本发明提供了用于制造存储器件的各种结构、各个器件和各种方法。一种结构包括：设置在第一导电层中的第一导线；设置在第一导电层中并且与设置在第二导电层中的第二导线相关的第一着陆台；以及设置在第一导电层中并且与设置在第三导电层中的第三导线相关的...

在一个实施例中，提供了制备和使用光敏材料的方法，该方法包括选择光刻胶，该光刻胶是正性光刻胶和负性光刻胶中的一种。基于光刻胶选择第一附加材料或第二附加材料。第一附加材料具有附接至聚合物链的氟组分和碱组分，如果提供正性光刻胶，则选择第一附加...

本发明提供一种存储器电路，包括至少一个存储器单元，用于存储数据，该存储器单元耦接字元线、位元线、反位元线、第一电压线以及第二电压线；以及第一导电层、第二导电层以及第三导电层，排列在不同层并且布线为定义所述字元线、所述位元线、所述反位元线...

本发明提供了一种护膜结构、护膜掩模结构和护膜结构的形成方法。护膜结构包括由碳基材料制成的护膜薄膜。此外，护膜薄膜被配置为在光刻工艺中保护掩模结构。护膜掩模结构包括在掩模衬底上方形成有掩模图案的掩模衬底和设置在掩模衬底上的护膜框架。护膜掩...

本发明提供一种浅沟槽隔离结构。在本发明实施例中，浅沟槽隔离结构包含半导体基板、沟槽、第一突出绝缘材料及第二突出绝缘材料。沟槽具有第一侧壁以及相对于第一侧壁的第二侧壁，第一侧壁与第二侧壁向下延伸至沟槽的底部。第一突出绝缘材料沉积于第一侧壁...

本发明提供了鳍式场效应晶体管(FinFET)器件的实施例。该器件包括具有第一栅极区域的衬底、位于第一栅极区域中的衬底上方的第一鳍结构。第一鳍结构包括上部半导体材料构件、被氧化物部件环绕的下部半导体材料构件以及包裹在下部半导体材料构件的氧...

本发明提供了半导体结构及其制造方法。半导体结构包括：具有顶面和底面的晶圆衬底；以及通过穿过晶圆衬底的顶面和底面的深沟槽绝缘体限定在晶圆衬底中的导电柱。制造半导体结构的方法包括以下步骤。从晶圆衬底的顶面形成深沟槽以在晶圆衬底中限定导电区。...

本发明提供了鳍状场效应晶体管(FinFET)器件及其制造方法。本公开提供鳍状场效应晶体管(FinFET)器件的实施例。该器件包括位于衬底上方的多个第一鳍结构。第一鳍结构包括第一半导体材料层、设置在第一半导体材料层上方的第二半导体材料层，...

提供了用于抗反射层的系统和方法。在一个实施例中，在散布抗反射层之后，抗反射层包括浮置组分以沿着抗反射层的顶面形成浮置区域。浮置组分可以是浮置交联剂、浮置聚合物树脂或浮置催化剂。浮置交联剂、浮置聚合物树脂或浮置催化剂可以包括氟原子。使用液...

本发明提供了一种用于形成半导体结构的方法。根据一些实施例，该方法包括提供衬底和形成在衬底上方的导电部件；在导电部件上方形成低k介电层；形成与导电部件对准的接触沟槽；以及选择性生长密封层，其中，密封层是形成在接触沟槽的侧壁上的单分子层。本...

本发明提供了一种隧道场效应晶体管，包括漏极层、源极层、沟道层、金属栅极层和高k介电层。漏极层和源极层具有相反的导电类型。沟道层设置在漏极层和源极层之间。漏极层、沟道层和源极层中的至少一个具有基本恒定的掺杂浓度。金属栅极层设置在沟道层周围...

本发明提供了一种隧道场效应晶体管及其制造方法。隧道场效应晶体管包括漏极区、与漏极区具有相反的导电类型的源极区、设置在漏极区和源极区之间的沟道区、设置在沟道区周围的金属栅极层、以及设置在金属栅极层和沟道区之间的高k介电层。

本发明提供了一种图案化半导体衬底上方的目标材料层的方法。该方法包括以下步骤：使用第一子布局在目标材料层上方形成多个第一部件，每个第一部件均具有侧壁；形成多个间隔件部件，每个间隔件部件均共形于其中一个第一部件的侧壁并具有间隔件宽度；以及使...

本发明提供了具有接合线的堆叠管芯及方法。半导体管芯相互接合并相互电连接。密封剂用于保护半导体管芯，并且外部连接件形成为连接密封剂内的半导体管芯。在一个实施例中，外部连接件可包括导电柱、导电可回流材料或它们的组合。

本发明的一些实施例涉及包括布置在半导体衬底上方的异质结结构的高电子迁移率晶体管(HEMT)。异质结结构包括用作e-HEMT的沟道区的由第一III-氮化物材料制成的二元III/V半导体层以及用作阻挡层的布置在二元III/V半导体层上方并且...

本文公开的封装件包括具有在第一衬底的第一侧上设置的第一再分布层(RDL)的第一管芯和具有在第二衬底的第一侧上设置的第二RDL的第二管芯，第一RDL接合至第二RDL。第三管芯具有在第三衬底的第一侧上设置的第三RDL。第三管芯在第二管芯上方...

本发明提供一种集成电路(IC)制造方法。方法包括接收IC的设计布局，其中设计布局包括多个非重叠的IC区，并且每一个IC区都包括相同的最初IC图案。方法还包括基于位置效应分析将IC区划分为多组，使得相应的一组中的所有IC区都具有基本相同的...

本发明公开了在半导体器件中制造金属栅极结构的方法。该方法包括：去除伪多晶硅栅极，使用干蚀刻工艺和湿横向蚀刻工艺去除IL氧化物和STI以在半导体器件中形成T形空隙，以及在T形空隙中沉积金属栅极材料以在金属栅极线端中形成T形结构。本发明公开...

本发明提供了示例性接触插塞，其包括双层结构和位于双层结构的侧壁和底面上的扩散阻挡层。该双层结构包括导电核芯和位于导电核芯的侧壁和底面上的导电衬垫。在示例性接触插塞中，导电衬垫包括钴或钌。本发明还提供了复合接触插塞结构的制造方法。

一种存储器件包括多个存储单元。至少一个存储单元包括具有垂直栅极全包围结构的多个晶体管和多个有源块。至少一个有源块的一部分用作一个晶体管的源极或漏极。本发明还提供了存储器件的制造方法。