一种半导体器件包括：包括第一导电类型的第一类型区。该半导体器件包括：包括第二导电类型的第二类型区。该半导体器件包括在第一类型区和第二类型区之间延伸的沟道区。该半导体器件包括位于第一类型区的第一类型表面区上的第一硅化物区。第一硅化物区与第...

本发明提供了一种集成电路器件，包括：衬底和磁性隧道结（MTJ）。MTJ至少包括钉扎层、阻挡层和自由层。在衬底的表面上方形成MTJ。在钉扎层、阻挡层和自由层中，自由层最先形成并且最接近表面。这使得在蚀刻自由层之前能够在自由层的周边区的上方...

本发明提供了形成具有有机光电二极管的图像传感器的实施例。有机光电二极管使用在邻近有机光电二极管的阳极处形成的双电子阻挡层来降低暗电流。通过使用电子阻挡层，使得用于邻近的阳极层和有机电子阻挡层的最高已占分子轨道（HOMO）的值与双电子阻挡...

本发明是有关于一种抑制负偏压高温不稳定性的动态基体偏压系统及方法，该系统包括：一P通道金属氧化物半导体晶体管，具有一源极连接至一电源；以及一电压控制电路，配置以输出一第一电压位准与一第二电压位准，第一电压位准与第二电压位准相异，且第一电...

本发明提供了一种半导体布置，包括衬底区和从衬底区凸起的第一半导体柱形件。半导体布置包括从衬底区凸起的第二半导体柱形件。第二半导体柱形件与第一半导体柱形件分离第一距离。第一距离介于约10nm至约30nm之间。本发明还提供了一种形成半导体布...

本发明提供了一种集成电路结构，包括：形成存储阵列的多个闪存单元，其中，多个闪存单元中的每一个都包括选择栅极和存储栅极。选择栅电极包括包含多晶硅的第一部分，其中，第一部分形成存储阵列的列的选择栅极，以及电连接至第一部分的第二部分，其中，第...

本发明提供了一种器件，包括堆叠在一起的第一芯片和第二芯片以形成多芯片结构，其中，多个芯片结构嵌入在封装层内。该器件还包括形成在封装层的第一侧的顶面上的重分布层，其中，重分布层连接至第一芯片的有源电路和第二芯片的有源电路，并且重分布层延伸...

本发明提供了一种集成电路结构，包括位于半导体衬底上方的栅叠件以及延伸至半导体衬底内的开口，其中，开口邻近栅叠件。第一硅锗区位于开口中，其中，第一硅锗区具有第一锗百分比。第二硅锗区位于第一硅锗区的上方，其中，第二硅锗区的第二锗百分比大于第...

本发明实施例公开的标准单元的布局存储在非瞬时性计算机可读介质上并且包括第一导电图案、第二导电图案，多个有源区图案以及第一中央导电图案。多个有源区图案彼此隔离并且布置在位于第一导电图案和第二导电图案之间的第一行和第二行中。第一行邻近第一导...

一种半导体器件，包括第一层、第二层和通孔，其中，第一层包括多个第一层金属焊盘；第二层形成在第一层的顶部上，该第二层包括多个第二层金属焊盘；并且通孔将第一层金属焊盘连接至第二层金属焊盘。第一层金属焊盘和第二层金属焊盘之间的表面区域重叠低于...

本发明涉及具有中介层的封装件及其形成方法。本发明的封装结构包括：中介层、位于中介层上方并且接合至中介层的管芯以及位于中介层下方并且接合至中介层的印刷电路板（PCB）。中介层中不包含晶体管（加入晶体管），而包括半导体衬底、位于半导体衬底上...

一种集成电路，包括衬底、位于衬底上方的金属层以及位于金属层上方的第一介电层。第一介电层包括通孔。包括硅化合物的侧壁层位于通孔中。第二介电层位于侧壁层上方并且超厚金属(UTM)层位于通孔中。本发明涉及具有侧壁层和超厚金属层的集成电路及其制...

一种制造件包括：具有上表面和侧面的第一电极、位于第一电极上方的电阻可变膜和位于电阻可变膜上方的第二电极。电阻可变膜沿着第一电极的上表面和侧面延伸。第二电极具有侧面。第一电极的侧面的一部分和第二电极的侧面的一部分将电阻可变膜的一部分夹在中...

本发明提供了一种集成电路（IC）器件及其制造方法。该方法包括提供包括衬底的前体，衬底具有第一和第二金属氧化物半导体（MOS）区。第一和第二MOS区包括第一和第二栅极区、第一和第二半导体层堆叠件、第一和第二源极/漏极区以及第一和第二隔离区...

本发明的一个实施例是一种方法，该方法包括在衬底上的沟槽中外延生长第一III-V族化合物半导体，且在腔室中实施外延生长。第一III-V族化合物半导体具有包括小平面的第一表面。在外延生长之后，蚀刻第一III-V族化合物半导体的第一表面以形成...

一种存储单元及其形成方法。该存储单元包括：形成于第一介电层中的开口中的第一电极，第一介电层形成于包括金属层的衬底上，开口被配置为允许第一电极与金属层之间的物理接触，第一电极具有第一宽度W1并延伸超过开口限定的区域一段距离；形成于第一电极...

本发明公开了集成结和接触件的形成以形成晶体管，其中，一种方法包括在半导体区域上方形成栅极堆叠件，在半导体区域上方沉积杂质层，在杂质层上方沉积金属层。然后实施退火，其中，杂质层中的元素通过退火扩散进半导体区域的一部分内以形成源极/漏极区域...

提供活化半导体结构中的掺杂剂的系统和方法。例如，提供包括多个掺杂剂的半导体结构。提供一种或多种微波吸收材料，微波吸收材料能够增加与半导体结构相关的电场强度。将微波辐射施加至微波吸收材料和半导体结构，以活化多个掺杂剂，用于制造半导体器件。...

本发明提供了用于清洗用来混合接合的半导体晶圆表面的机制的实施例。一种用于清洗用来混合接合的半导体晶圆的表面方法包括：提供半导体晶圆，并且半导体晶圆具有嵌入在绝缘层中的导电焊盘。该方法还包括：对半导体晶圆的表面实施等离子体工艺，并且在导电...

本发明提供了一种形成背照式光敏器件的方法，包括：在牺牲衬底上形成渐变牺牲缓冲层；在渐变牺牲缓冲层上形成均匀层；在均匀层上形成第二渐变缓冲层；在第二渐变缓冲层上形成硅层；将器件层接合至硅层；以及去除渐变牺牲缓冲层和牺牲衬底。本发明还提供了...