制造鳍式场效应晶体管器件的方法技术
【技术实现步骤摘要】
制造鳍式场效应晶体管器件的方法
本专利技术一般地涉及半导体
，更具体地，涉及制造鳍式场效应晶体管（FinFET）器件的方法。
技术介绍
半导体集成电路（IC）产业已经经历了快速发展。在IC发展期间，功能密度（即，单位芯片区域上互连器件的数量）通常会随着几何尺寸（即，使用制造工艺可以制造的最小部件（或线））的减小而增加。这种按比例缩小工艺通常提供了不断提高生产效率及降低相关成本的优势。这种按比例缩小也增加了加工和制造IC的复杂性，为了实现这些优势，也需要IC加工和制造的类似发展。例如，引入诸如鳍式场效应晶体管（FinFET）的三维晶体管以替代平面晶体管。尽管现有的FinFET器件及制造FinFET器件的方法通常可以满足其预期目的，但是它们不能在所有方面完全符合要求。例如，期望一种用于形成鳍和隔离结构的更加灵活的集成方式。
技术实现思路
为了解决现有技术中所存在的缺陷，根据本专利技术的一方面，提供了一种用于制造鳍式场效应晶体管（FinFET）器件的方法，所述方法包括：接收衬底；在所述衬底上方形成多个芯轴部件；实施第一切割去除一个或多个芯轴部件以形成第一间隔；实施第二...
【技术保护点】
一种用于制造鳍式场效应晶体管（FinFET）器件的方法，所述方法包括：接收衬底；在所述衬底上方形成多个芯轴部件；实施第一切割去除一个或多个芯轴部件以形成第一间隔；实施第二切割去除一个或多个芯轴部件的一部分以形成线端和端部与端部间间隔；在所述第一切割和所述第二切割之后，使用具有所述第一间隔和所述端部与端部间间隔的所述芯轴部件作为蚀刻掩模，蚀刻所述衬底以形成鳍；沉积间隔件层以完全填充相邻鳍之间的间隔，并覆盖与所述第一间隔和所述端部与端部间间隔相邻的所述鳍的侧壁；蚀刻所述间隔件层以在与所述第一间隔和所述端部与端部间间隔相邻的所述鳍上形成侧壁间隔件；以及在所述第一间隔和所述端部与端...
【技术特征摘要】
2013.10.18 US 14/057,7891.一种用于制造鳍式场效应晶体管(FinFET)器件的方法，所述方法包括：接收具有硬掩模的衬底；在所述衬底上方形成多个芯轴部件；实施第一切割去除一个或多个芯轴部件以形成第一间隔；实施第二切割去除一个或多个芯轴部件的一部分以形成线端和端部与端部间间隔；在所述第一切割和所述第二切割之后，使用具有所述第一间隔和所述端部与端部间间隔的所述芯轴部件作为蚀刻掩模，蚀刻所述衬底以形成鳍；沉积间隔件层以完全填充相邻鳍之间的间隔，并覆盖与所述第一间隔和所述端部与端部间间隔相邻的所述鳍的侧壁；蚀刻所述间隔件层以在与所述第一间隔和所述端部与端部间间隔相邻的所述鳍上形成侧壁间隔件并且通过所述蚀刻暴露所述硬掩模；以及在所述第一间隔和所述端部与端部间间隔中形成隔离沟槽，其中，所述侧壁间隔件覆盖所述鳍并且所述间隔件层填充在所述相邻鳍之间的间隔中。2.根据权利要求1所述的方法，其中，在沉积所述间隔件层期间，部分地填充所述第一间隔和所述端部与端部间间隔，且完全填充两个相邻鳍之间的间隔。3.根据权利要求1所述的方法，其中，控制蚀刻所述间隔件层的蚀刻工艺以去除所述第一间隔和所述端部与端部间间隔中的所述间隔件层，并且保持两个相邻鳍之间的间隔基本上填充有所述间隔件层。4.根据权利要求1所述的方法，其中，通过使用所述第一间隔和所述端部与端部间间隔中的所述侧壁间隔件自对准蚀刻所述衬底来形成所述隔离沟槽。5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述隔离沟槽形成有比所述第一间隔和所述端部与端部间间隔的宽度更小的宽度。6.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：使用隔离介电层填充所述隔离沟槽；以及使所述隔离介电层凹进以在所述隔离沟槽中形成隔离部件。7.根据权利要求6所述的方法，进一步包括：在使用所述隔离介电层填充所述隔离沟槽之后，去除所述相邻鳍之间的所述间隔件层，以暴露所述鳍的侧壁。8.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：在形成所述芯轴部件之前，在所述衬底上方沉积硬掩模；以及在蚀刻所述衬底形成所述鳍期间，蚀刻所述硬掩模，使得所述硬掩模的一部分成为所述鳍的顶层。9.根据权利要求8所述的方法，其中，在形成所述隔离沟槽期间，所述硬掩模保护所述鳍。10.根据权利要求9所述的方法，其中，在形成所述隔离沟槽之后，去除所述硬掩模以暴露所述鳍的顶面。11.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：在蚀刻所述衬底以形成所述鳍之后，去除所述芯轴部件。12.一种用于制造鳍式场效应晶体管(FinFET)器件的方法，包括：接收具有硬掩模的衬底；在所述硬掩模...
【专利技术属性】
技术研发人员：谢铭峰，曾文弘，林宗桦，谢弘璋，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71
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