半导体存储器包括多个子存储体，每个子存储体包括连接至局部位线组的一行或多行存储器位单元，其中，子存储体共享相同的全局位线组，以用于从子存储体的存储器位单元读取数据和/或将数据写入子存储体的存储器位单元。半导体存储芯片还包括用于每个子存储...

本发明公开了一种制造半导体集成电路(IC)的方法。提供了第一导电部件和第二导电部件。在第一导电部件上形成第一硬掩模(HM)。在第一和第二导电部件上方形成图案化的介电层，第一开口暴露第二导电部件。在第一开口中形成第一金属插塞以与第一导电部...

本发明提供了一种使集成电路（IC）半导体器件中的定义氧化层（OD）密度梯度减小的方法，所述集成电路（IC）半导体器件具有置放布局和与该置放布局相关联的一套设计规则检查（DRC）规则。该方法包括根据对应于置放布局的OD密度信息计算插入区域...

本发明提供了工艺设计类型之间的电路设计移植，即用于将电路设计从第一工艺设计类型移植到第二工艺设计类型的一个或多个系统和技术。电路设计包括诸如晶体管的一个或多个组件，其根据诸如90nm处理环境的第一工艺设计类型进行布置和按大小排列。电路设...

本发明公开了利用刷新操作编程和擦除存储单元的方法和系统。系统包括选择模块、处理模块和刷新模块。在方法中，首先，从存储器件中的多个存储单元中选择目标存储单元。之后，通过将选择电压施加至属于矩阵的线的目标存储单元和位置相关的存储单元，编程或...

本发明提供了用于使半导体结构退火的系统和方法。例如，提供半导体结构。提供能够增加半导体结构对微波辐射的吸收的能量转换材料。在能量转换材料和半导体结构之间提供热反射器，热发射器能够反射来自半导体结构的热辐射。将微波辐射应用于能量转换材料和...

本发明提供了用于形成半导体器件的机制的实施例。该半导体器件包括衬底。该半导体器件也包括位于衬底上方的第一鳍和第二鳍。该半导体器件还包括分别横跨在第一鳍和第二鳍上方的第一栅电极和第二栅电极。此外，该半导体器件包括位于第一鳍和第一栅电极之间...

本发明提供了一种用于封装半导体器件的系统和方法。实施例包括：在载体晶圆上方形成通孔，以及在载体晶圆上方并且在第一两个通孔之间附接第一管芯。在载体晶圆上方并且在第二两个通孔之间附接第二管芯。封装第一管芯和第二管芯，以形成第一封装件，并且至...

本发明提供了包括反射引导层的图像传感器及其制造方法。公开了多种图像传感器结构以及形成图像传感器的方法。根据一个实施例，结构包括：衬底，包括光电二极管；衬底上的氧化物层，位于氧化物层中并与光电二极管相对应的凹槽；反射引导材料，位于每个凹槽...

本发明提供了一种方法，包括提供包含代表电路元件的多个单元的半导体器件的第一布局以及在处理器中提供包含多个单元的单元库。电路元件包括多个鳍式场效应晶体管（Fin-FET）。单元库中多个单元的每个都被标示上不同的标记以代表相应的鳍高度。方法...

本发明的实施例包括鳍式场效应晶体管(fin field-effect transistors,FinFET)的掺杂方法。在该方法中，形成一包含掺质的富掺质层(dopant-rich layer)在基板的半导体鳍板(semiconduct...

本发明公开了制造鳍式场效应晶体管器件的方法。该方法包括在衬底上方形成芯轴部件，以及实施第一切割去除芯轴部件以形成第一间隔。该方法还包括实施第二切割去除芯轴部件的一部分以形成线端和端部与端部间间隔。在第一切割和第二切割之后，使用具有第一间...

本发明提供了一种鳍式场效应晶体管（FinFET）及其形成方法。FinFET具有鳍部，鳍部具有在衬底上外延生长的一个或多个半导体层。在鳍部上方形成第一钝化层，并且在鳍部之间形成隔离区。对鳍部的上部进行重塑，并且在重塑后的部分上方形成第二钝...

本发明提供了3D集成电路及其形成方法。一种集成电路结构包括封装组件，该封装组件进一步包括具有第一孔隙率的非多孔介电层和位于该非多孔介电层上方并与该非多孔介电层接触的多孔介电层，其中多孔介电层的第二孔隙率高于第一孔隙率。接合焊盘穿透非多孔...

本发明提供了存储器布置以及激活存储器布置中的存储单元以为读操作和写操作中的至少一个做准备的技术和系统。存储器布置包括至少包含第一输入端和第二输入端的字线驱动器。第一输入端可操作地连接至第一解码器，而第二输入端可操作地连接至第二解码器。当...

本发明提供了具有纳米结构材料的超高真空低温泵装置。本发明的低温泵装置包括纳米结构材料以实现超高真空度。纳米结构材料可以与吸附材料或者固定粘合层混合，固定粘合层用于固定吸附材料。纳米结构材料的良好的热导性和吸附性能有助于降低工作温度并且延...

本发明提供了用于形成三维集成电路(3DIC)结构的机制的各种实施例。该3DIC结构包括接合至管芯的插入件和衬底。插入件具有连接到图案化的金属焊盘的穿透硅通孔(TSV)的导电结构和位于TSV的相对端的导电结构。图案化的金属焊盘具有嵌入其中...

本发明公开的一种半导体布置包括有源区，该有源区包括半导体器件。该半导体布置包括电容器，该电容器具有第一电极层、第二电极层以及位于第一电极层和第二电极层之间的绝缘层。至少三个介电层位于电容器的底面和有源区之间。本发明还公开了具有与有源区分...

本发明提供了一种集成电路器件，包括：半导体衬底、延伸到半导体衬底内的绝缘区以及伸出绝缘区之上的半导体鳍。绝缘区包括第一部分和第二部分，第一部分和第二部分位于半导体鳍的相对两侧上。该集成电路器件还包括位于半导体鳍的顶面和侧壁上的栅极堆叠件...

本发明提供了一种具有掩埋绝缘层的FinFET及其形成方法。公开了一种适用于FinFET并具有掩埋绝缘层的鳍结构。在示例性实施例中，半导体器件包括衬底，该衬底具有第一半导体材料并具有在该衬底上形成的鳍结构。鳍结构包括：邻近衬底的较低区域；...