本发明提供一种半导体器件。该半导体器件包括衬底、在栅极区中设置在衬底上方的鳍结构。鳍结构包括作为鳍结构的下部的第一半导体材料层、作为鳍结构的中部的半导体氧化物层和作为鳍结构的上部的第二半导体材料层。半导体器件还包括在衬底上方设置在两个相...

本发明提供了一种方法，包括形成第一半导体鳍并且氧化第一半导体鳍的表面部分以形成第一氧化物层。第一氧化物层包括与第一半导体鳍重叠的顶部和位于第一半导体鳍的侧壁上的侧壁部分。然后去除第一氧化物层的顶部，其中第一氧化物层的侧壁部分在去除第一氧...

本发明提供了形成波导结构的实施例。波导结构包括衬底，并且衬底具有互连区域和波导区域。波导结构还包括形成在衬底中的沟槽，并且沟槽具有倾斜的侧壁表面和基本平坦的底部。波导结构还包括形成在衬底上的底部覆层，并且底部覆层自互连区域延伸至波导区域...

本发明的实施例包括半导体器件和形成半导体器件的方法。一个实施例是形成半导体器件的方法，该方法包括：将管芯接合至第一衬底的顶面，管芯电连接至第一衬底；以及在第一衬底的顶面上形成支撑结构，支撑结构与管芯物理间隔开，支撑结构的顶面与管芯的顶面...

一种鳍式场效应晶体管（FinFET）包括位于衬底之上的半导体层，其中，半导体层形成FinFET的沟道。第一硅锗氧化物层位于衬底之上，其中，第一硅锗氧化物层具有第一锗百分比。第二硅锗氧化物层位于第一硅锗氧化物层之上。第二硅锗氧化物层具有高...

本发明提供了鳍式场效应晶体管器件的制造方法。制造FinFET器件首先接收FinFET前体。FinFET前体包括衬底、鳍和包裹鳍的部分的伪栅叠层。去除伪栅叠层以形成栅极沟槽。在栅极沟槽中沉积高k栅极介电层。在高k栅极介电层上方沉积栅极金属...

本发明提供了具有可调节拉伸应变的鳍式场效应晶体管（FinFET）及在集成电路中调整拉伸应变的实施例方法。方法包括在鳍中的栅极区的对侧上形成源极/漏极区，在鳍上方形成间隔件，间隔件邻近源极/漏极区，在间隔件之间沉积电介质；以及实施退火工艺...

提供了一种半导体布置及其形成方法。半导体布置包括设置在保护区的第一侧的有源区。有源区包括有源器件。半导体布置的保护区包括有源区的残留物。还提供了形成半导体布置的方法。

本发明提供了一种半导体结构，该半导体结构包括存储区。在存储区上设置存储器结构。存储器结构包括第一电极、可变电阻层、保护间隔件以及第二电极。第一电极具有位于存储区上的顶面和第一外侧壁表面。可变电阻层具有第一部分和第二部分。第一部分设置在第...

本发明提供了用于光刻曝光工艺的掩模的一个实施例。该掩模包括：掩模衬底；第一掩模材料层，被图案化以具有限定第一层图案的多个第一开口；以及第二掩模材料层，被图案化以具有限定第二层图案的多个第二开口。本发明还公开了利用单次曝光形成多层图案的具...

本发明提供了一种方法，包括：在衬底上形成第一光刻胶层；在第一光刻胶层上方形成第二光刻胶层；以及对第一光刻胶层和第二光刻胶层进行光刻曝光工艺，由此在第一光刻层内形成第一潜在部件，并且在第二光刻胶层内形成第二潜在部件。本发明还提供了采用单次...

本发明提供了一种方法，该方法包括：在衬底上形成第一光刻胶层；在第一光刻胶层上方形成第二光刻胶层；以及对第一光刻胶层和第二光刻胶层执行电子束（e-beam）光刻曝光工艺，从而在第一光刻胶层中形成第一潜在部件和在第二光刻胶层中形成第二潜在部件。

本发明公开了垂直环绕结构及其制造方法的实施例。制造自对准的垂直环绕结构器件的方法实施例包括：环绕半导体柱从结构层伸出的暴露部分形成间隔件；在结构层的被保护部分和间隔件的第一部分上方形成光刻胶；蚀刻掉结构层设置在由间隔件和光刻胶共同限定的...

本发明公开的一种半导体结构包括第一有源区结构、环绕第一有源区结构的隔离结构、第一多晶硅结构、第一金属结构以及第二金属结构。第一多晶硅结构位于第一有源区结构上方。第一金属结构直接位于第一有源区结构的第一部分上方。第二金属结构直接位于第一多...

本发明提供了单元高度为标称最小间距的非整数倍的标准单元。集成电路由具有金属线的标称最小间距的工艺制造，并且该集成电路包括多条金属线和位于多条金属线下方的多个标准单元。多条金属线沿第一方向延伸，并且多条金属线在与第一方向垂直的第二方向上间...

本发明公开了一种具有应变缓冲层的MOS器件及其形成方法，该期间包括：衬底；隔离区，延伸至衬底内；以及半导体鳍，高于隔离区的顶面。半导体鳍具有第一晶格常数。半导体区包括：侧壁部分，位于半导体鳍的相对两侧；以及顶部，位于半导体鳍的上方。半导...

本发明提供了在多重图案化光刻期间用于冲突检测的EDA工具和方法。方法，包括：访问表示集成电路（IC）的层的布局的数据，集成电路（IC）的层的布局具有限定电路图案的多个多边形，该电路图案将在位于半导体衬底的单个层上方的多（N）个光掩模之间...

本发明公开了具有各向同性腔的MEMS集成压力传感器及其制造方法，其中该方法实施例包括提供具有氧化物层、MEMS衬底、多晶硅层的MEMS晶圆。将包括使用各向同性蚀刻形成的第一腔的载体晶圆接合至MEMS，第一腔与多晶硅层暴露的第一部分对准。...

本发明提供了一种堆叠半导体器件，包括第一衬底。多层互连件设置在第一衬底上方。金属部分设置在多层互连件上方。第一接合部件位于金属部分上方。第二衬底具有正面。腔在第二衬底中从正面延伸到深度D。腔具有内表面。停止层设置在腔的内表面上方。可移动...

本发明提供了EUV光掩模和用于形成EUV光掩模的方法的实施例。该方法包括：提供衬底、反射层、覆盖层、硬掩模层，以及在其中形成开口。然后，在开口中和硬掩模层的顶面上方填充吸收层。提供平坦化工艺以去除位于硬掩模层的顶面上方的吸收层且在开口中...