本发明公开了一种器件，包括具有第一导电类型的半导体衬底，以及所述半导体衬底中的深阱区，其中深阱区具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型。该器件还包括位于深阱区上方的具有第一导电类型的阱区。半导体衬底具有位于阱区上方的顶部以及位于深阱区...

本发明涉及金属氧化物半导体场效应晶体管。本发明的方法包括将第一金属层沉积在设置在金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的源极和漏极中至少一个上的本征SiO2层上。由本征SiO2层和第一金属层形成金属氧化物层，其中，剩余的第一金属层...

本发明涉及了一种带有覆盖式衬底的MEMS器件，其包括设置在第一衬底上的介电层，该介电层具有形成在其中的牺牲凹部。该集成电路另外包括形成在介电层之上且悬置在牺牲凹部之上的膜层，以及与膜层相接合从而形成了第二凹部的覆盖式衬底，该第二凹部通过...

本发明提供了微机电（MEMS）集成压力传感器和麦克风器件及其形成方法，该方法包括提供MEMS晶圆，其中，图案化该MEMS晶圆的一部分来提供麦克风器件的第一膜以及压力传感器件的第二膜。载体晶圆接合至MEMS晶圆，并且蚀刻该载体晶圆以将麦克...

本发明提供了用于在半导体器件制造中实施光刻工艺的系统和方法，系统和方法包括提供用于测量衬底上的第一坐标处的衬底的第一形貌高度并且测量衬底上的第二坐标处的衬底的第二形貌高度。所测量的第一和第二形貌高度可以被提供为晶圆图。然后，使用晶圆图对...

本发明公开了一种使用具有OD边缘上多晶硅的FinFET标准单元结构的标准单元的方法。使用FinFET晶体管限定标准单元并且标准单元具有与半导体鳍相交的交叉点处形成晶体管的栅极结构。多晶硅伪结构形成在标准单元的有源区或者OD区域的边缘上。...

一种集成电路包括：被配置成具有第一电势的器件的第一导电结构；被配置成具有不同于第一电势的第二电势的器件的第二导电结构；以及设置在第一导电结构和第二导电结构之间的且将第一导电结构和第二导电结构间隔开的维和结构。维和结构与第一导电结构和第二...

本发明涉及了一种在FinFET中扩展伪单元插入的工艺，该工艺包括在集成电路（IC）布局中确定空白区域，其中，该空白区域是不包括任何有源鳍和位于最小间隔边界以外的区域，在该空白区域之上应用网格图，其中，该网格图包括位于空白区域内的多个网格...

本发明公开了用于半导体器件的封装器件及其制造方法。在一些实施例中，一种制造封装器件的方法包括：在衬底上方形成互连布线，以及在部分互连布线上方形成导电球。在导电球和衬底上方沉积模塑材料，以及从衬底的划线区域上方去除模塑材料的一部分。

本发明提供了一种堆叠式半导体结构及其形成方法。堆叠式半导体结构包括第一衬底。多层互连件设置在第一衬底上方。金属部设置在多层互连件上方。第一接合部件位于金属部上方。第二衬底具有正面。腔在第二衬底中从正面延伸至深度D处。活动结构设置在第二衬...

一种器件包括：底部封装件、接合在底部封装件上的顶部封装件以及形成在顶部封装件和底部封装件之间的底部填充材料层，其中，底部封装件包括形成在底部封装件的第一侧上的多个金属凸块和形成在底部封装件的第二侧上的多个第一凸块，顶部封装件包括多个第二...

本发明提供了一种WLCSP中间结构及其形成方法，该方法包括：在载体上形成第一重分布层（RDL），以及在第一RDL的第二侧上安装中介层管芯，第一RDL具有设置在第一RDL上的安装焊盘。在中介层管芯的第二侧上方形成第二RDL，第二RDL具有...

本发明公开了一种堆叠式集成电路（IC）器件及方法。该堆叠式IC器件包括第一半导体元件。第一半导体元件包括第一衬底、第一衬底中的介电块以及形成在第一衬底上方的第一金属间介电层中的多个第一导电部件。该堆叠式IC器件还包括接合至第一半导体元件...

本公开提供了一种防止在半导体晶圆背侧的加工过程中产生电弧的方法。本方法包括在背侧上方沉积介电层以及在介电层上方沉积抗电弧层。抗电弧层是导电层，但不用于传导信号或电能。方法进一步包括蚀刻穿过半导体晶圆的多个材料层的开口。开口露出位于半导体...

具体地，本发明提供了用于集成电路的一个或多个支撑结构和用于形成这种支撑结构的技术。支撑结构包括一个或多个沟槽结构，诸如环绕集成电路外围所形成的第一沟槽结构和第二沟槽结构。在一些实施例中，根据局部衬底蚀刻形成一个或多个沟槽结构，使得在衬底...

本发明涉及一种半导体器件的源级、漏极结构。场效应晶体管的示例性结构包括：衬底，包括主表面和位于主表面下方的腔；栅极堆叠件，位于衬底的主表面上；间隔件，与栅极堆叠件的一侧相邻；浅沟槽隔离（STI）区域，设置在栅极堆叠件的一侧上，其中，ST...

本发明公开了一种集成电路器件，包括生长在衬底上的至少两个外延生长有源区，有源区置于两个栅极器件之间。该器件还包括位于两个外延生长有源区之间的至少一个伪栅极。每个有源区的长度都大致相同。本发明还公开了改善的栅极间的外延生长。

本发明提供了用于执行与晶圆相关的旋涂工艺和在旋涂工艺期间控制光刻胶厚度的旋涂工艺的增厚阶段的一种或多种技术和系统。具体地，为了增加光刻胶的厚度，在旋涂工艺期间执行增厚阶段。例如，在增厚阶段期间，增加朝着晶圆提供的向下流动的气体的气体温度...

本发明公开了一种半导体器件、封装结构及它们的形成方法。一个实施例是半导体器件，该半导体器件包括位于第一衬底上方的第一光学器件；位于第一光学器件的顶面上的垂直波导；以及位于垂直波导上方的第二衬底。该半导体器件还包括：位于第二衬底的顶面上的...

公开一种用于混合晶圆接合的方法。在一个实施例中，公开了一种方法，包括：在至少两个半导体衬底之上的介电层中形成金属焊盘层；对半导体衬底执行化学机械抛光，以暴露金属焊盘层的表面，并且平坦化介电层，以在每个半导体衬底上形成接合表面；对至少两个...