本发明提供了MiM电容器以及控制一个或多个电子设备的一个或多个系统和技术。确定包括一个或多个电容器的一组电容器中的第一电容器具有缺陷。根据该确定，禁用第一电容器，并且启用第二电容器。

本发明公开的集成电路器件包括设置在半导体衬底上方的介电层，介电层具有形成在其中的牺牲腔体，形成到介电层上的膜层，以及在膜层上形成的覆盖层从而形成第二腔体，第二腔体通过形成在膜层内的通孔连接至牺牲腔体。本发明还公开了具有覆盖结构的MEMS...

本发明公开了用于晶圆级封装的方法和装置，其中一种半导体器件，包括：衬底、位于衬底上方的接合焊盘、位于衬底上方的保护环、在接合焊盘和保护环之间位于衬底上方的对准标记。该器件可以包括位于衬底上的钝化层、聚合物层、与接合焊盘接触的钝化后互连（...

本发明提供了一种图像传感器件及用于制造图像传感器件的方法。示例性图像传感器件包括具有正面及背面的衬底，设置在衬底正面处的多个传感器元件。多个传感器元件的每个可操作以感测投射向衬底背面的辐射。图像传感器也包括设置在衬底背面上方的高k介电网...

本发明提供一种生物场效应晶体管（BioFET）和制造BioFET器件的方法。该方法包括：使用与互补金属氧化物半导体（CMOS）工艺兼容或者互补金属氧化物半导体工艺特有的一种或多种工艺步骤来形成BioFET。BioFET器件包括衬底、具有...

本发明提供了电阻式随机存取存储器(RRAM)单元及其制造方法。RRAM单元包括晶体管和RRAM结构。该RRAM结构包括具有通孔部分和非平面部分的底部电极；共形地覆盖底部电极的非平面部分的电阻材料层；以及位于电阻材料层上的顶部电极。底部电...

本发明公开了半导体器件及其制造方法。在一些实施例中，制造半导体器件的方法包括在工件上方形成蚀刻停止层。蚀刻停止层相对于所述工件的材料层具有大于约4至约30的蚀刻选择比。所述方法包括在所述蚀刻停止层上方形成绝缘材料层；以及将所述蚀刻停止层...

本发明公开了一种方法包括在管芯的顶面上方形成牺牲膜层，该管芯在顶面具有接触焊盘。将管芯接合到载具，且模塑料形成在管芯和牺牲膜层上方。模塑料沿着管芯的侧壁延伸。露出牺牲膜层。通过去除牺牲膜层的至少一部分露出接触焊盘。第一聚合物层形成在管芯...

本发明提供了一种用于半导体制造的图案化方法，包括在半导体衬底上形成具有第一开口的第一图案。然后填充第一开口。在半导体衬底上形成第一部件和第二部件的第二图案，填充后的开口介入其中。然后在填充后的开口、第一部件和第二部件的侧壁上形成间隔件元...

本发明提供了一种方法，包括形成多个金属柱。通过位于多个金属柱中的相邻金属柱之间的薄弱部分互连多个金属柱以形成金属柱列。薄弱部分包括与多个金属柱相同的金属。多个金属柱中的每一个的大部分都与多个金属柱中与其相邻的金属柱分离。用金属镀多个金属...

本发明提供了具有圆形角结或包括多边形的角结的密封环结构。密封环环绕诸如集成电路、图像传感器和其他器件的通常为矩形的半导体器件。密封环包括两组通常平行的相对放置的边的结构，且角结是结，邻近的垂直密封环边在该结处连接。在不同的实施例中，密封...

本发明提供了一种半导体器件的实施例，该半导体器件包括：位于第一衬底上方的光学器件；位于光学器件的顶面上的垂直波导，垂直波导具有第一折射率；以及位于垂直波导上方的覆盖层，覆盖层被配置成用于垂直波导的透镜并且覆盖层具有第二折射率。本发明还提...

本发明公开了一种封装件，包括中介层，中介层包括没有通孔的第一衬底、位于第一衬底上方的再分布线和位于再分布线上方并与再分布线电连接的多个第一连接件。第一管芯位于多个第一连接件上方并与多个第一连接件接合。第一管芯包括第二衬底和位于第二衬底中...

本发明提供了用于集成电路的扼流器以及用于选择性过滤一个或多个RF频率带宽内的RF信号的一种或多种技术及系统。具体地，提供了被配置为选择性过滤这种RF信号的诸如3D RF扼流器或半集总RF扼流器的RF扼流器。RF扼流器包括被配置为RF扼流...

本发明公开了一种方法，包括：在凸块下金属（UBM）层上方涂覆光刻胶以及曝光光刻胶。在曝光步骤中，到达光刻胶的底部的光量小于到达光刻胶的顶面的光量的约5%。该方法进一步包括显影光刻胶以在光刻胶中形成开口。通过开口暴露UBM层的一部分。开口...

本发明提供了一种形成半导体器件的方法，其中通过镶嵌工艺形成气隙。该方法包括：在衬底上的第一介电层中形成第一导电层结构；形成具有多个部分的图案化光刻胶层，每一部分都位于对应的一个第一导电层结构上方；在每一部分的侧壁上形成能量可去除膜(ER...

本发明提供了具有双间隔件的一晶体管和一阻变随机存取存储器的结构，并且还提供了一种阻变随机存取存储器(RRAM)单元及其制造方法。RRAM单元包括晶体管和RRAM结构。RRAM结构包括：底电极，具有通孔部分和顶部；阻变材料层，位于底电极上...

本发明提供了一种可扩展的生物芯片及其制造方法。生物芯片包括采用聚合物而接合在一起的流体部分和感测部分。流体部分在一侧上具有微流体通道图案且在另一侧上具有流体连接至微流体通道图案的流体入口和流体出口。在用牺牲保护层保护微流体通道图案之后，...

本发明提供了一种用于在半导体器件内形成金属接触件的方法，所述方法包括在围绕至少一个栅电极的第一介电层内形成第一层接触件，第一层接触件延伸至底部衬底的掺杂区域。所述方法进一步包括在第一介电层上方形成第二介电层，并且形成延伸穿过第二介电层至...

本发明公开了一种接合结构及其形成方法，其中一种封装件，其包括第一封装元件和第二封装元件。第一细长接合焊盘位于第一封装元件表面，第一细长接合焊盘具有沿第一纵向的第一长度和小于第一长度的第一宽度。第二细长接合焊盘位于第二封装元件表面。第二细...