本发明提供了一种器件，该器件包括：衬底、鳍结构、第一源极/漏极区、以及第二源极/漏极区；其中，衬底包括硅；鳍结构包括由硅形成且由隔离区环绕的下部、由碳化硅锗形成的中部、由硅形成的上部和在中部与上部之间形成的碳化硅层，其中，中部由氧化物层...

本发明涉及一种使用减少空隙的预填充工艺形成的金属互连层及其相关联的方法。在一些实施例中，金属互连层具有设置在衬底上方的介电层。具有水平面以上的上部和水平面以下的下部的开口向下延伸穿过介电层。第一导电层填充开口的下部。上部势垒层设置在第一...

根据本发明所述的各个实施例，提供了一种器件，该器件包括控制电路、时间数字转换器电路、和选通电路；其中，时间数字转换器电路具有连接至控制电路的第一输入端的第一输出端；选通电路具有连接至第一信号的第一输入端、连接至第二信号的第二输入端和连接...

本发明提供了一种或多种图像传感器和用于形成这些图像传感器的技术。一种图像传感器包括配置为检测光的光电二极管。该图像传感器包括校准区域，将该校准区域配置为检测用于图像再现的色彩电平，诸如将校准区域配置为检测黑电平的黑校准区域，该黑电平用于...

本发明公开了形成半导体器件和鳍式场效应晶体管(FinFET)的方法以及FinFET器件。在一些实施例中，形成半导体器件的方法包括在衬底上方形成含有AlInAsSb的阻挡材料，以及在阻挡层上方形成晶体管的沟道材料。

本发明提供了一种电压源单元，包括稳压单元、分压器和第一电流镜。稳压单元被配置为接收第一电压信号和第二电压信号，并且被配置为生成第三电压信号。分压器连接在第一电流镜和稳压单元之间，并且控制第二电压信号。第一电流镜连接至稳压单元、输入电压源...

本发明提供了一种半导体器件及其形成方法。该半导体器件包括衬底，以及形成在衬底中的源极区和漏极区。该半导体器件还包括形成在源极区和漏极区之间的衬底的凹槽中的杂质扩散停止层，其中，杂质扩散停止层覆盖凹槽的底部和侧壁。该半导体器件还包括形成在...

本发明提供了半导体器件结构及制造方法。该半导体器件结构包括半导体衬底和位于半导体衬底上方的介电层。该半导体器件结构还包括位于介电层上方的导电迹线。该半导体器件结构还包括位于导电迹线上方的导电部件，并且导电部件的宽度基本上等于或大于导电迹...

本发明涉及具有设置在共源极区域和共擦除区域之间的、带有基本平坦的顶面的共源极氧化物层的嵌入式闪存单元及其形成方法。在一些实施例中，该嵌入式闪存单元具有半导体衬底，该半导体衬底带有通过第一沟道区域与第一漏极区域间隔开且通过第二沟道区域与第...

本发明提供了一种半导体器件，该半导体器件包括具有源极/漏极区的晶体管。导电接触件设置在源极/漏极区上方。硅化物元件设置在导电接触件下方。硅化物元件具有无角的截面轮廓。在一些实施例中，硅化物元件可具有近似弧形的截面轮廓，例如，类椭圆形的轮...

本发明提供了一种用于半导体器件的封装件衬底，该封装件衬底包括衬底核心和设置在衬底核心上方的材料层。该封装件衬底包括设置在衬底核心和材料层中的鱼眼孔径。

本发明提供了一种封装件，包括：器件管芯；模制材料，用于在其中模制器件管芯；通孔，基本穿过模制材料，其中，通孔包括一端。所述一端为锥形且包括圆滑的侧壁表面。该封装件还包括重分布线，电连接至通孔。

本发明提供了一种在进行低温注入工艺之后，用于将晶圆加热至期望温度的高产量系统，包括：注入室，配置为均匀地加热单个晶圆的晶圆加热室，以及通过系统转移晶圆的多个机械臂。在制造工艺的各个阶段，机械臂同时工作于多个晶圆，并且因此，该系统提供了高...

一种IC器件制造工艺实现了材料的平坦凹进，该材料初始在衬底上的高度变化。方法包括：形成底部抗反射涂层(BARC)，烘烤以在BARC中引发交联，CMP以去除BARC的第一部分并形成平坦表面，然后等离子体蚀刻以实现BARC的平坦凹进。等离子...

一些实施例涉及半导体器件。半导体器件包括漏极区和围绕漏极区的沟道区。源极区围绕沟道区，使得沟道区将漏极区与源极区分离。栅电极布置在沟道区上方，并且具有接近漏极的内边缘。由弯曲或多边形路径的电阻材料构成的电阻器结构布置在漏极上方，并且连接...

本发明提供了具有核-壳结构的半导体器件。一种器件结构包括形成在支撑件上的核结构、以及形成核结构上并且围绕核结构的至少一部分的壳材料。壳材料和核结构配置为在壳材料中形成量子阱沟道。

本发明涉及一种具有多管芯的蝙蝠翼透镜设计。从在封装基板上的多个LED管芯的初级LED透镜的光发射器产生蝙蝠翼光束。LED透镜包括蝙蝠翼表面，该蝙蝠翼表面通过在光发射器的中心的上方关于抛物线圆弧的端部旋转抛物线圆弧形成。将LED管芯中的每...

本发明提供了用于超紫外线光刻(EUVL)工艺的方法的一个实施例，该方法包括将掩模装载到光刻系统。该掩模包括缺陷修复区，且该掩模限定了位于其上的集成电路(IC)图案。该方法也包括根据IC图案在照明模式中设置光刻系统的照明器，根据照明模式在...

本发明提供一种形成集成电路的图案的方法。该方法包括在衬底上方形成第一层，其中，第一层的蚀刻速率对诸如远紫外(EUV)辐射或电子束(e-束)的辐射敏感。该方法进一步包括：在第一层上方形成光刻胶层，并且使光刻胶层暴露于辐射以用于图案化。在暴...

本发明提供了一种方法，该方法包括在半导体衬底上方形成伪栅极堆叠件，其中，该半导体衬底包括在晶圆中。该方法还包括去除伪栅极堆叠件以形成凹槽，在凹槽中形成栅极介电层，且在凹槽中和栅极介电层上方形成金属层。金属层具有n功函。金属层的一部分具有...