本发明涉及一种有源像素传感器及其相关的形成方法，其中，有源像素传感器具有在制造过程中降低对下面的栅极介电层的损害的栅极介电保护层。在一些实施例中，有源像素传感器具有设置在半导体衬底内的光电检测器。具有第一栅极结构的转移晶体管位于设置在半...

本发明提供了一种半导体器件及其制造方法。该方法包括提供包括衬底的前体，衬底具有第一和第二金属氧化物半导体（MOS）区。第一和第二MOS区分别包括第一和栅极区、半导体层堆叠件以及源极/漏极区。该方法还包括横向暴露并且氧化第一栅极区中的半导...

本发明涉及调节MOS器件中的锗百分比的技术。本发明的集成电路结构包括：位于半导体衬底上方的栅极堆叠件，以及延伸到半导体衬底内的开口，其中开口邻近栅极堆叠件。第一硅锗区域设置在开口中，其中，第一硅锗区域具有第一锗百分比。第二硅锗区域覆盖第...

通过器件隔离结构隔离的半导体开关器件。本发明提供了一种器件，包括：在半导体衬底上方形成的栅极结构，栅极结构具有延伸件；器件隔离结构形成在半导体衬底中并且与栅极结构邻近，其中，延伸件位于部分器件隔离结构上方；以及位于栅极结构的两侧上的源极...

本发明公开了一种在堆叠管芯的侧壁上具有热介面材料的封装件，包括：具有至少两个堆叠管芯的管芯堆叠件以及热介面材料（TIM）。TIM包括位于管芯堆叠件的顶面上方并与管芯堆叠件的顶面接触的顶部部分以及从顶部部分向下延伸到低于至少两个堆叠管芯中...

本发明提供了一种用于形成MEMS器件的方法。该方法包括以下步骤：提供具有第一部分和第二部分的衬底；在衬底的第一部分上制造膜式传感器；以及在衬底的第二部分上制造体硅传感器。本发明还提供了一种MEMS器件。

本发明在此揭露一种二级数字模拟转换器与液晶显示器源级驱动器。此源级驱动器包含二级数字模拟转换器。此二级数字模拟转换器包含1位串行电荷重布数字模拟转换器、电压选择器以及伽玛校正扩充和决定逻辑(Gamma Correction Expans...

本发明提供了用于形成半导体管芯的机制的实施例。半导体管芯包括半导体衬底和形成在半导体衬底上方的保护层。半导体管芯还包括共形地形成在保护层上方的导电层和形成在导电层中的凹槽。凹槽环绕导电层的区域。半导体管芯还包括形成在被凹槽围绕的导电层区...

本发明提供了一种集成电路器件，其中，光电二极管阵列形成在半导体衬底的表面处。包括多层电介质的介电结构形成在光电二极管上方。滤色器阵列形成在光电二极管上方及介电结构内。滤色器的底部沿介电结构的两层之间的界面对准。界面提供允许良好的控制沟槽...

本发明提供了用于形成封装结构的机制的实施例。形成封装结构的方法包括：提供半导体管芯以及在半导体管芯上方形成第一凸块结构和第二凸块结构。第二凸块结构比第一凸块结构更矮和更宽。该方法还包括提供衬底，在衬底上形成有第一接触焊盘和第二接触焊盘。...

本发明提供了具有不均匀P型杂质分布的MOS器件，其中，一种集成电路结构包括半导体衬底、位于半导体衬底之上的栅极堆叠件和延伸至半导体衬底中的开口，其中，开口与栅极堆叠件相邻。硅锗区被设置在开口中，其中，硅锗区具有第一p型杂质浓度。基本上不...

本发明公开了一种磁阻式随机存取存储器（MRAM）结构，包括底部电极结构。磁性隧道结（MTJ）元件位于底部电极结构上方。MTJ元件包括反铁磁材料层。铁磁固定层位于反铁磁材料层上方。隧道层位于铁磁固定层上方。铁磁自由层位于隧道层上方。铁磁自...

本发明提供了一种集成电路结构，其包括：位于半导体衬底上方的栅极堆叠件以及延伸至半导体衬底内的开口，其中，开口邻近栅极堆叠件。第一硅锗区设置在开口中，其中，第一硅锗区具有第一锗百分比。第二硅锗区位于第一硅锗区上方。第二硅锗区包括位于开口中...

本发明提供了一种热调整半导体器件中的应力的方法，其包括：进行第一外延以在半导体衬底上生长硅锗层；进行第二外延以在硅锗层上生长硅层；以及进行第一氧化以氧化硅锗层，其中生成第一硅锗氧化区。执行应力释放操作以释放由第一硅锗氧化区引起的应力。在...

本发明的实施例包括一种浅沟槽隔离(STI)结构及其形成方法。在衬底中形成沟槽。在沟槽的侧壁和底面上形成氧化硅和硅衬垫层。在沟槽中填充可流动氧化硅材料，对可流动氧化硅材料进行固化，然后部分地去除固化的可流动氧化硅材料。在沟槽中沉积另一种氧...

本发明提供了一种半导体结构，包括模塑料、导电插塞和覆盖件。导电插塞位于模塑料中。覆盖件位于导电插塞和模塑料之间的顶部汇合点的上方。半导体结构还具有介电质。介电质位于覆盖件和模塑料上。本发明还提供了一种半导体3D封装件以及制造半导体结构的...

本发明提供了用于FinFET技术的感测放大器布局。感测放大器(SA)包括具有定义氧化(OD)区的半导体衬底、SA感测器件对、SA使能器件和用于携带感测放大器使能(SAE)信号的SAE信号线。该SA感测器件对具有与SA使能器件相等的多晶硅...

本发明的光导栅格可包括具有多条交叉栅格线的栅格结构和用于交叉栅格线之间的光传感器元件的多个开口，其中，每条栅格线具有宽度w。栅格结构具有多个开口中的在对角方向上的两个相邻开口之间的对角栅格宽度。对角栅格宽度的值大于约√3w。图像传感器可...

本发明的一些实施例涉及包括在其上的鳍式场效应晶体管（FinFET）的集成电路。该集成电路包括具有第一导电类型并且相互分隔开的第一和第二有源鳍区。栅极介电层设置在第一和第二有源鳍区上方。第一和第二栅电极分别设置在第一和第二有源鳍区上方。第...

本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，其中，扇出型封装件包括模塑料、导电插塞和应力缓冲层。导电插塞位于模塑料中。应力缓冲层位于导电插塞和模塑料之间。应力缓冲层具有热膨胀系数（CTE）。应力缓冲层的CTE介于模塑料的CTE和导电插塞的C...