本发明提供了一种鳍式场效应晶体管(FINFET)器件的实施例。该器件包括设置在衬底的n型FinFET(NFET)区域上方的第一鳍结构。第一鳍结构包括：硅(Si)层、设置在硅层上方的氧化硅锗(SiGeO)层和设置在SiGeO层上方的锗(G...

本发明提供了形成半导体布置的方法。形成半导体布置的方法包括：在沟槽中的衬底上或者在衬底上的介电柱之间形成第一核。形成第一核包括以相对于衬底的顶面的第一角度施加第一源材料束并且同时以相对于衬底的顶面的第二角度施加第二源材料束。通过旋转衬底...

一种装置包括具有沟道区的纳米线、围绕沟道区的下部的栅极结构，其中，栅极结构包括具有垂直部分和水平部分的第一介电层、位于第一介电层上方并且包括垂直部分和水平部分的第一功函金属层以及位于第一功函金属层上方的低电阻率金属层，其中，低电阻率金属...

本发明提供了一种驱动电路，包括串联连接的第一开关和第二开关、延迟生成电路和延迟控制电路。延迟生成电路和延迟控制电路连接至第一开关和第二开关的第一控制端和第二控制端。延迟生成电路被配置为根据输入信号和第一开关和第二开关的相继ON时间之间的...

本发明提供了一种单位增益缓冲器及相关方法。器件包括放大器级、源极跟随器、电阻器件和晶体管。源极跟随器的输入端子电连接至放大器级的内部节点，并且源极跟随器的输出端子电连接至放大器级的输入端子和器件的输出端子。电阻器件的第一端子电连接至器件...

本发明提供了一种静态随机存取存储器(SRAM)单元，包括：第一反相器，包括第一上拉(PU)器件、第一下拉(PD)器件、以及第二PD器件；第二反相器，交叉耦合至第一反相器，第二反相器包括第二PU器件、第三PD器件、以及第四PD器件；第一传...

本发明公开了导电元件结构及其制造方法。在一些实施例中，在绝缘层中形成导电元件的方法包括：在绝缘层上方所设置的金属层中形成凹槽；在凹槽的侧壁上选择性地形成金属衬里；以及将金属层和金属衬里用作掩模，在绝缘层中蚀刻通孔。

一种封装件包括器件管芯、将器件管芯模制在其中的模制材料、穿透模制材料的通孔、以及穿透模制材料的对准标记。重分布线位于模制材料的一侧上。重分布线电连接至通孔。本发明涉及封装件的对准标记设计。

本发明提供了一种具有不同应变的NMOS FinFET和PMOS FinFET的电路器件。在示例性实施例中，半导体器件包括其上形成有第一鳍结构和第二鳍结构的衬底。第一鳍结构包括：设置在衬底的表面之上的相对的源极/漏极区域；设置在相对的源极...

本发明提供了一种自对准双重图案化。提供了一种半导体器件及其形成方法。实施例包括目标层和位于目标层上方的掩蔽层。在掩蔽层的最上层中形成第一开口。沿着第一开口的侧壁形成间隔件，保留的第一开口具有第一图案。在掩蔽层的最上层中形成第二开口，第二...

本发明提供了一种半导体器件和制造该半导体器件的方法。该半导体器件包括芯片衬底、模具和缓冲层。在芯片衬底上方设置模具。缓冲层从外部嵌入芯片衬底和模具之间。缓冲层具有的弹性模量或热膨胀系数小于模具的弹性模量或热膨胀系数。方法包括：设置至少覆...

管芯包括金属焊盘、金属焊盘上方的钝化层和钝化层上方的聚合物层。金属柱位于金属焊盘的上方并且电连接至金属焊盘。金属环形件与金属柱共平面。聚合物层包括与金属柱和金属环形件共平面的部分。本发明还涉及器件管芯中的环形件结构。

本发明公开了一种只读存储器(ROM)单元阵列及其单元结构。该ROM单元阵列与多个行位线和多个列字线相连接且包括：沿着列方向布置的多个子单元阵列，每个子单元阵列包括多个单位单元结构。每个单位单元结构包括：限定出单元边界的单元基底区域，该区...

本发明提供了放电保护电路及其使用方法。一种电路包括位于第一电源节点和第二电源节点之间的驱动器电路、以及第一和第二静电放电(ESD)保护电路。驱动器电路被配置为在第一输出节点和第二输出节点处产生一对差分信号。第一ESD保护电路耦合在第一输...

本发明公开了一种具有部分厚度辅助部件的光掩模以及用于制造该光掩模的技术。在示例性实施例中，光掩模包括掩模衬底、设置在掩模衬底上的反射结构以及设置在反射结构上的吸收层。在掩模上限定印刷部件区域和辅助部件区域。吸收层在印刷部件区域中具有第一...

本发明的一些实施例提供了一种半导体结构，包括衬底和再生长区域。衬底由具有第一晶格常数的第一材料制成，并且再生长区域由第一材料和第二材料制成，具有不同于第一晶格常数的晶格常数。再生长区域部分地位于衬底中。再生长区域具有从衬底的表面处到再生...

本发明提供了半导体器件的结构和形成方法。该半导体器件包括半导体衬底和位于半导体衬底上方的鳍结构。该半导体器件也包括覆盖鳍结构的一部分的栅极堆叠件以及位于鳍结构上方并且邻近栅极堆叠件的外延生长的源极/漏极结构。该半导体器件还包括位于外延生...

本发明提供了一种包括包封模具的装置，该包封模具包括顶部和具有环形形状的环形边。环形边位于顶部的边缘的下面并且连接至顶部的边缘。环形边具有注入端口和排气端口。模塑导向套件被配置为插入注入端口内。模塑导向套件包括具有弯曲的前边缘的前侧壁。本...

本发明公开了工艺室以及制备和操作工艺室的方法。在一些实施例中，制备用于处理衬底的工艺室的方法包括：在工艺室的腔内设置的元件上方形成第一阻挡层，元件包括排气材料；以及在工艺室内，在第一阻挡层上方形成第二阻挡层。本发明还涉及工艺室、制备工艺...

本发明的实施例公开了半导体器件及其制造方法。在一些实施例中，半导体器件包括第一混合接合器件，该第一混合接合器件包括第一器件和面对面地混合接合至第一器件的第二器件。第一器件包括具有第一接合连接件的第一衬底和设置在该衬底表面上的第一接合层。...