本发明提供了一种制造半导体器件的新方法和半导体器件。半导体器件包括：衬底、沟槽电容器、接触焊盘、层间介电(ILD)层和接触元件。沟槽电容器包括掺杂区、第一介电层、底电极、第二介电层和顶电极，其中，接触焊盘位于掺杂区上。ILD层具有接触窗...

模塑料中具有凹槽的集成扇出封装结构。一种封装件包括第一管芯和第二管芯。第一管芯包括第一衬底和第一衬底上方的第一金属焊盘。第二管芯包括第二衬底和第二衬底上方的第二金属焊盘。在模塑料中模制第一管芯和第二管芯。模塑料具有介于第一管芯和第二管芯...

本文公开了一种器件，包括：具有第一侧的第一封装件，第一侧具有设置在其上的多个连接件；以及通过连接件安装在第一封装件上的第二封装件。模塑料设置在第一封装件的第一侧上以及第一封装件和第二封装件之间。多个应力消除结构(SRS)设置在模塑料中，...

本发明提供了一种背照式半导体图像感测器件，该背照式半导体图像感测器件包括半导体衬底。该半导体衬底包括辐射敏感二极管和外围区。外围区接近背照式半导体图像感测器件的侧壁。该背照式半导体图像感测器件还包括位于半导体衬底的背侧上的第一抗反射涂层...

本发明提供了用于制造包括像素阵列的背照式图像传感器的系统和方法。一种示例图像传感器包括第一像素、第二像素和隔离结构。第一像素设置在衬底的前侧并且配置为响应于入射到衬底的背侧上的光而产生电荷载流子。第二像素设置在衬底的前侧并且配置为响应于...

本发明提供了一种具有减小的电阻抗和电容的半导体器件。半导体器件包括具有第一导电类型的第一类型区域。半导体器件包括具有第二导电类型的第二类型区域。半导体器件包括在第一类型区域和第二类型区域之间延伸的沟道区。沟道区与第一类型区域的第一部分间...

本发明公开的晶体管包括栅极端子、源极端子和漏极端子。源极和漏极端子中的至少一个具有分层结构，分层结构包括端子层和中间层。端子层具有顶面和底面。中间层位于端子层内，位于顶面和底面之间并且与顶面和底面间隔开，中间层定向为垂直于电流，并且小于...

本发明提供了一种半导体布置以及用于形成这种半导体布置的技术。执行蚀刻步骤以在半导体布置的平面区上方形成第一蚀刻区。第一蚀刻区暴露平面结构，诸如，在半导体制造期间用于对准的对准掩模。蚀刻步骤在半导体布置的半导体鳍部区的上方形成第二蚀刻区。...

本文公开了一种半导体器件，包括：包括第一导电类型的第一类型区和包括第二导电类型的第二类型区。半导体器件包括在第一类型区和第二类型区之间延伸的沟道区。半导体器件包括围绕至少一部分沟道区的栅电极。栅电极的第一栅极边缘与第一类型区的第一类型区...

本发明公开的一种半导体存储器包括设置在三维集成电路的第一层上的读取端口阵列和设置在三维集成电路的第二层上的位单元阵列。第二层垂直放置于第一层的上方或下方。位单元阵列的至少一个位单元通过从第一层延伸至第二层的通孔连接至读取端口阵列的至少一...

本发明提供用于光刻的高生产量和小占位面积扫描曝光的系统和方法。一种光刻系统，其包括辐射源和曝光工具，曝光工具包括在第一方向上密集地封装的多个曝光柱。每个曝光柱都包括被配置成经过辐射源的曝光区域。该系统还包括：晶圆载体，被配置成固定并且沿...

本发明提供了一种电路，包括处于第一电压电平的第一电源节点、处于第二电压电平的第二电源节点、第一电压驱动器，第一电流驱动器和控制单元。第一电压驱动器被配置为当第一输入节点处的第一输入信号处于第一逻辑状态时，将第一输出节点电连接至第一电源节...

本发明提供了一种半导体存储器，其包括具有被布置为多行和多列的多个交叉存取双端口位单元的双端口存储阵列，多个交叉存取双端口位单元中的每一个都具有两个交叉存取端口以用于从交叉存取双端口位单元读出和写入一位或多位数据。半导体存储器还包括与双端...

本发明提供了集成电路（IC）。IC包括具有金属氧化物半导体（MOS）区的衬底。IC还包括第一栅极区、源极区和漏极区，以及第二栅极区、源极区和漏极区，其中第一栅极区具有第一长度，第二栅极区具有第二长度。第一纳米线组设置在第一栅极区中，第一...

本发明涉及具有衬底通孔结构的器件及其形成方法。本发明的器件包括：位于半导体衬底上的第一介电层、形成在第一介电层中的栅电极、以及穿透第一介电层并延伸至半导体衬底内的衬底通孔（TSV）结构。TSV结构包括导电层、环绕导电层的扩散阻挡层以及环...

本发明公开了一种具有提高的钝化完整性的半导体器件。该器件包括衬底、第一层和金属层。第一层形成在衬底上方。第一层包括通孔开口和邻近通孔开口的锥形部分。金属层形成在第一层的通孔开口和锥形部分上方。金属层基本没有间隙和空隙。本发明还提供了提高...

本发明提供了多电压输入缓冲器及其相关方法，其中一种器件包括：第一电平转换器、开关和控制电路。第一电平转换器电连接至焊盘。开关具有与第一电平转换器的输入端电连接的输入端和与第一电平转换器输出端电连接的输出端。控制电路电连接至开关的控制端。

本发明提供了用于集成电路（IC）的方法的一个实施例。该方法包括通过第一光刻工艺在衬底上形成心轴图案；在心轴图案的侧壁上形成第一间隔件图案；去除心轴图案；在第一间隔件图案的侧壁上形成第二间隔件图案；去除第一间隔件图案；以及将第二间隔件图案...

本发明提供了一种新颖的集成电路及其制造方法。集成电路包括多个第一互连焊盘、多个第二互连焊盘、第一层间介电层、薄膜电阻器以及至少两个端帽。用作薄膜电阻器的连接件的端帽与多个第二互连焊盘放置在同一级内。因此，通过端帽和多个第二互连焊盘的直接...

本发明提供了形成图像传感器件的机制的实施例。该图像传感器件包括具有正面和背面的衬底。该图像传感器件还包括用来检测穿过背面进入衬底的入射辐射的可操作的辐射感测区。图像传感器件还包括形成在衬底中并且邻近辐射感测区的掺杂的隔离区。此外，该图像...