MiM电容器制造技术

本发明专利技术提供了MiM电容器以及控制一个或多个电子设备的一个或多个系统和技术。确定包括一个或多个电容器的一组电容器中的第一电容器具有缺陷。根据该确定，禁用第一电容器，并且启用第二电容器。

【技术实现步骤摘要】
MiM电容器
本专利技术总的来说涉及电容器，更具体地，涉及一种MiM电容器。
技术介绍
一些电路被配置为将一个或多个电气部件耦合至其它一个或多个电气部件。这种电路一般存在于诸如个人计算机和手机的各种设备的电路中。这种电路一般也存在于存储电路中。
技术实现思路
根据本专利技术的一个方面，提供了一种控制一个或多个电容器的方法，包括:确定包括一个或多个电容器的一组电容器中的第一电容器具有缺陷；以及响应于确定，禁用第一电容器，并且启用第二电容器。 优选地，第一电容器和第二电容器中的至少一个包括HD MiM电容器。 优选地，第二电容器具有以下情况中的至少一种:在确定之前被禁用；和在确定之前通过电压源充电。 优选地，该方法包括:确定第二电容器具有第二缺陷；以及响应于第二电容器具有第二缺陷的确定，禁用第二电容器，并且启用第三电容器。 优选地，缺陷对应于短路。 优选地，禁用包括使晶体管截止。 优选地，该方法包括:使用温度计检测器对包括一个或多个电容器的一组电容器中的与一个或多个缺陷相关的电容器的个数进行计数。 根据本专利技术的另一方面，提供了一种系统，包括:第一电容器，连接至与电压源连接的晶体管；第二电容器，被配置为响应于确定第一电容器具有缺陷而被启用；以及温度计检测器，被配置为对包括一个或多个电容器的一组电容器中的与一个或多个缺陷相关的电容器的个数进行计数，第一电容器被计入其中。 优选地，第一电容器和第二电容器中的至少一个连接至温度计检测器。 优选地，温度计检测器被配置为提供第一输出或第二输出，第一输出与接通一个或多个备份电容器的请求相关，第二输出与关断一个或多个备份电容器的请求相关。 优选地，第一电容器被配置为响应于确定而被禁用。 优选地，禁用包括使晶体管截止。 优选地，截止包括使用包括门和反相器的逻辑电路。 优选地，第一电容器经由包括晶体管的开关连接至电压源。 优选地，该系统包括第三电容器，第三电容器被配置为响应于确定第二电容器具有第二缺陷而被启用。 根据本专利技术的又一方面，提供了一种系统，包括:第一电子设备；第二电子设备，被配置为响应于确定第一电子设备具有缺陷而被启用；以及温度计检测器，连接至第一电子设备，并且被配置为对具有一个或多个电子设备的一组电子设备中的与一个或多个缺陷相关的电子设备的个数进行计数，第一电子设备被计入其中。 优选地，第二电子设备连接至温度计检测器。 优选地，温度计检测器被配置为提供第一输出或第二输出，第一输出与接通一个或多个备份电容器的请求相关，第二输出与关断一个或多个备份电容器的请求相关。 优选地，第一电子设备包括连接至与第一电压源连接的第一晶体管的第一电容器。 优选地，第二电子设备包括连接至与第二电压源连接的第二晶体管的第二电容器。 【附图说明】 图1是示出了根据一些实施例的控制一个或多个电子设备的方法的流程图。 图2是示出了根据一些实施例的控制一个或多个电子设备的方法的流程图。 图3是根据一些实施例的一个或多个电子设备的示图。 图4是根据一些实施例的一个或多个电子设备的示图。 图5是根据一些实施例的一个或多个电子设备的示图。 图6是根据一些实施例的一个或多个电子设备的示图。 图7是根据一些实施例的一个或多个电子设备的示图。 【具体实施方式】 现在参考附图描述所述主题，其中相似的参考数字通常用于指代说明书中相似的元件。在下面的描述中，为了说明，为了理解所述主题而描述许多具体细节。然而，显然，没有这些具体细节也可以实践所述主题。在其它情况下，为了便于描述所述主题而以框图的形式示出了结构和设备。 例如，本专利技术提供了一种或多种电路以及使用这种电路的一项或多项技术。 根据本专利技术的一个方面，提供了控制一个或多个电容器的方法。在一些实施例中，该方法包括确定包括一个或多个电容器的一组电容器中的第一电容器具有缺陷。根据一些实施例，缺陷与短路相关。在一些实施例中，该方法包括响应于该确定，禁用第一电容器而启用第二电容器。在一些实施例中，在确定第一电容器具有缺陷之前，禁用第二电容器。在一些实施例中，基于缺陷位置，选择待启用的第二电容器。在一些实施例中，在确定第一电容器具有缺陷之前，通过诸如VDD的电压源对第二电容器进行充电。在一些实施例中，禁用第一电容器包括隔离第一电容器。 在一些实施例中，禁用第一电容器包括使晶体管截止。在一些实施例中，晶体管包括η型金属氧化物半导体场效应晶体管(nMOSFET)。在一些实施例中，一个或多个晶体管包括P型金属氧化物半导体场效应晶体管(PM0SFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)、双极结晶体管(BJT)或场效应晶体管(FET)中的至少一种。 在一些实施例中，第一电容器和第二电容器中的至少一个包括高密度(HD)金属-绝缘体-金属(MiM)电容器。 在一些实施例中，确定第二电容器有第二缺陷。在一些实施例中，第二缺陷是第二短路或不是短路。响应于确定第二电容器有第二缺陷，禁用第二电容器，并且启用第三电容器。在一些实施例中，第三电容器不同于第一电容器并且不同于第二电容器。 在一些实施例中，对与一个或多个缺陷相关的一个或多个电容器的个数进行计数。在一些实施例中，利用温度计检测器(thermometer detector)来执行计数。 根据本专利技术的一个方面，提供了一种系统。该系统包括第一电容器、第二电容器以及温度计检测器。第一电容器连接至晶体管，而晶体管连接至电压源。在一些实施例中，晶体管是开关的一部分，并且开关连接至电压源和第一电容器。第二电容器被配置为响应于确定第一电容器具有缺陷而被启用。温度计检测器被配置为对包括一个或多个电容器的电容器组中与一个或多个缺陷相关的数个电容器进行计数，其中第一电容器被计入其中。在一些实施例中，温度计检测器连接至第一电容器和第二电容器中的至少一个。在一些实施例中，温度计检测器被配置为提供第一输出和第二输出中的至少一个。在一些实施例中，第一输出为0，而第二输出为I。在一些实施例中，第一输出对应于打开一个或多个电容器(诸如，一个或多个冗余电容器)的请求。在一些实施例中，第二输出对应于关闭一个或多个电容器(诸如，一个或多个冗余电容器)的请求。应该理解的是，温度计检测器的输出基于一个或多个电容器是否被确定为具有缺陷和确定为有缺陷的一个或多个电容器的个数的两个条件中的至少一个。 在一些实施例中，响应于确定第一电容器具有缺陷而禁用第一电容器。在一些实施例中，禁用第一电容器包括使连接至第一电容器或电压源的至少一个晶体管截止或与这种情况相关。在一些实施例中，利用逻辑电路来使晶体管截止。在一些实施例中，逻辑电路包括门电路，诸如，与门、或门或反相器中的至少一种。在一些实施例中，响应于确定第二电容器有第二缺陷，启用至少一个第三电容器或禁用第二电容器。在一些实施例中，响应于确定第二电容器有第二缺陷，使连接至第二电容器和第二电压源或将第二电容器连接至第二电压源的第二晶体管截止。利用第二逻辑电路来使第二晶体管截止。在一些实施例中，第二逻辑电路包括第二门电路，诸如，与门、或门或第二反相器中的至少一种。 图1中示出了根据一些实施例的控制一个或多个电子设备的方法100，并且图3本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种控制一个或多个电容器的方法，包括：确定包括一个或多个电容器的一组电容器中的第一电容器具有缺陷；以及响应于所述确定：禁用所述第一电容器；并且启用第二电容器。

【技术特征摘要】
2013.03.15 US 61/800,670;2013.10.05 US 14/046,9511.一种控制一个或多个电容器的方法，包括: 确定包括一个或多个电容器的一组电容器中的第一电容器具有缺陷；以及 响应于所述确定: 禁用所述第一电容器；并且 启用第二电容器。2.根据权利要求1所述的方法，所述第一电容器和所述第二电容器中的至少一个包括HD MiM电容器。3.根据权利要求1所述的方法，所述第二电容器具有以下情况中的至少一种: 在所述确定之前被禁用；和 在所述确定之前通过电压源充电。4.根据权利要求1所述的方法，包括: 确定所述第二电容器具有第二缺陷；以及 响应于所述第二电容器具有所述第二缺陷的确定: 禁用所述第二电容器；并且 启用第三电容器。5.根据权利要求1所述的方法，所述缺陷对应于短路。6....

【专利技术属性】
技术研发人员：王建荣，陈焕能，周淳朴，邱垂青，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71