电路设计的移植方法和系统技术方案

本发明专利技术提供了工艺设计类型之间的电路设计移植，即用于将电路设计从第一工艺设计类型移植到第二工艺设计类型的一个或多个系统和技术。电路设计包括诸如晶体管的一个或多个组件，其根据诸如90nm处理环境的第一工艺设计类型进行布置和按大小排列。电路设计划分为一个或多个拓扑范畴，诸如电流镜拓扑范畴或差分对拓扑范畴。参数的有序集合被确定用于各自的拓扑范畴。基于一个或多个拓扑范畴缩放电路设计内的组件，以产生指定用于诸如50nm处理环境的第二工艺设计类型的移植电路设计。

【技术实现步骤摘要】
电路设计的移植方法和系统
本专利技术总的来说涉及电路设计，更具体地，涉及工艺设计类型之间的电路设计移植。
技术介绍
电路设计通常模拟具有一个或多个器件的电路的布局，诸如，一个或多个晶体管、OPAMPS、电流型逻辑块、模拟器件、级联电流镜等。这样的器件根据多种电路拓扑性质或器件参数(诸如沟道宽度、沟道长度、多晶到多晶间隔(poly-to-polyspacing)、多晶密度、或多种其他参数或约束)被放在并且按大小排列在电路设计内。根据工艺设计类型(诸如，90nm处理环境)产生电路设计。
技术实现思路
根据本专利技术的一个方面，提供了一种方法，包括：将电路设计划分为第一拓扑范畴和第二拓扑范畴，电路设计根据第一工艺设计类型指定；确定用于第一拓扑范畴的参数的第一有序集合和用于第二拓扑范畴的参数的第二有序集合；以及基于参数的第一有序集合和参数的第二有序集合，缩放电路设计内的一个或多个组件，以产生根据用于电路设计的第二工艺设计类型指定的移植电路设计。优选地，该方法包括：模拟第一拓扑范畴的电路拓扑行为，以识别用于参数的第一有序集合的第一性能特征。优选地，该方法包括：基于第一性能特征，标准化参数的第一有序集合，对应于第二工艺设计类型的新参数值的标准化参数满足第一工艺设计类型的旧参数值。优选地，确定参数的第一有序集合包括：识别用于第一拓扑范畴的参数的第一集合；以及基于尺寸分级标准，对参数的第一集合内的各个参数进行排序，以确定参数的第一有序集合。优选地，第一拓扑范畴包括电流镜拓扑和差分对拓扑中的至少一个。优选地，第一拓扑范畴包括电流镜拓扑，该方法包括：识别用于第一拓扑范畴内的包含物的Rout参数和电压阈值(Vth)参数中的至少一个。优选地，确定参数的第一有序集合包括：基于具有比用于电流镜拓扑的Vth参数更高等级的Rout参数，在参数的第一有序集合内将Rout参数排列在Vth参数之前。优选地，第一拓扑范畴包括差分对拓扑，该方法包括：识别用于第一拓扑范畴内的包含物的电压阈值(Vth)参数、跨导参数和电流开与电流关比率(Ion/Ioff)参数中的至少一个。优选地，确定参数的第一有序集合包括：基于具有比用于差分对拓扑的跨导参数更高等级的Vth参数，在参数的第二有序集合内将Vth参数排列在跨导参数之前。优选地，确定参数的第一有序集合包括：基于具有比用于差分拓扑的Ion/Ioff参数更高等级的跨导参数，在参数的第二有序集合内将跨导参数排列在Ion/Ioff参数之前。优选地，确定参数的第一有序集合包括以下至少一个：基于净空标准，对电压阈值(Vth)参数分级；基于Id与Vd灵敏度标准，对Rout参数分级；基于电压增益与电流标准，对跨导参数分级；或基于输出摆幅衰减标准，对电流开与电流关比率(Ion/Ioff)参数分级。优选地，缩放一个或多个组件包括：基于参数的第一有序集合内的第一参数，识别用于第一组件的初始沟道长度选择；以及基于参数的第一有序集合内的第二参数，优化用于第一组件的初始沟道长度选择，以确定用于移植电路设计的沟道长度。优选地，在参数的第一有序集合内，第一参数排列在第二参数之前。优选地，该方法包括：利用电流平方律技术，基于沟道长度确定用于第一组件的沟道宽度。优选地，缩放一个或多个组件包括：基于参数的第一有序集合内的电压阈值(Vth)参数，识别用于第一组件的第一初始沟道尺寸参数选择；基于参数的第一有序集合内的跨导参数，优化第一初始沟道尺寸参数选择，以产生第二初始沟道尺寸参数选择；以及基于参数的第一有序集合内的电流开与电流关比率(Ion/Ioff)参数，优化第二初始沟道尺寸参数选择，以确定用于移植电路设计的沟道尺寸参数。根据本专利技术的另一方面，提供了一种方法，包括：将模拟电路设计划分为电流镜拓扑范畴和差分对拓扑范畴，电路设计根据第一工艺设计类型指定；确定用于电流镜拓扑范畴的参数的第一有序集合和用于差分对拓扑范畴的参数的第二有序集合；以及基于参数的第一有序集合和参数的第二有序集合，缩放电路设计内的一个或多个组件，以产生根据用于模拟电路设计的第二工艺设计类型指定的移植电路设计。优选地，模拟电路设计包括级联电流镜、OPAMP和电流型逻辑(CML)中的至少一个。根据本专利技术的又一方面，提供了一种系统，包括：划分组件，配置为将电路设计划分为第一拓扑范畴和第二拓扑范畴，电路设计根据第一工艺设计类型指定；参数组件，配置为模拟第一拓扑范畴的电路拓扑行为以确定参数的第一有序集合，以及模拟第二拓扑范畴的电路拓扑行为以确定参数的第二有序集合；以及缩放组件，配置为基于参数的第一有序集合和参数的第二有序集合，缩放电路设计内的一个或多个组件，以产生根据用于电路设计的第二工艺设计类型指定的移植电路设计。优选地，第一拓扑范畴包括电流镜拓扑，并且划分组件配置为：识别用于第一拓扑范畴内的包含物的Rout参数和电压阈值(Vth)参数中的至少一个。优选地，第一拓扑范畴包括差分对拓扑，划分组件配置为：识别用于第一拓扑范畴内的包含物的电压阈值(Vth)参数、跨导参数和电流开与电流关比率(Ion/Ioff)参数中的至少一个。附图说明图1是示出根据一些实施例的将电路设计从第一工艺设计类型移植到第二工艺设计类型的方法的流程图。图2是根据一些实施例的用于构造模拟电路结构的一个或多个拓扑范畴(topologycategory)的图解。图3A是根据一些实施例的用于划分电路设计的系统的图解。图3B是根据一些实施例的将电路设计划分为电流镜拓扑范畴和差分对拓扑范畴的图解。图4是根据一些实施例的用于将电路设计从第一工艺设计类型移植到第二工艺设计类型作为移植电路设计的系统的图解。图5是根据一些实施例的识别初始沟道长度选择的图解。图6是根据一些实施例的优化初始沟道长度选择的图解。图7是根据一些实施例的用于电路设计的移植电路设计的电路设计布局尺寸估计的图解。图8是示例性计算机可读介质的图解，其中，可以包括配置为具体化本文阐述的一个或多个规定的处理器可执行指令。图9示出了可以实现本文阐述的一个或多个规定的示例性计算环境。具体实施方式现在根据附图描述所要求保护的主题，其中，贯穿说明书，相同的参考数字通常用于指相同的元件。在以下说明书中，为了说明的目的，阐述大量具体细节，以提供所要求保护的主题的理解。然而，明显地，可以在没有这些具体细节的情况下，实践所要求保护的主题。在其他情况下，以框图形式示出结构和器件，以便于描述所要求保护的主题。本文提供了用于将电路设计从第一工艺设计类型移植到第二工艺设计类型的一个或多个系统和技术。根据诸如90nm处理环境的第一工艺设计类型，设计诸如包括一个或多个组件(诸如晶体管、OPAMPS、电流型逻辑(CML)、级联电流镜等)的模拟电路的电路设计。根据设计约束、尺寸约束、间隔约束、或用于第一工艺设计类型的其他设计规则放置和按大小排列电路设计内的这些组件的结构。电路设计从第一设计工艺类型被移植到第二设计工艺类型，诸如50nm处理环境。然而，用于第一工艺设计类型的设计规则的满足不保证电路设计将满足用于第二工艺设计类型的设计规则。因此，如本文所提供的，电路设计有效地从第一工艺设计类型被移植到第二工艺设计类型，从而使得晶体管尺寸调整、性能分析、面积估计、以及新设计和布局的产生是直接和自动化的。图本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种方法，包括：将电路设计划分为第一拓扑范畴和第二拓扑范畴，所述电路设计根据第一工艺设计类型指定；确定用于所述第一拓扑范畴的参数的第一有序集合和用于所述第二拓扑范畴的参数的第二有序集合；以及基于所述参数的第一有序集合和所述参数的第二有序集合，缩放所述电路设计内的一个或多个组件，以产生根据用于所述电路设计的第二工艺设计类型指定的移植电路设计。

【技术特征摘要】
2013.10.31 US 14/069,2451.一种电路设计的移植方法，包括：将电路设计划分为第一拓扑范畴和第二拓扑范畴，所述电路设计根据第一工艺设计类型指定；确定用于所述第一拓扑范畴的参数的第一有序集合和用于所述第二拓扑范畴的参数的第二有序集合；模拟所述第一拓扑范畴的电路拓扑行为，以识别用于所述参数的第一有序集合的第一性能特征；基于所述第一性能特征，标准化所述参数的第一有序集合，对应于第二工艺设计类型的新参数值的标准化参数满足所述第一工艺设计类型的旧参数值；以及基于所述参数的第一有序集合和所述参数的第二有序集合，缩放所述电路设计内的一个或多个组件，以产生根据用于所述电路设计的所述第二工艺设计类型指定的移植电路设计。2.根据权利要求1所述的电路设计的移植方法，确定所述参数的第一有序集合包括：识别用于所述第一拓扑范畴的参数的第一集合；以及基于尺寸分级标准，对所述参数的第一集合内的各个参数进行排序，以确定所述参数的第一有序集合。3.根据权利要求1所述的电路设计的移植方法，所述第一拓扑范畴包括电流镜拓扑和差分对拓扑中的至少一个。4.根据权利要求1所述的电路设计的移植方法，所述第一拓扑范畴包括电流镜拓扑，所述方法包括：识别用于所述第一拓扑范畴内的包含物的Rout参数和电压阈值Vth参数中的至少一个，其中，所述Rout参数确定用于电流镜拓扑范畴的沟道长度或用于沟道长度的第一性能特征。5.根据权利要求4所述的电路设计的移植方法，确定所述参数的第一有序集合包括：基于具有比用于所述电流镜拓扑的Vth参数更高等级的Rout参数，在所述参数的第一有序集合内将所述Rout参数排列在所述Vth参数之前。6.根据权利要求1所述的电路设计的移植方法，所述第一拓扑范畴包括差分对拓扑，所述方法包括：识别用于所述第一拓扑范畴内的包含物的电压阈值Vth参数、跨导参数和电流开与电流关比率Ion/Ioff参数中的至少一个。7.根据权利要求6所述的电路设计的移植方法，确定所述参数的第一有序集合包括：基于具有比用于所述差分对拓扑的所述跨导参数更高等级的所述Vth参数，在所述参数的第二有序集合内将所述Vth参数排列在所述跨导参数之前。8.根据权利要求6所述的电路设计的移植方法，确定所述参数的第一有序集合包括：基于具有比用于所述差分拓扑的所述Ion/Ioff参数更高等级的所述跨导参数，在所述参数的第二有序集合内将所述跨导参数排列在所述Ion/Ioff参数之前。9.根据权利要求1所述的电路设计的移植方法，确定所述参数的第一有序集合包括以下至少一个：基于净空标准，对电压阈值Vth参数分级；基于Id与Vd灵敏度标准，对Rout参数分级；基于电压增益与电流标准，对跨导参数分级；或基于输出摆幅衰减标准，对电流开与电流关比率Ion/Ioff参数分级。10.根据权利要求1所述的电路设计的移植方法，缩放所述一个或多个组件包括：基于所述参数的第一有序集合内的第一参数，识别用于第一组件的初始沟道长度选择；以...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈威志，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71