具有背面钝化层的FinFET包括设置在衬底上的模板层、设置在模板层上方的缓冲层、设置在缓冲层上方的沟道背面钝化层以及设置在沟道背面钝化层上方的沟道层。栅极绝缘层设置在沟道层和沟道背面钝化层上方并且与沟道层和沟道背面钝化层接触。缓冲层可选...

本发明公开了混合接合及执行混合接合的设备，其中一种方法包括执行混合接合以将第一封装元件与第二封装元件接合，以便形成接合对。在该接合对中，第一封装元件中的第一金属焊盘与第二封装元件中的第二金属焊盘接合，并且第一封装元件的表面处的第一表面介...

本发明提供了封装对准结构及其形成方法，其中，一个实施例是一种半导体器件，包括：第一接合焊盘，位于第一衬底上，第一接合焊盘的第一中心线穿过第一接合焊盘的中心且垂直于第一衬底的顶面；以及第一导电连接件，位于第二衬底上，第一导电连接件的第二中...

本文公开了设计的用于n型MOSFET的源级/漏极区以及具有场效应晶体管的集成电路器件，该场效应晶体管包括具有第一层和第二层的源极区和漏极区。在沟道区的平面下方形成第一层。第一层包括掺杂硅和碳，其晶格结构小于硅的晶格结构。第二层形成在第一...

本发明公开了一种封装件以及制造封装件的方法。实施例封装件包括支撑导电柱的集成电路，具有在每个嵌入式金属迹线上的接触焊盘的衬底，接触焊盘宽度大于相应的嵌入式金属迹线宽度，以及将导电柱电连接至接触焊盘的导电材料。在实施例中，接触焊盘与金属迹...

本发明公开了一种磁阻式隧道结(MTJ)器件，包括形成到衬底上的伸长的MTJ结构，所述MTJ结构包括磁性基准层和隧道阻挡层。所述MTJ结构还包括设置到所述隧道阻挡层上的多个分离的自由磁区。所述伸长的MTJ结构的长宽比为使得所述磁性基准层的...

本发明提供一种制造鳍式场效应晶体管装置的方法，包括：提供基底，包括第一鳍和第二鳍；采用化学气相沉积工艺形成第一硅玻璃层于第一鳍上，第一硅玻璃层包括第一种类的杂质；在第一硅玻璃层和第二鳍上形成氧化层；提供第二种类的杂质；执行气相扩散工艺将...

本发明提供了一种封装结构及其形成方法。通过选择性地将两个载体衬底接合在一起以及同时处理两个载体衬底来形成诸如中介层的封装结构。处理包括在载体衬底上方形成牺牲层。在牺牲层中形成开口且在开口中形成柱状物。衬底接合到牺牲层。再分配线可形成在衬...

本发明实施例为一种半导体器件、一种FinFET器件以及一种形成FinFET器件的方法。一种实施例为一种半导体器件，包括在衬底上方延伸的第一半导体鳍、在第一半导体鳍上的第一源极区以及在第一半导体鳍上的第一漏极区。第一源极区具有第一宽度并且...

隔离区域沟槽填充方法，通过可流动沉积工艺或其他沟槽填充沉积工艺，在半导体器件上方沉积第一介电材料，其中半导体器件包括具有多个第一鳍状件的第一FinFET和具有多个第二鳍状件的第二FinFET。方法进一步包括移除第一FinFET和第二Fi...

本发明公开了一种半导体器件，包括衬底、安装在衬底上的管芯、接合至管芯的加强板和将加强板连接至管芯的粘合层。本发明还公开了一种加强结构以及用于控制安装在衬底上的芯片翘曲的方法。

本发明提供了一种金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），包括：衬底、衬底中的源极和漏极、在源极和漏极之间设置在衬底上方的栅电极以及设置在衬底和栅电极之间的栅极介电层。至少一部分的栅极介电层朝向源极和漏极中的至少一个延伸超过栅电极。...

一种集成电路器件包括第一层，该第一层包含至少两个局部腔；接合至第一层的中间层，该中间层形成用于支撑至少两个微电子机械系统（MEMS）器件；以及接合至中间层的第二层，该第二层包含用于通过中间层使第一层的至少两个局部腔完整的至少两个部分层，...

本发明公开了一种具有多个不同器件栅极结构的集成电路和用于制造该电路的方法。形成该电路的示例性实施例包括：接收具有第一器件区、第二器件区和第三器件区的衬底。在第一器件区、第二器件区以及第三器件区中的每一个的至少一部分上方形成第一界面层。第...

本发明公开了一种具有去耦的读/写路径的存储元件，包括开关、连接在所述开关的栅极和第三线之间的电阻开关装置以及位于所述开关的栅极和第二线之间的传导路径，其中所述开关具有与第一线连接的第一端子和与第二线连接的第二端子。

本发明涉及的是字线驱动器及相关方法，该字线驱动器包括与第一电压供应节点和字线电连接的第一晶体管，与第二电压供应节点和字线电连接的第二晶体管，与第一电压供应节点和第二晶体管的体电极电连接的第一开关，以及与第二电压供应节点和第二晶体管的体电...

本发明涉及一种具有鳍状体的半导体装置的制造方法，首先于基板上形成一图案化屏蔽，然后于基板内形成凹槽，并于凹槽中填入介电材料，之后将图案化屏蔽移除，并以一种或多种蚀刻工艺来内凹介电材料，其中前述蚀刻工艺的至少其中之一是用以移除沿着凹槽边墙...

本发明公开了一种器件，包括封装部件，该封装部件包括形成在封装部件的第一侧上的多个凸块，安装在封装部件的第一侧上的半导体管芯，形成在封装部件的第一侧上方的介电材料，其中封装部件的顶面的四个角部都没有介电材料，以及接合在封装部件的第一侧上的...

本发明公开了用于鳍状场效应晶体管的金属栅极和栅极接触件结构，其中本公开的实施例包括：衬底，衬底的一部分向上延伸形成鳍状物；覆盖鳍状物的顶面和侧壁的栅极介电层；覆盖栅极介电层的衬垫；以及位于覆盖栅极介电层的衬垫的一部分之上的连续金属部件，...

本发明公开了用于半导体器件的多组分电介质。本发明提供了一种制造半导体器件的方法，该方法包括通过在半导体衬底上形成层间介电（ILD）层的第一部分以及在ILD层的第一部分上形成ILD层的第二部分来形成多组分ILD层。第二部分可以比第一部分具...