SRAM FINFET器件的结构和方法技术

本发明专利技术提供了一种鳍式场效应晶体管(FINFET)器件的实施例。该器件包括设置在衬底的n型FinFET(NFET)区域上方的第一鳍结构。第一鳍结构包括：硅(Si)层、设置在硅层上方的氧化硅锗(SiGeO)层和设置在SiGeO层上方的锗(Ge)部件。该器件还包括位于p型FinFET(PFET)区域中的衬底上方的第二鳍结构。第二鳍结构包括：硅(Si)层、设置在硅层上方的凹进的氧化硅锗(SiGeO)层、设置在凹进的SiGeO层上方的外延硅锗(SiGe)层以及设置在外延SiGe层上方的锗(Ge)部件。本发明专利技术还提供了形成FINFET器件的方法。

【技术实现步骤摘要】
【专利说明】SRAM FINFET器件的结构和方法相关申请的交叉引用本申请与2013年1月14日提交的标题为“半导体器件及其制造方法”的美国专利申请第13/740，373号；2013年5月24日提交的标题为“FinFET器件及其制造方法”的美国专利申请第13/902，322号；2013年7月3日提交的标题为“半导体器件的鳍结构”的美国专利申请第13/934，992号；2014年1月15日提交的标题为“半导体器件及其形成方法”的美国专利申请第14/155，793号；2014年4月16日提交的标题为“FinFET器件的方法和结构”的美国专利申请第14/254，072号；以及2014年4月16日提交的标题为“具有高K金属栅极堆叠件的FinFET器件”的美国专利申请第14/254，035号相关，其全部公开内容结合于此作为参考。
本专利技术涉及集成电路器件，更具体地，涉及SRAM FinFET器件的结构和方法。
技术介绍
半导体集成电路(1C)工业已经经历了指数增长。1C材料和设计中的技术进步已经产生了数代1C，每一代1C都具有比前一代1C更小且更复杂的电路。在1C发展的过程中，功能密度(本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种器件，包括：第一鳍结构，设置在衬底的n型FinFET(NFET)区域上方，所述第一鳍结构包括：硅(Si)层；氧化硅锗(SiGeO)层，设置在所述硅层上方；及锗(Ge)部件，设置在所述SiGeO层上方；以及第二鳍结构，位于p型FinFET(PFET)区域中的所述衬底上方，所述第二鳍结构包括：硅(Si)层；凹进的氧化硅锗(SiGeO)层，设置在所述硅层上方；外延硅锗(SiGe)层，设置在所述凹进的SiGeO层上方；及锗(Ge)部件，设置在所述外延SiGe层上方。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：江国诚，冯家馨，吴志强，卡洛斯·H·迪亚兹，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71