根据一些实施例，本发明提供了一种半导体器件。该半导体器件结构包括衬底，且该衬底具有器件区和边缘区。半导体器件结构也包括形成在衬底上的硅层和形成在硅层上的晶体管。晶体管形成在衬底的器件区。半导体器件结构还包括形成在硅层中的金属环。该金属环...

本发明提供了一种半导体结构，该半导体结构包括具有第一表面的半导体层，以及限定位于半导体层的第一表面上方的金属栅极的层间介电质(ILD)。金属栅极包括高k介电层、阻挡层和功函金属层。阻挡层中位于金属栅极的侧壁处的第一部分的厚度远小于阻挡层...

本发明提供了一种封装件，其中的一个实施例是包括模塑料的封装件，模塑料横向包封具有接触焊盘的芯片。第一介电层形成在模塑料和芯片上面，并且具有暴露接触焊盘的第一开口。第一金属化层形成在第一介电层上面，其中，第一金属化层填充第一开口。第二介电...

提供一种包括监控单元、处理单元以及外围单元的系统。每个处理单元都链接至监控单元，并且每个外围单元也链接至监控单元。每个处理单元被配置成通过监控单元将请求发送到至少一个外围单元并且随后从该至少一个外围单元接收响应。监控单元被配置成测量和存...

本发明是3DIC密封环结构及其形成方法，本发明提供了一种半导体器件，包括第一半导体芯片，第一半导体芯片包括第一衬底、多个第一介电层以及多条导线，并且多条导线形成在第一衬底上方的第一介电层中。半导体器件还包括第二半导体芯片，第二半导体芯片...

本发明公开了用于存储单元的单元布局，诸如，用于三元内容可寻址存储器（TCAM）。一些单元布局包括阱带结构。单元布局可以沿着布局顺序地包括p掺杂阱、n掺杂阱、以及p掺杂阱。另一个单元布局可以沿着布局顺序地包括p掺杂阱、n掺杂阱、p掺杂阱、...

本发明提供了用于制造具有不同阈值电压的FinFET的系统和方法。本发明提供了用于在衬底上制造半导体器件结构的系统和方法。在衬底上形成第一鳍结构。在衬底上形成第二鳍结构。在第一鳍结构和第二鳍结构上形成第一半导体材料。在第一鳍结构和第二鳍结...

一种封装件包括第一封装组件和第二封装组件。第一封装组件包括位于第一封装组件的表面处的第一电连接件以及位于第一电连接件的表面上的第一焊料区域。第二封装组件包括位于第二封装组件的表面处的第二电连接件以及位于第二电连接件的表面上的第二焊料区域...

本发明公开了一种半导体器件金属化系统和方法。在一些实施例中，用于半导体器件的金属化系统包括：主机机架以及接近主机机架设置的多个模块。多个模块之一包括物理汽相沉积（PVD）模块，并且多个模块之一包括紫外光（UV）固化模块。

本发明提供了一种具有翘曲控制结构的半导体器件封装件。在散热器盖的粘接面和半导体封装件的顶面之间，除散热器粘接层之外，还提供了若干个翘曲控制粘接层。该翘曲控制粘接层设置在散热器盖的粘接面的拐角区域上以减少半导体器件封装件的高温翘曲。

本发明提供了清洁模块、清洁装置以及光掩模的清洁方法。在清洁光掩模的方法中，从擦拭带供带盘开始引导擦拭带、经过清洁头、然后到达擦拭带收带盘上。经过清洁头的一段擦拭带接触光掩模的表面上的粘合剂残留物。在光掩模和该段擦拭带之间进行相对运动以从...

本发明提供了一种使用考虑不同电路拓扑结构生成的输入波形特征化单元。在一些实施例中，在通过至少一个处理器所执行的方法中，考虑驱动单元的前级驱动器的不同电路拓扑结构以得到相同输入转换特性，通过至少一个处理器关于输入转换特性来特征化单元。

本发明提供了一种鳍式场效应晶体管(FinFET)及其制造方法。在实施例中，在衬底中形成沟槽，其中，邻近沟槽之间的区域限定了鳍。在沟槽中形成介电材料。掺杂衬底的一部分且形成高掺杂剂浓度的区域和低掺杂剂浓度的区域。形成栅极堆叠，去除鳍的部分...

本发明提供了一种管芯和一种衬底。该管芯包括至少一个集成电路芯片，且该衬底包括至少部分延伸穿过该衬底的导电柱的第一子集和第二子集。导电柱的第一子集的每个都包括突出于衬底的表面的凸块焊盘，且导电柱的第二子集的每个都部分形成凹进衬底的表面中的...

本发明涉及用于通过在未组装的IC单元上实施结构有效性检查来形成多图案化光刻（MPL）兼容的集成电路布局的方法和装置以加强避免组装后的MPL冲突的设计约束。在一些实施例中，通过生成具有多图案化设计层的多个未组装的集成电路（IC）单元实施该...

根据示例性实施例，提供了一种芯片。该芯片包括具有第一阈值的第一垂直器件和具有第二阈值的第二垂直器件。第一垂直器件包括第一源极；位于第一源极上方的第一沟道；位于第一沟道上方的第一漏极；邻近第一沟道的第一导电层；以及邻近第一导电层的第一栅极...

本发明涉及一种阻变式随机存取存储器(RRAM)器件结构，其中，在沉积HK HfO电阻转换层之前沉积Ti金属覆盖层。这里，覆盖层位于HK HfO层的下方，从而不会在RRAM顶电极蚀刻期间造成损伤。覆盖层的外侧壁与HfO层的侧壁基本对齐，从...

本发明提供了一种形成具有改进的隔离结构的集成电路的方法，该方法包括形成部分埋置在衬底中的隔离结构。隔离结构的部分从衬底的上表面突出。部分地去除隔离结构，从而形成改进的隔离结构。改进的隔离结构的上表面低于衬底的上表面。形成部分位于衬底上且...

本发明提供了形成半导体器件结构的方法的实施例。该方法包括在半导体衬底上方形成栅极堆叠件以及在栅极堆叠件的侧壁上方形成密封结构。该方法还包括在半导体衬底、密封结构和栅极堆叠件上方形成伪遮蔽层。该方法还包括在伪遮蔽层上实施离子注入工艺以在半...

本发明提供了一种互连件和形成用于半导体器件的互连件的方法。通过处理介电层的上表面以产生高密度层来形成互连件。例如，处理可以包括使用六甲基二硅氮烷(HMDS)、三甲基硅烷基二乙胺(TMSDEA)或乙酸三甲基硅酯(OTMSA)生成高密度单层...