本发明提供了一种半导体器件，包括：栅极结构，位于衬底上；以及凸起的源极/漏极区，邻近栅极结构。界面位于栅极结构和衬底之间。凸起的源极/漏极区包括：应力源层，向栅极结构下面的沟道提供应变；以及硅化物层，位于应力源层中。硅化物层从凸起的源极...

本发明实施例公开了一种具有作为功函数层和/或多功能阻挡/润湿层的碳氮化铝钛(TiAlCN)的金属栅极堆叠件及其制造方法。在实例中，集成电路器件包括半导体衬底和设置在半导体衬底上方的栅极堆叠件。栅极堆叠件包括设置在半导体衬底上方的栅极介电...

本发明公开了半导体器件封装件、封装方法以及封装的半导体器件。在一些实施例中，用于半导体器件的封装件包括集成电路管芯安装区域和集成电路管芯安装区域周围的模塑料。互连结构位于模塑料和集成电路管芯安装区域上方。保护图案位于互连结构周围的封装件...

本发明提供了制造栅极结构的方法，方法包括：在介电层中形成沟槽；在沟槽中形成栅极介电层，其中，栅极介电层限定介电层中的开口；以及在开口中形成栅电极，其中，形成栅电极包括：以具有第一电阻的第一金属材料填充开口的底部的宽度，其中，第一金属材料...

本发明公开了封装半导体器件的方法和封装的半导体器件。在一些实施例中，封装半导体器件的方法包括：在管芯上形成接近管芯的边缘区的坝结构。在管芯周围设置模塑材料，以及去除模塑材料的顶部和坝结构的顶部。

本发明公开了封装半导体器件的方法和封装的半导体器件。在一些实施例中，一种封装半导体器件的方法包括将通孔连接至绝缘材料，每个通孔均具有第一宽度。也将管芯连接至绝缘材料。去除绝缘材料的接近每个通孔的一部分。去除的绝缘材料的接近每个通孔的一部...

本发明根据一些实施例提供了一种在测试中检测管芯中的边缘裂缝的方法。该方法包括以下操作：接收指令信号；由指令信号提供功率；基于指令信号提供响应信号；以及基于指令信号自毁。本发明还涉及边缘裂缝检测系统。

本发明公开了一种集成电路中网路的确定方法和装置，其中，该方法包括：确定用户在集成电路中所指定的层；在集成电路中查找与指定的层存在连接关系、且所属网路的网路ID与指定的层所属网路的网路ID相同的层；根据查找到的层确定网路。本发明通过EDA...

根据示例性实施例，本发明提供了形成垂直结构的方法。该方法包括以下操作：提供衬底；提供具有位于衬底上方的源极、沟道和漏极的垂直结构；通过氧化来缩小源极和沟道；在垂直结构的漏极上方形成金属层；以及对金属层进行退火以在垂直结构的漏极上方形成硅...

本发明公开了一种电阻式存储器单元。电阻式存储器单元包括一对电极和设置在这对电极之间的多层电阻切换网络。多层电阻切换网络包括一对碳掺杂层和设置在这对碳掺杂层之间的IV族元素掺杂层。每个碳掺杂层均包括掺杂有碳的氧化硅。IV族元素掺杂层包括掺...

本发明提供了一种制造一对分离栅闪存单元的半导体结构的方法。在半导体衬底上形成间隔开的一对选择栅极；并且形成填充选择栅极之间的中心区的牺牲间隔件。沿着选择栅极的侧壁并且在牺牲间隔件和选择栅极的顶面上方共形地形成电荷捕获介电层；以及在电荷捕...

本发明提供了一种方法，包括将封装结构置于包封模具内，使得封装结构中的器件管芯的顶面接触包封模具中的离型膜。通过注入端口，将模塑料注入至包封模具的内部空间内，注入端口位于包封模具的一侧。在注入模塑料期间，通过包封模具的第一排气端口和第二排...

本发明提供了集成电路(IC)方法的实施例，该方法包括接收IC设计布局，IC设计布局具有多个主要部件和多个空间块。该IC方法也包括计算最优化的块伪密度比率r0以使图案密度均匀性(UPD)最优化，确定目标块伪密度比率R，确定不可印刷的伪部件...

本发明提供了一种量子阱鳍式场效应晶体管(QWFinFET)。该QWFinFET包括位于衬底上方的半导体鳍和位于半导体鳍上方的组合量子阱(QW)结构。组合QW结构包括位于半导体鳍的顶部上方的QW结构和半导体鳍的中间部分。半导体鳍和QW包括...

用于增强垂直全环栅器件中沟道性能的方法和结构，其提供了器件，该器件包括：源极区(140)；基本上垂直对齐于源极区的漏极区(190)；桥接在源极区和漏极区之间且限定基本上垂直的沟道方向的沟道结构(160)；以及垂直布置在源极区和漏极区之间...

一种封装件包括拐角、具有前侧和后侧的器件管芯以及将器件管芯模制在其中的模制材料。多条再分布线位于器件管芯的后侧上。多条再分布线包括多个金属焊盘。聚合物层与多个金属焊盘接触。多个开口形成在聚合物层中，多个金属焊盘与多个开口对准并且暴露于多...

本发明涉及用于显示器的像素，调节显示器的第一像素的电流值和/或第二像素的电流值，直到电流差值可接受为止。第一像素的电流值对应于第一像素的亮度级。第二像素的电流值对应于第二像素的亮度级。调节第一像素的电流值涉及利用第一像素的第一开关和第一...

本发明提供了集成电路和制造集成电路的方法。在各个实施例中，集成电路包括衬底和多晶硅电阻器。多晶硅电阻器设置在衬底上。多晶硅电阻具有至少一个正TCR部分和至少一个负TCR部分。正TCR部分邻近负TCR部分，并且正TCR部分与负TCR部分直...

本发明涉及一种方法，包括在半导体衬底上方形成图案预留层。该半导体衬底具有主表面。执行第一自对准多重图案化工艺以图案化图案预留层。该图案预留层的剩余部分包括在平行于半导体衬底的主表面的第一方向上延伸的图案预留带。执行第二自对准多重图案化工...

公开了一种相变化存储器单元的形成方法，包括：在具有第一介电层、第二介电层及第三介电层的第一结构上形成冠状结构；沉积第四介电层在第一结构上，第四介电层在其所覆盖的不同区域皆具有相同的厚度；移除第四介电层的一部分以形成具有第四介电层的剩余部...