一种堆叠的集成电路包括垂直连接在一起的多层。多层水平连接结构被制造于层的衬底内。从衬底之上观察时水平连接结构的层具有不同的图案。本发明还涉及用于堆叠的CMOS器件的连接技术。

本发明提供了一种制造闪存半导体器件的方法以及根据该方法制造的闪存半导体器件。在一个实施例中，制造电阻式存储阵列的方法包括：提供半导体衬底，其具有至少一个存储单元阵列区域和至少一个分流区域；在存储单元阵列区域和分流区域上形成控制栅电极；沉...

本发明提供了一种封装件，该封装件包括具有导电层的衬底，并且导电层包括暴露部分。管芯堆叠件设置在衬底上方并且电连接至导电层。高导热系数材料设置在衬底上方并且接触导电层的暴露部分。封装件还包括凸轮环，凸轮环位于高导热系数材料上方并且接触高导...

本发明提供了一种电路，包括：时钟触发块和逻辑电路。逻辑电路配置为基于逻辑电路接收的使能信号的逻辑电平而将信号输出至时钟触发块。时钟触发块配置为响应于时钟触发块接收的时钟信号和从逻辑电路接收的信号而输出输出信号。本发明还涉及低功率内部时钟...

本发明的实施例为形成半导体器件的方法和图案化半导体器件的方法。一个实施例为形成半导体器件的方法，该方法包括在半导体器件层上方形成第一硬掩模层，第一硬掩模层包括含金属材料，在第一硬掩模层上方形成第二硬掩模层，以及在第二硬掩模层上方形成第一...

一种方法包括在目标层上方形成芯轴层；以及蚀刻芯轴层以形成芯轴。芯轴的顶部宽度大于相应的底部宽度，并且芯轴限定位于芯轴层中的第一开口。第一开口呈I形并且包括两个平行部分和互连两个平行部分的连接部分。在第一开口的侧壁上形成间隔件。间隔件填充...

本发明提供了一种使用改进的焊料接合结构的半导体器件封装件及其形成方法。该封装件包括具有比顶部更薄的底部的焊料接合件。底部由模塑料围绕而顶部未由模塑料围绕。该方法包括使用离型膜在中间焊料接合件周围沉积并且形成液态模塑料，和然后蚀刻模塑料以...

一种方法，包括在图案化部件的顶面和侧壁上形成间隔件层，其中，图案化部件在基础层的上面。形成保护层以接触间隔件层的顶面和侧壁表面。保护层的水平部分被移除，其中，在移除之后保留保护层的垂直部分。间隔件层被蚀刻以移除间隔件层的水平部分，其中，...

讨论了在电子束光刻系统中具有反射镜阵列的数字图案发生器(DPG)的系统和方法。反射镜阵列包括第一反射镜库和第二反射镜库，其中组合逻辑结构插入到第一反射镜库和第二反射镜库之间。输出数据线从第一反射库镜延伸到组合逻辑结构。承载与第二反射镜库...

提供了一种半导体结构。该半导体结构包括第一半导体器件。第一半导体器件包括第一有源区域，第一有源区域具有第一掺杂区域和位于第一掺杂区域的上方的第二掺杂区域。第二掺杂区域包括第一底部和第一侧壁。第一底部包括第一底部内表面、第一底部外表面、第...

本发明提供了用于鲁棒金属化剖面的双层硬掩模。通过形成具有不同密度的两个或多个硬掩模的层形成鲁棒金属化剖面。多层金属硬掩模在例如50nm及以下的小部件尺寸工艺中尤其有用。下层具有较高密度。通过这种方式，由下层提供足够的工艺窗口并且同时，由...

本发明描述了半导体器件及其制造方法，半导体器件包括含有至少一个鳍的衬底、形成在至少一个鳍的顶面上的至少一个栅极堆叠件、形成在至少一个鳍的顶面上的第一层间介电(ILD)层、以及至少形成在至少一个栅极堆叠件的顶面上的应变层，其中，应变层配置...

本发明提供了一种封装件，该封装件包括底部衬底和位于底部衬底上方并且接合至底部衬底的底部管芯。含金属粒子复合物材料位于底部管芯的顶面的上面，其中，含金属粒子复合物材料包括金属粒子。模制材料将底部管芯的至少下部模制在其中，其中，模制材料位于...

本发明提供了一种晶体管器件和形成场效应晶体管器件的方法。示例性晶体管器件包括半导体衬底和器件层。器件层包括通过沟道区连接的源极区和漏极区，沟道区包括纳米线的一部分。通过在半导体衬底上方提供牺牲层来形成沟道区。纳米线形成在牺牲层上方，且蚀...

本发明提供了具有轮廓化功函金属栅电极的半导体器件。半导体结构包括在绝缘层的开口中形成的金属栅极结构。该金属栅极结构包括栅极介电层、阻挡层、位于栅极介电层和阻挡层之间的功函金属层、以及位于阻挡层上方的功函调整层，其中，功函金属具有有序的晶...

本发明提供了用于半导体器件的互连结构。提供了互连件以及形成半导体器件的互连件的方法。形成具有不同宽度的导线。在设计包括覆盖通孔的地方使用较宽的导线，以及在不包括覆盖通孔的地方使用较窄的导线。形成覆盖介电层，并且形成沟槽和通孔以延伸穿过覆...

根据实施例，在使用过滤膜过滤工艺流体之前，使用密封材料密封过滤膜。密封材料是氟基聚合物或具有交联基团的聚合物。一旦已经将密封材料放置为与过滤膜接触，可以使用物理或化学工艺引发交联反应以交联密封材料并将过滤膜密封到密封材料内，从而使过滤膜...

通过利用会分解的小基团在光刻胶曝光和后曝光烘烤中降低了收缩和质量损失。可选地，可以利用不会分解的大基团或者会分解的小基团和不会分解的大基团的组合。另外，可以利用极性官能团以便降低反应物穿过光刻胶的扩散。本发明还涉及光刻胶和方法。

根据实施例，本发明提供了一种过滤诸如负性显影剂的工艺流体的方法。将负性显影剂引入至包括氟基聚合物的过滤膜。然后通过过滤膜过滤负性显影剂。通过使用这些材料和方法，来自过滤膜的聚乙烯在显影期间将不会污染光刻胶并且减少由聚乙烯污染引起的缺陷。

一种晶圆研磨系统，包括在一个端部具有吸持板的机械臂和在机械臂的范围内的工作台。工作台的上表面具有用于吸持和保持晶圆的真空表面。连接到机械臂的推动器在吸持板的外围延伸。推动器使晶圆在工作台的上表面上变平，从而允许工作台通过吸持力来保持晶圆...