一种三端口三维位单元，通常包括设置在第一层级上的单元的读部分。读部分包括多个读端口元件。三端口位单元还包括设置在相对于第一层级垂直堆叠的第二层级上单元的写部分。第一层级和第二层级使用至少一个通孔耦合。写部分包括多个写端口元件。本发明还提...

本发明提供了一种半导体器件，该器件包括：第一半导体材料的衬底；具有堆叠在衬底上的第一部分、第二部分和第三部分的鳍部件；形成在衬底上并且设置在鳍部件的两侧上的隔离部件；包括所述第二半导体材料、设置在第二部分的凹进的侧壁上、限定位于半导体氧...

本发明提供了存储器件及其制造方法。一种器件包括：位于衬底上方的控制栅极结构，位于衬底上方的存储器栅极结构，其中，在控制栅极结构和存储器栅极结构之间形成电荷存储层；沿着存储器栅极结构的侧壁的第一间隔件；沿着控制栅极结构的侧壁的第二间隔件；...

本发明公开了一种被配置为提供高散热性并提高击穿电压的半导体器件，该半导体器件包括衬底、位于衬底上方的埋氧层、在衬底中位于埋氧层下方的掩埋n+区域以及位于埋氧层上方的外延层。外延层包括p阱、n阱以及介于p阱和n阱之间的漂移区。该半导体器件...

本发明公开了一种集成系统操作方法，该方法包括以下步骤：通过计量装置测量衬底的膜以获得膜信息。将衬底从计量装置移至邻近转移装置的工艺装置。将膜信息发送至工艺装置。根据膜信息对衬底施加膜处理。本发明还涉及集成系统以及膜处理方法。

本发明提供了一种半导体器件，包括衬底、至少一个逻辑器件和分裂栅极存储器器件。至少一个逻辑器件位于衬底上。分裂栅极存储器器件位于衬底上并包括存储器栅极和选择栅极。存储器栅极和选择栅极彼此相邻且彼此电隔离。选择栅极的顶部高于存储器栅极的顶部...

上述实施例提供了形成具有低电阻的接触件结构的机制。具有多个子层的应变材料堆叠件用于降低接触件结构下面的导电层的肖特基势垒高度(SBH)。应变材料堆叠件包括SiGe主层、梯度SiGe层、GeB层、Ge层和SiGe顶层。GeB层将肖特基势垒...

本发明提供了半导体器件的FIN结构。一种诸如鳍式场效应晶体管(FinFET)的半导体器件的鳍结构及其制造方法。在一个实施例中，在衬底中形成沟槽，并沿着沟槽的侧壁形成内衬，其中，相邻沟槽之间的区域限定了鳍。介电材料形成在沟槽中。鳍的部分半...

本发明提供了一种单元布局，包括用于VDD电源的第一金属线，第一金属线包括连接至第一金属线并且垂直于第一金属线的第一凸出件。第二金属线是用于VSS电源，并且包括连接至第二金属线并且垂直于第二金属线的第二凸出件。单元布局包括上单元边界、下单...

本发明提供了在半导体器件中形成图案的方法。根据一些实施例，该方法包括提供衬底和位于衬底上方的图案化目标层；在图案化目标层上方形成一个或多个心轴图案；通过去除第一心轴图案以及去除光刻胶层的覆盖第一心轴图案的部分，在光刻胶层中形成开口；形成...

本发明提供了一种纳米线场效应晶体管（FET）器件以及用于形成纳米线FET器件的方法。形成包括源极区和漏极区的纳米线FET。纳米线FET还包括连接源极区和漏极区的纳米线。在源极区上形成源极硅化物，并且在漏极区上形成漏极硅化物。源极硅化物由...

一种半导体器件包括：载具；管芯，包括第一面和第二面；多个第一导电凸块，设置在管芯的第二面和载具之间，管芯倒装接合在载具上；以及成型物，设置在载具上方并环绕管芯，其中，成型物包括设置在管芯的第一面上的凹进部，从而保持第一面的一部分未被成型...

本发明的一个实施例是一种结构，包括管芯以及至少横向地密封管芯的密封剂，在该管芯的表面上具有焊盘。穿过密封剂露出焊盘。该结构进一步包括位于密封剂和管芯上方的第一介电层、位于第一介电层上方的第一导电图案、以及位于第一导电图案和第一介电层上方...

本发明提供了形成具有外延隔离部件的图像传感器器件的结构。提供了形成图像传感器器件的结构的实施例。图像传感器器件包括具有正面和背面的衬底。图像传感器还包括形成在衬底中的辐射感测区域。辐射感测区域可用于感测通过背面进入衬底的入射光。辐射感测...

本发明提供了用于制造半导体器件结构的系统和方法。示例性半导体器件结构包括由锗化合物形成的沟道层，沟道层具有锗浓度B且形成在具有锗浓度A的半导体衬底上，其中衬底的锗浓度A小于沟道层的锗浓度B。该结构还包括为使沟道层与金属栅极分隔而形成的覆...

一种结构，包括：衬底、位于衬底上的栅极结构，位于所述衬底上方的介电层和位于所述栅极结构的栅电极上方的盖。介电层与栅电极的顶面共平面。栅极结构在第一和第二栅极结构侧壁之间延伸栅极横向距离。盖在第一和第二盖侧壁之间延伸。第一盖部分从栅极结构...

本发明提供了形成电压特性改进的电阻式随机存取存储器及其形成方法。本发明提供电阻式随机存取存储器(RRAM)结构及其形成方法。该RRAM结构包括具有允许在操作过程中形成与顶部电极自对准的导电通路的凸起台阶部分的底部电极。该凸起台阶部分的倾...

本发明提供了用于制造半导体器件结构的系统和方法。一种示例性半导体器件结构包括第一器件层、第二器件层和层间连接结构。第一器件层包括第一导电层和在第一导电层上形成的第一介电层，第一器件层形成在衬底上。第二器件层包括第二导电层，第二器件层形成...

本发明提供了一种半导体封装件，包括：接触焊盘；位于接触焊盘外部的器件；以及位于接触焊盘上的焊料凸块。该器件具有与接触焊盘相对应的导电接触焊盘。该焊料凸块将接触焊盘与导电接触焊盘连接。焊料凸块包括从焊料凸块的顶部至接触焊盘的高度以及宽度，...

本发明提供了与清洗晶圆的机制相关的实施例。用于晶圆清洗的方法包括通过湿台清洗操作清洗晶圆。该方法也包括此后通过单晶圆清洗操作清洗每个晶圆。此外，也提供了用于增强上述方法的性能的清洗装置。