圆的抛光系统包括用于保持半导体晶圆的晶圆支撑件以及用于抛光半导体晶圆的区域的第一抛光垫。半导体晶圆具有第一直径，而第一抛光垫具有短于第一直径的第二直径。本发明还提供了抛光方法。

本发明涉及包括鳍式场效应晶体管的静态随机存取存储器单元。一种静态随机存取存储(SRAM)单元包括与第一方向平行的第一长边界和第二长边界，以及与第二方向平行的第一短边界和第二短边界，其中，第二方向与第一方向垂直。第一长边界和第二长边界比第...

公开了半导体器件及其制造方法。在一个实施例中，一种制造半导体器件的方法包括在工件上方形成集成电路的第一功能区域，以及在工件上方形成集成电路的第二功能区域。该方法包括围绕集成电路的第一功能区域形成保护环。在第一功能区域和第二功能区域上方设...

本发明涉及具有界面层的半导体器件及其制造方法。用于半导体器件的示例性结构包括：Si1-xGex衬底，其中，x大于0.4；Si层，位于Si1-xGex衬底上方；以及栅极结构，设置在Si层上方，栅极结构包括介电部分和设置在介电部分上方的电极...

本发明公开了具有自对准端对端导线结构的半导体器件以及使用镶嵌技术形成半导体器件的方法，该方法提供了端对端间隔小于60nm而没有形成短路的自对准导线。该方法包括使用至少一个牺牲硬掩模层来生成芯棒并且在该芯棒中形成空隙。该牺牲硬掩模层形成在...