本发明提供了一种层叠封装结构及其形成方法，其中，一种封装件包括封装部件，封装部件进一步包括顶面和位于封装部件顶面处的金属焊盘。封装件还包括位于金属焊盘上方并且接合至金属焊盘的不可回流的电连接件、以及位于封装部件上方的模塑材料。将不可回流...

本发明提供了层叠封装结构及其形成方法，该方法包括压印底部封装件的焊球，其中在压印步骤之后，焊球的顶面变平。焊球模制在模制材料中。焊球的顶面通过模制材料中的沟槽露出。

本发明公开了可变电感器、包含该可变电感器的压控振荡器和锁相环，其中，该可变电感器包括设置在衬底上方的信号线。可变电感器还包括：第一接地面，位于衬底上方，第一接地面设置在信号线的第一侧；以及第二接地面，位于衬底上方，第二接地面设置在与信号...

本发明提供了一种互连结构及其形成方法。其中，一种半导体器件包括接合在第二芯片上的第一芯片。第一芯片包括第一衬底和在第一IMD层中形成的第一互连部件。第二芯片包括第二衬底和在第二IMD层中形成的第二互连部件。该器件还包括：第一导电插塞，其...

本发明涉及具有改进的暗电流性能的图像传感器。本发明提供了一种半导体图像传感器件。该图像传感器包括：具有第一侧和与第一侧相对的第二侧的半导体衬底。半导体衬底包括被配置为感测从第二侧投射向衬底的辐射的辐射感测区域。第一层设置在半导体衬底的第...

本发明公开了一种用于高密度集成电路的电平转换器，用于在核心电压范围的电压和较大的I/O电压范围的电压之间进行转换。电平转换器具有作为在核心电压范围内操作的核心器件的互连晶体管。电平转换器连接至处于I/O电压范围的第一和第二电源接口。用作...

本发明公开了玻璃处理方法、晶圆、面板以及半导体器件。在一些实施例中，处理玻璃衬底的方法包括：在玻璃衬底上形成第一薄膜，第一薄膜具有第一孔隙率。该方法包括：在第一薄膜上形成第二薄膜，第二薄膜包括电绝缘材料并具有第二孔隙率。第一孔隙率低于第...

本发明涉及用于生物实体的光学检测。本公开描述了用于操作和处理生物实体样本的集成半导体器件和方法。器件包括下衬底、至少一个设置在下衬底上的光信号导管、至少一个设置在下衬底上的保护接合焊盘、配置以形成保护区域的保护件（设置在至少一个保护接合...

用于存储器件的读出放大器包括：第一节点和第二节点、输入器件和输出器件。存储器件包括第一位线和第二位线以及连接至位线的至少一个存储单元。第一节点和第二节点分别连接至第一位线和第二位线。输入器件连接至第一节点和第二节点，响应于从存储单元读出...

一种用于改进SRAM的写操作的脉冲式动态LCV电路。该脉冲式动态LCV电路包括：具有多个可选择的降低的电源电压的电压调节电路和具有多个可选择的逻辑状态转换时序的时序调节电路，以用于可调节性地控制从被选择的降低的电源电压恢复到额定电源电压...

本发明提供了一种形成半导体材料的方法，包括在包含氢气（H2）和氯化氢（HCl）以作为工艺气体的环境中对硅区域进行退火。在退火步骤之后，从硅区域的表面处生长半导体区域。

公开了封装的半导体器件、封装半导体器件的方法以及叠层封装（PoP）器件。在一些实施例中，一种封装半导体器件的方法包括在载具上方形成封装通孔（TPV），以及将半导体器件连接至载具。半导体器件包括设置在其表面上的接触焊盘以及设置在接触焊盘上...

本发明公开了在封装器件的再分布层（RDL）处减小应力集中的方法和装置。封装器件可以包括位于钝化层上方的晶种层，以覆盖钝化层的开口，且覆盖接触焊盘并与接触焊盘接触。在钝化层上方形成RDL，RDL位于晶种层上方且与晶种层接触，以覆盖钝化层的...

本发明的光感测器件包括衬底、位于衬底上的光感测区、以及位于所述衬底上方的光屏蔽层。光屏蔽层不覆盖光感测区。至少一个排气孔形成穿过光屏蔽层。

一种器件包括半导体衬底以及延伸到半导体衬底内的隔离区。半导体带位于隔离区之间且与隔离区接触。半导体鳍位于半导体带上方且连接至半导体带。沟渠从隔离区的顶面延伸到隔离区内，其中沟渠与半导体鳍邻接。本发明还提供了紧邻半导体鳍的沟渠及其形成方法。

本发明提供了一种生物场效应晶体管（BioFET）以及一种制造BioFET器件的方法。该方法包括：使用与互补金属氧化物半导体（CMOS）工艺相容的或者典型的互补金属氧化物半导体（CMOS）工艺的一个或多个工艺步骤来形成BioFET。Bio...

一种高电压保护装置和方法包括第一和第二开关。第一开关用于响应于具有第一值的第一控制信号将第一节点连接至第二节点，并且用于响应于具有第二值的第一控制信号对这些节点断开连接。第二开关用于响应于具有第一值的第二控制信号将第一节点连接至第三节点...

方法包括在第二封装部件上方放置多个第一封装部件，第二封装部件包括第三封装部件。第一封装部件中的第一金属连接件与第二封装部件的相应的第二金属连接件对准。在放置多个第一封装部件之后，实施金属与金属接合以将第一金属连接件接合至第二金属连接件。...

本发明提供了一种包括隔离栅极结构的半导体器件，其中，该器件具有第一有源晶体管、第二有源晶体管、隔离栅极结构以及位于第一有源晶体管、第二有源晶体管和隔离栅极结构下方的有源区。第一有源晶体管和第二有源晶体管都具有第一导电类型的金属栅极（例如...

本发明提供一种用于在图像传感器的像素中围绕光电二极管的区域阻挡光的系统和方法。在实施例中，第一光学阻挡层形成在第一粘合层上并且第二粘合层形成在第一光学阻挡层上。重复一次或更多次第一光学阻挡层和第二粘合层的形成以形成多个光学阻挡层和多个粘...