本发明提供了半导体器件及其制造方法。一种半导体器件包括：管芯；焊盘，设置在管芯上并配置为通过连接在该焊盘上的导电迹线与凸块电连接；聚合物，设置在该管芯上方并被图案化以提供用于导电迹线穿过的路径；以及模塑件，围绕管芯和聚合物。模塑件的上表...

本发明提供了一种选择性地去除氮化硅的方法。该方法包括：提供在该晶圆的表面上具有氮化硅的晶圆；提供磷酸和含硅材料的混合物；以及将混合物传送至晶圆的表面以去除氮化硅。还提供了选择性地去除氮化硅的单晶圆蚀刻装置。

本发明提供了一种具有用于源极和漏极的支撑结构的纳米线MOSFET。提供了一种晶体管器件和用于形成纳米线场效应晶体管(FET)的方法。形成包括源极区和漏极区的器件层，其中源极区和漏极区由悬空的纳米线沟道连接。在源极区和漏极区的下面形成蚀刻...

本发明公开一种背照式传感器的制造方法，包括：提供半导体基材；形成光电流产生区在该半导体基材上；形成针札层包含注入区在该光电流产生区上；以及在形成该针札层之后，形成包含光学反射材料的传输栅极在该半导体基材上，其中该传输栅极形成在该光电流产...

本发明提供一种半导体组件及其制造方法，半导体组件包含半导体基材、栅极结构位于部分的基材上、以及数个应变结构位于此部分基材的任一边上且由不同于半导体基材的半导体材料所构成。此部分的基材为T字型，而具有一水平区与一垂直区，此垂直区自水平区而...

本发明提供了一种器件，包括：控制栅极结构、存储器栅极结构、第一间隔件、第二间隔件、第一漏极/源极区以及第二漏极/源极区，其中，控制栅极结构位于衬底上方；存储器栅极结构位于衬底上方，其中，电荷存储层形成在控制栅极结构和存储器栅极结构之间；...

本发明提供了一种器件，包括：控制栅极结构、存储器栅极结构、电荷存储层、第一间隔件、第二间隔件、第一漏极/源极区以及第二漏极/源极区，其中，控制栅极结构位于衬底上方；存储器栅极结构位于衬底上方，其中，存储器栅极结构包括存储器栅电极和存储器...

本发明提供了一种确定用于制造集成电路的部件层的布局设计是否为N‑可染色的方法，包括从布局设计的布局单元中标识出候选单元组。候选单元组中的每个候选单元都是基础布局单元组中的一个基础布局单元或者复合布局单元组中的一个复合布局单元，并且复合布...

本发明提供了形成电感器结构的机制的实施例。电感器结构包括衬底和在衬底上方形成的第一介电层。电感器结构包括在第一介电层中形成的第一金属层和位于第一金属层上方的第二介电层。电感器结构进一步包括在第一介电层上方形成的磁性层，并且磁性层具有顶面...

本发明提供了一种半导体器件结构和一种半导体器件结构的制造方法。在衬底上方形成第一器件层，其中，在第一器件层中图案化对准结构。在第一器件层上方提供介电层。介电层被图案化以包括位于对准结构上方的开口。在介电层上方形成第二器件层。使用掩模层来...

本发明提供了存储器单元的击穿保护。本发明公开了一种包括下列操作的方法。在复位操作期间，将第一电压施加至一行存储器单元中的每个存储器单元的存取晶体管的栅极，其中，存取晶体管的第一源极/漏极电连接至同一存储器单元中的阻变式随机存取存储器（R...

一种器件包括两个BSI图像传感器元件和第三元件。第三元件使用元件级堆叠方法接合在两个BSI图像传感器元件之间。每个BSI图像传感器元件都包括衬底和设置在衬底的第一侧面上方的金属叠层。BSI图像传感器元件的衬底包括光电二极管区，光电二极管...

本发明涉及一种具有轴偏移或横向偏移的顶电极通孔（TEVA）和底电极通孔（BEVA）的电阻式随机存取存储器（RRAM）单元架构。具有同轴的TEVA和BEVA的传统RRAM单元能够引起高接触电阻变化率。本发明中的轴偏移的TEVA和BEVA促...

本发明提供了一种单片堆叠集成电路(IC)，该电路在它的其中一个上层中具有高良率层(KGL)测试电路和扫描段。该测试电路包括连接到扫描段并连接到IC的第二层的多个输入端、输出端和多路复用器。该测试电路还包括多个控制元件，使得堆叠IC的扫描...

本发明提供了流通池和制造流通池的方法。该方法包括组合三个部分：第一衬底、第二衬底以及位于第一衬底和第二衬底之间的微流体流道，该微流体流道具有光刻胶干膜构成的壁。在第一衬底或第二衬底中形成有用于入口和出口的通孔。通过纳米压印光刻工艺将图案...

本发明公开的一种半导体器件包括具有第一线性表面和第一非线性表面的沟道。第一非线性表面限定在约80度至约100度的第一外角和在约80度至约100度的第二外角。所述半导体器件包括覆盖位于源极区和漏极区之间的沟道的介电区。所述半导体器件包括覆...

一种方法包括：形成半导体鳍状件，在该半导体鳍状件的顶面和侧壁上形成伪栅极，以及去除该伪栅极以形成凹槽。该半导体鳍状件暴露于该凹槽。在去除该伪栅极之后，对该半导体鳍状件实施氧化以形成位于该凹槽中的富集的含锗鳍状件和位于该富集的含锗鳍状件的...

本发明为形成沟槽结构的方法，包括形成一种填充有可流动介电层的浅沟槽隔离（STI）结构，包括实施注入，以在可流动介电层的上部生成通道。该通道使热退火中的氧源能够在将可流动介电层的SiONH网状物转变为SiOH和SiO的网状物的热退火期间到...

本发明提供一种半导体装置。上述半导体装置包括一基板，包括一电路区和一密封环区，该密封环区围绕该电路区；一第一介电层，设置于该密封环区的上方，该第一介电层具有一底部和位于该底部上方的一顶部；一第二介电层，设置于该第一介电层的上方，其中该第...

本发明提供了一种形成光电二极管的方法。该方法包括：在衬底上方形成与第一像素相对应的第一底电极和与第二像素相对应的第二底电极；在衬底上方形成介电层；对衬底上方的介电层进行图案化；在衬底上方形成光转换层；以及在光转换层上方形成顶电极；在顶电...