本发明公开了半导体器件以及在半导体器件的凹部中外延形成半导体层的方法。在一些实施例中，在凹部中外延形成半导体层的方法可包括：提供化学汽相沉积系统；将具有凹部的半导体衬底放置在化学汽相沉积系统中，其中，半导体衬底包括从凹部的表面延伸到半导...

本发明提供了一种鳍式场效应晶体管(FinFET)器件。该器件包括具有第一区域、第二区域和第三区域的衬底。第一区域包括第一鳍结构、第一高k(HK)/金属栅(MG)叠件以及第一源极/漏极部件，第一HK/MG叠件环绕在第一鳍结构的上部的上方，...

本发明公开了一种为半导体封装提供再分布层(RDL)和硅通孔(TSV)的方法。该方法包括制备用于与半导体封装接合的晶圆。该晶圆包括低电阻衬底，低电阻衬底含有RDL和TSV以用于使半导体封装的输入/输出(I/O)连接点在另一位置可用。RDL...

一种用于将数字信号转换为模拟信号的数模转换器(DAC)，包括第一温度计解码器和第二温度计解码器。所述第一温度计解码器配置为解码所述数字信号的最高有效位(MSB)以生成第一温度计码。所述第二温度计解码器配置为解码所述数字信号的中间位以生成...

本发明提供一种半导体布置及其形成方法。半导体布置包括包围第一传输线的第一介电层和包围第一介电层的磁性层。磁性层增大了传输线的电感。相比于不具有磁性层的半导体布置，具有包围第一传输线的磁性层半导体布置具有增大的阻抗，从而提升了流经传输线的...

存储器件包括存储单元的阵列。至少一个存储单元包括具有垂直栅极全包围结构的多个晶体管和多个有源块。一个有源块的一部分用作一个晶体管的源极或漏极。任何两个相邻的存储单元中的有源块相互隔离。本发明还提供了存储器件的制造方法。

本发明提供一种具有应力沟道(strained channel)的半导体装置以及制造该装置的方法。此半导体装置具有形成在沟道凹陷上的栅极。以应力引发材料(stress-inducing material)填入形成于栅极两侧的第一凹陷及第二...

根据实施例，本发明提供了一种封装件，该封装件包括第一器件封装件以及设置在第一器件封装件上方的扇出型RDL。扇出型RDL延伸超过第一器件封装件的边缘。第一器件封装件包括具有设置在第一衬底上的第一再分布层(RDL)的第一管芯、具有设置在第二...

本发明提供了一种集成电路器件，该集成电路器件包括具有介电层、顶部导电层和底部导电层的电阻式随机存取存储器(RRAM)单元或MIM电容器单元。介电层包括邻近介电层的边缘的外围区域和被外围区域围绕的中心区域。顶部导电层邻近介电层并且位于介电...

本发明提供了一种半导体器件，该半导体器件包括：衬底、位于衬底上方的第一鳍结构。第一鳍结构包括：作为第一鳍结构的下部的第一半导体材料层，第一半导体材料层具有作为其外层的半导体氧化物层。第一半导体材料层具有第一宽度。第一鳍结构也包括作为第一...

本发明提供了一种用于实施化学机械抛光(CMP)工艺的方法，该方法包括对衬底上的硬化的流体材料的表面应用CMP浆料溶液，该溶液包括用于改变硬化的流体材料的表面上的键结构的添加剂。该方法进一步包括使用抛光头抛光硬化的流体材料的表面。本发明还...

本发明提供了一种用于极紫外(EUV)掩模的光刻系统。光刻系统包括耦合模块。耦合模块包括配置为接触EUV掩模的外围区域的至少一个掩模接触元件。光刻系统也包括具有通过至少一个掩模接触元件电连接至EUV掩模的一端和连接至地电位的另一端的安培计...

本发明提供了一种示例性器件，该器件包括管芯、沿着管芯的侧壁延伸的模塑料，以及位于管芯和模塑料上方的第一聚合物层。第一聚合物层具有第一横向尺寸。该器件还包括位于第一聚合物层上方的第二聚合物层。第二聚合物层具有第二横向尺寸，其中，第二横向尺...

本发明公开了垂直全环栅(VGAA)纳米线器件电路路由结构。该电路路由结构包括多个VGAA纳米线器件，VGAA纳米线器件包括NMOS器件和PMOS器件。该器件形成在绝缘体上半导体衬底上。每个器件均包括底板和顶板，其中，底板和顶板中的一个用...

本发明提供了SRAM FINFET器件的结构和方法。本发明提供了一种鳍式场效应晶体管(FinFET)器件的实施例。该器件包括具有n型FinFET(NFET)区域和p型FinFET(PFET)区域的衬底。该器件也包括在NFET区域中位于衬...

本发明描述了一种半导体器件及其形成方法。半导体器件包括位于半导体复合层中并邻近沟道的有源区域。该有源区域包括具有第一掺杂剂浓度的第一有源区域层、位于第一有源区域层上方并具有第二掺杂剂浓度的第二有源区域层、以及位于第二有源区域层上方并具有...

本发明提供了一种半导体图像传感器，包括具有第一侧和与第一侧相对的第二侧的衬底。互连结构设置在衬底的第一侧上方。多个辐射感测区位于衬底中。辐射感测区被配置为感测从第二侧处进入衬底的辐射。辐射感测区通过多个间隙间隔开。多个辐射阻挡结构设置在...

本发明提供了一种电路，包括存储器单元、第一电路和第二电路。存储器单元具有第一控制线和第二控制线。第一控制线承载第一控制信号。第二控制线承载第二控制信号。第一电路与第一控制线、第二控制线和一节点连接。第二电路与该节点连接，并且被配置为接收...

本发明提供了一种用于制造鳍式场效应晶体管(FinFET)的方法。该方法包括：在衬底上方形成第一鳍结构，在衬底上方形成图案化的氧化硬掩模(OHM)以暴露n型FET区的第一栅极区中的第一鳍结构，在第一栅极区中的第一鳍结构的中部中形成半导体氧...

本发明提供了一种半导体器件及其形成方法。该半导体器件包含位于衬底上方的硅化物层、位于由衬底上方的介电层形成的开口中的金属插塞、位于金属插塞和介电层之间及金属插塞和硅化物层之间的第一金属层、位于第一金属层上方的第二金属层以及位于第一金属层...