半导体退火方法和系统使用真空泵以在退火腔室中产生真空环境，从而去除不期望的气体元素的影响。控制系统从退火腔室中获得测量的压力和温度以控制加热元件和真空泵的操作，从而保持工艺的完整性。本发明还提供了利用真空环境的半导体退火方法。

一种光刻系统包括可变容积缓冲罐、连接至缓冲罐的分配系统以及配置为从缓冲罐的顶部空间释放气体，而阻挡从顶部空间释放液体的阀。存储容器具有位于底部的开口并且通过该开口排放至缓冲罐。缓冲罐具有足以接收存储容器的全部内含物的存储容量。该系统在防...

本发明实施例提供了半导体布置及其形成方法。半导体布置包括与第一有源区域的基本平坦的第一顶面相接触的导电接触件，接触件位于均具有基本垂直的外表面的第一对准间隔件和第二对准间隔件之间并且与第一对准间隔件和第二对准间隔件相接触。相比于形成在不...

本发明提供了一种超紫外线光刻系统。该超紫外线光刻系统包括将掩模的图案成像到晶圆上的投影光学系统。该投影光学系统包括两个到五个平面镜。该两个到五个平面镜设计并配置为具有小于约0.50的数值孔径，晶圆上的图像域尺寸大于或等于约20mm，并且...

本发明提供了一种半导体器件结构和制造方法。该方法包括在半导体衬底上方形成导电柱。该方法还包括在导电柱上方形成焊料层。该方法还包括在焊料层上方形成水溶性助焊剂。此外，该方法包括使焊料层回流以在导电柱上方形成焊料凸块并在焊料层回流期间在导电...

本发明提供了一种自适应烘烤系统，包括：配置为接收晶圆的烘烤腔室，以及配置为支持晶圆的加热元件。自适应烘烤系统还包括配置为接收与加热元件和晶圆相关的温度信息的控制器，其中，控制器还配置为在烘烤工艺期间响应于温度信息调整由加热元件提供的热量...

本发明涉及一种电阻式随机存取存储器(RRAM)器件结构，RRAM器件结构包括位于下方的金属互连件和RRAM单元的底部电极之间的导电蚀刻停止层的薄单层。导电蚀刻停止层提供了结构上的简易性，并且该层的蚀刻选择性提供对下方各层的保护。可使用干...

本发明提供了一种三维双端口位单元，其通常包括锁存器中设置在第一堆积层上的第一部分，其中，第一部分包括多个第一端口元件。锁存器的第二部分设置在第二堆积层上，第二堆积层使用至少一个通孔与第一堆积层垂直堆叠，其中，第二部分包括多个第二端口元件...

一种半导体器件包括：位于衬底上的第一前段制程(FEOL)密封环，密封环包括环形鳍状结构；在衬底上形成的集成电路，通过第一密封环限制集成电路；位于密封环和集成电路之间的隔离区，隔离区包括一组鳍结构，每个鳍结构都面向相同的方向。本发明还提供...

一种用于双端口SRAM的升压系统包括比较器和升压电路。比较器被配置为比较第一端口的第一行地址和第二端口的第二行地址，并且输出第一使能信号。升压电路被配置为根据第一使能信号提高第一电压源和第二电压源之间的电压差。

一种封装件包括第一封装件，第一封装件包括器件管芯、在其中模制器件管芯的模塑料、穿透模塑料的通孔、以及位于模塑料的相对两侧上的多条第一重分布线(RDL)和多条第二RDL。通孔将多条第一RDL中的一条电连接至多条第二RDL中的一条。封装件还...

使用位于第一封装件和第二封装件之间的结构元件将第一封装件接合至第二封装件以提供结构支撑。在实施例中，结构元件是板或者一个或多个导电球。在放置结构元件之后，将第一封装件接合至第二封装件。本发明还涉及半导体封装件及方法。

封装件包括器件管芯、位于器件管芯下面的多个第一重布线、位于器件管芯上面的多个第二重布线、以及与多个第二重布线位于相同金属层内的金属焊盘。激光标记位于金属焊盘上面的介电层内。激光标记与金属焊盘重叠。

本发明提供了一种嵌入式FinFET SRAM结构及其制造方法。该嵌入式FinFET SRAM结构包括SRAM单元的阵列。该SRAM单元具有沿第一方向的第一间距和沿第二方向的第二间距，其中第二方向垂直于第一方向。第一和第二间距被配置为以便...

本发明提供了一种延迟线电路，包括多个延迟单元，多个延迟单元配置为接收输入信号并改变输入信号以产生第一输出信号。延迟线电路也包括可变延迟线单元，可变延迟线单元包括：输入端，配置为接收第一输出信号；输出端，配置为输出第二输出信号；第一线，位...

本发明提供了一种半导体器件及其制造方法。半导体器件包括衬底、位于衬底上的栅极结构、在衬底中邻近一对间隔件的源极/漏极区、紧邻栅极结构并上覆衬底的蚀刻停止层、延伸到源极/漏极区中并与栅极结构部分重叠的接触塞、位于上覆衬底的蚀刻停止层上方并...

本发明提供了充电泵初始化器件、具有其的集成电路及操作方法。在充电泵的初始化阶段，将输入信号提供给充电泵的电容器的输入电极和充电泵的初始化器件。初始化信号被提供给充电泵的初始化器件。初始化器件将输出信号提供给电容器的输出电极。输出信号具有...

本发明提供了用于形成电接触件的方法。在半导体衬底上方形成第一FET和第二FET。在介电层中蚀刻开口，其中，介电层形成在衬底上方，并且该开口延伸至FET的源极和漏极区。在FET的源极和漏极区上方形成硬掩模。去除硬掩模的第一部分，其中，第一...

在本发明中提供了一种半导体器件及其制造方法。在实施例中，在第一衬底上方形成一个或多个钝化层。在钝化层中形成凹槽且在凹槽中形成一个或多个导电焊盘。在钝化层和导电焊盘之间形成一个或多个阻挡层。将第一衬底的导电焊盘与第二衬底的导电焊盘对准，并...

本发明涉及场效应晶体管。用于场效应晶体管的示例性结构包括：衬底；设置在衬底中的源极区和漏极区；位于衬底上方的包括侧壁和顶面的栅极结构，其中，栅极结构介于源极区和漏极区之间；位于栅极结构的顶面的至少一部分上方的接触蚀刻停止层(CESL)；...