一种化学机械抛光系统，具有：第一抛光装置，被配置成对工件实施第一化学机械抛光；以及第二抛光装置，被配置成对工件实施第二化学机械抛光。一种再加工抛光装置包括再加工抛光盘和再加工CMP头，并且被配置成当工件被放置在再加工抛光盘上时，对工件实...

本发明是有关于一种介层窗层的介层窗图案化掩膜分配的方法，所述的双重图案化技术的介层窗掩膜分离方法的实施例使得介层窗图案化能够对齐其底下或上方的金属层，藉以缩减重叠误差，进而增加介层窗的置放性。假如相邻的介层窗违反介层窗之间的空间或节距(...

本发明涉及高电子迁移率晶体管(HEMT)内的双层AlGaN供体层和相关的制造方法，该高电子迁移率晶体管被配置为提供低电阻欧姆源极和漏极接触件以降低功率消耗同时在HEMT的沟道内保持二维电子气(2DEG)的高迁移率。双层AlGaN供体层包...

本发明公开了一种制造半导体集成电路(IC)的方法。该方法包括：提供衬底。在衬底上形成图案化粘合层。在图案化粘合层上沉积金属层。应用高温热工艺以聚结金属层，从而形成自形成金属部件(SFMF)，并且在SFMF之间沉积介电层。

在一个实施例中，方法包括：提供具有设置在其上的沟槽并且在沟槽中形成多层的半导体衬底。蚀刻在沟槽中所形成的多层，由此提供顶面位于沟槽的顶面之下的至少一个蚀刻层。在又一个实施例中，该方法可以为用于形成更多层的沟槽提供基本V形开口或入口。而且...

本发明公开了一种制造具有覆盖层的半导体器件的方法，包括在半导体衬底的第一区域中形成第一伪栅极结构，以及在半导体衬底的第二区域中形成第二伪栅极结构。在第二伪栅极结构上形成保护层(例如，氧化物和/或氮化硅硬掩模)。在形成保护层之后去除第一伪...

用于光刻的涂层材料和方法。提供了一种方法，该方法包括提供衬底和在衬底上形成底部抗反射涂层（BARC）。该BARC包括覆在第二部分上面的第一部分，第二部分具有不同于第一部分的组成。不同的组成可以提供BARC在显影剂中的不同溶解性质。在BA...

本发明提供了一种半导体器件。半导体器件包括衬底，衬底具有栅极区、被栅极区隔离开的源极和漏极(S/D)区及位于N-FET区中的栅极区中第一鳍结构。第一鳍结构由作为下部的第一半导体材料层、作为中部的半导体氧化物层和作为上部的第二半导体材料层...

一种用于制造双镶嵌式金属栅极的方法包括在衬底上形成伪栅极，在衬底和伪栅极上沉积保护层，在伪栅极的侧面上生长扩展层。该方法进一步包括去除保护层，在伪栅极周围形成隔离件以及沉积和平坦化介电层。该方法进一步包括选择性地去除扩展层和去除伪栅极。...

提供一种功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)及其形成方法。功率MOSFET可以包括第一漂移区，形成在栅电极一侧处；和第二漂移区，位于栅电极下方、邻近第一漂移区以及深度小于第一漂移区的深度，使得第一漂移区和第二漂移区一起形成阶...

本发明提供了一种集成结构的一个实施例，该集成结构包括由埋置在第一半导体衬底中的第一导电材料形成的第一电极；由埋置在第二半导体衬底中的第二导电材料形成的第二电极；以及设置在第一和第二电极之间的电解质。通过接合焊盘将第一和第二半导体衬底接合...

本发明提供了FinFET器件及其制造方法。该半导体器件包括衬底，该衬底具有隔离区域、栅极区域、被栅极区域分开的源极和漏极区域、位于栅极区域中的第一鳍结构。第一鳍结构包括作为该第一鳍结构的下部的第一半导体材料层、作为该第一鳍结构的中部的外...

本发明提供了一种集成电路结构，包括：半导体衬底和延伸至半导体衬底内的隔离区，其中，隔离区具有相向的相对侧壁。鳍结构包括：比隔离区的顶面高的硅鳍；被硅鳍覆盖的含锗半导体区；位于含锗半导体区的相对两侧上的氧化硅区；以及位于硅鳍和一个氧化硅区...

本发明公开了一种存储器编程方法和存储器，该方法包括：确定存储器每列存储单元中连续且编码值为第一编码值的多个存储单元；对存储器中的每列存储单元进行分组；优化每个子组的编码及连续第一编码值的存储单元的编码。通过对存储器中的每个存储单元晶体管...

本发明公开了一种半导体结构以及形成该结构的方法。根据一个实施例，一种结构包括分别位于衬底的三个区内的三种器件。第一器件包括第一栅叠层，并且第一栅叠层包括第一介电层。第二器件包括第二栅叠层，并且第二栅叠层包括第二介电层。第三器件包括第三栅...

一种半导体结构包括第一III-V族化合物层。第二III-V族化合物层设置在第一III-V族化合物层上并且在组成上与第一III-V族化合物层不同。介电钝化层设置在第二III-V族化合物层上。源极部件和漏极部件设置在第二III-V族化合物层...

本发明提供了一种CMP站清洁系统和方法。一个实施例包括化学机械抛光(CMP)站，该CMP站包括用于覆盖CMP站不同部件的壳体单元。CMP站进一步包括浆料臂防护罩、浆料喷嘴、衬垫调节臂防护罩、压板防护罩、和载体头的不同表面；以及壳体单元的...

提供了一种器件。该器件可以包括集成电路封装件。该集成电路封装件可以包括第一层和焊料掩模。第一层可以包括顶面，其中焊料掩模设置在第一层的顶面上。焊料掩模可以包括纵向边缘。纵向边缘可以在第一层的顶面和纵向边缘之间形成不小于90度的角。该角可...

本文公开了用于封装件或者堆叠封装(PoP)器件的方法和装置。一种IC封装件或者PoP器件可以包括连接管芯和去耦电容器的电气通路，其中该电气通路可以具有约8μm至约44μm范围内的宽度和约10μm至约650μm范围内的长度。去耦电容器和管...

本发明公开了一种设置在衬底上方的FinFET的新型鳍结构和形成鳍结构的方法。鳍结构包括：台面、设置在台面上方的沟道以及设置在沟道和台面之间的凸形部件。台面具有第一半导体材料，而沟道具有不同于第一半导体材料的第二半导体材料。凸形部件为阶梯...