具有锥形端通孔的封装件制造技术

本发明专利技术提供了一种封装件，包括：器件管芯；模制材料，用于在其中模制器件管芯；通孔，基本穿过模制材料，其中，通孔包括一端。所述一端为锥形且包括圆滑的侧壁表面。该封装件还包括重分布线，电连接至通孔。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术总体上涉及半导体领域，更具体地，涉及具有锥形端通孔的封装件。
技术介绍
在集成电路的封装工艺中，有各种各样的封装方法和结构。例如，在传统的堆叠封装(Package-on-PackaghPOP)工艺中，顶部封装件连接至底部封装件。顶部封装件和底部封装件还可以有封装在其中的器件管芯。通过应用PoP工艺，增大了封装件的集成度。在现存的PoP工艺中，首先形成底部封装件，其包括接合至封装衬底的器件管芯。模制复合物被模制在封装衬底上，其中，器件管芯被模制在模制复合物中。封装衬底进一步包括形成在其上的焊球，其中，焊球和器件管芯位于封装衬底的同一侧上。焊球用于将顶部封装件连接至底部封装件。
技术实现思路
为解决上述问题，本专利技术提供了一种封装件，包括:器件管芯；模制材料，用于在其中模制器件管芯；通孔，基本穿过模制材料，其中，通孔包括第一端，以及其中，第一端为锥形且包括圆滑的侧壁表面；以及重分布线，电连接至通孔。其中，通孔包括第二端，第二端与第一端相对，以及其中，第二端具有基本竖直的边。该封装件进一步包括:介电层，位于模制材料的一侧上；以及孔，穿过介电层，其中，孔与通孔和重分布线互连，以及其中，孔与通孔和重分布线均接触。其中，孔与通孔之间的接口是圆滑的。其中，介电层包括延伸进入模制材料的部分，以及其中，孔延伸进入介电层的部分。其中，孔进一步包括延伸进入模制材料的部分，以及其中，孔的部分的整体的侧壁与模制材料接触。其中，孔与通孔的平坦表面接触。此外，还提供了一种封装件，包括:至少一个第一介电层；第一多条重分布线，位于至少一个第一介电层中；器件管芯，位于第一多条重分布线上方并与第一多条重分布线电连接；模制材料，用于在其中模制器件管芯；通孔，位于模制材料中，其中，通孔的顶端部分包括圆滑的侧壁；至少一个第二介电层，位于器件管芯上方；以及第二多条重分布线，位于至少一个第二介电层中，其中，第二多条重分布线中的一条穿过通孔电连接至第一多条重分布线中的一条。其中，通孔的顶端部分包括平坦的顶部表面，顶端部分的顶部表面与模制材料的顶端表面齐平。其中，通孔的顶端部分包括圆滑的顶部表面，顶端部分的顶部表面低于模制材料的顶端表面。该封装件包括:介电层，位于模制材料上方；以及孔，穿过介电层，其中，孔包括与通孔的顶端部分接触的底部。其中，介电层包括延伸进入模制材料的部分，以及其中，孔进一步延伸进入介电层的部分。其中，孔进一步包括延伸进入模制材料的部分，以及其中，孔的部分的整体的侧壁与模制材料接触。该封装件进一步包括:多个焊料区域，位于第一多条重分布线下并与第一多条重分布线电连接，其中，多个焊料区域将封装件连接至印刷电路板(PCB)。此外，还提供了一种方法，包括:在载体上方形成通孔；在载体上方放置器件管芯；在模制材料中模制器件管芯和通孔；平坦化模制材料，以暴露通孔和器件管芯的金属柱中的至少一个；以及在通孔上方形成金属部件，其中，在金属部件以及通孔之间形成接口，以及其中，通孔的临近接口的顶部具有圆滑的侧壁。其中，在平坦化模制材料的步骤之后，通孔的剩余部分具有圆滑的侧壁和平坦的顶部表面。其中，在平坦化模制材料的步骤之后，通孔被模制材料的表面部分覆盖，以及其中，形成金属部件的步骤包括:在模制材料的上方形成介电层；蚀刻介电层和模制材料，以形成开口，其中，通孔的顶部表面向着开口暴露；以及形成金属部件，其中，金属部件包括位于开口中的通孔以及介电层上方的重分布线。其中，在平坦化模制材料之后，暴露通孔，以及其中，形成金属部件的步骤包括:蚀刻通孔以使通孔凹陷，其中，凹陷形成在模制材料中；在模制材料上方形成介电层，其中，介电层延伸进入凹陷；蚀刻介电层，以暴露通孔；以及形成金属部件，其中，金属部件包括位于凹陷的孔以及介电层上方的重分布线。其中，蚀刻通孔的步骤包括湿蚀刻。其中，形成通孔的步骤包括:在载体上方形成晶种层；在晶种层上方施加光刻胶；在光刻胶中形成开口，以暴露晶种层；电镀开口中的通孔；以及移除光刻胶和晶种层中被光刻胶覆盖的部分。【附图说明】通过附图及下文详细的描述，我们能更为了解本专利技术的各个方面。应注意，根据工业上的标准实践，各部件并非是按比例绘制的。实际上，为了清楚的讨论，各部件的尺寸可以任意地增大或缩小。图1示出了根据一些实施例的封装件的截面图；图2至19示出了形成根据一些实施例的封装件的过程中的中间阶段的截面图；以及图20示出了根据一些实施例的重分布线(RDL)垫(pad)的底视图，其中，RDL垫包括主垫区和连接至主垫区的鸟嘴式区。【具体实施方式】以下公开内容提供用于实现本专利技术的不同特征的多个不同实施例或实例。下面描述了组件和布置的特定实例以简化本专利技术。当然，这些仅是实例，并且不旨在进行限定。此夕卜，本专利技术可以在多个实例中重复参考数字和/或字母。该重复是为了简单和清楚的目的，并且其本身不指示所论述的多个实施例和/或配置之间的关系。而且，以下描述中，在第二工艺之前执行第一工艺可以包括在第一工艺之后立即执行第二工艺的实施例，并且还可以包括在第一工艺和第二工艺之间可以执行附加工艺的实施例。为了简单和清楚起见，多种部件可以按不同比例任意绘制。而且，在以下描述中，在第二部件上方或上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件以直接接触的方式形成的实施例，并且还可以包括在第一部件和第二部件之间可以形成附加部件，使得第一部件和第二部件可以不直接接触的实施例。而且，为了便于描述，诸如“下面”、“之下”、“下部”、“之上”、“上部”等的空间相对术语在此可以用于描述如图所示的一个元件或部件与另一个(或另一些)元件或部件的关系。除了图中所示的定向之外，空间相对术语旨在包括器件在使用或操作过程中的不同定向。例如，如果附图中的器件进行翻转，则描述为在其他元件或部件“之下”或“下面”的元件将被定向为在其他元件或部件“之上”。因此，示例性术语“之下”可以包括之上和之下的定向。器件可以以其他方式定向(旋转90度或为其他定向)，并且在此使用的空间相对描述符可以同样地作出相应的解释。本专利技术根据多个示例性实施例提供了一种封装件以及形成该封装件的方法。本文讨论了实施例的变形。在这些视图和实施例中，相同的参考标号用于表示相同的部件。图1示出了根据一些实施例的封装件20的截面图。封装件20包括封装件100以及位于封装件100且与之接合的封装件200。在一些实施例中，封装件100包括器件管芯102，其中，器件管芯102的前侧面向且接合至重分布线(RDL) 132、134、136。在备选实施例中，封装件100包括单个器件管芯或者两个以上的器件管芯。器件管芯102可以包括半导体衬底108以及位于半导体衬底108的前表面(正对的表面)处的集成电路器件104 (诸如包含晶体管的有源器件)。器件管芯102可以包括逻辑管芯，诸如中央处理器(CPU)管芯、图形处理器(GPU)管芯、移动应用管芯等。器件管芯102模制在模制材料120中，其包围了每个器件管芯102。模制材料120可以是模制复合物、模制底部填充、树脂等。模制材料120的表面120A可以与器件管芯102的底部末端齐平。模制材料120的表面120B可以与半导体衬底108的后表面108A齐平或比它高。在一些实施例中，半导体衬底108的后表面1本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种封装件，包括：器件管芯；模制材料，用于在其中模制所述器件管芯；通孔，基本穿过所述模制材料，其中，所述通孔包括第一端，以及其中，所述第一端为锥形且包括圆滑的侧壁表面；以及重分布线，电连接至所述通孔。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：陈宪伟，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71