本发明提供了一种垂直全环栅器件系统及其制造方法。提供了用于形成纳米线器件的底部源极/漏极接触区的结构和方法。纳米线形成在衬底上。纳米线相对于衬底基本上垂直延伸，并且纳米线设置在顶部源极/漏极区和底部源极/漏极区之间。第一介电材料形成在底...

本发明提供了一种方法，包括：蚀刻芯轴层以形成芯轴带，以及在芯轴带的侧壁上选择性地沉积金属线。在选择性沉积期间，通过介电掩模来掩蔽芯轴带的顶面。该方法还包括：去除芯轴层和介电掩模；用介电材料填充金属线之间的间隙；在介电材料中形成通孔开口，...

本发明提供一种自对准接触件。在实施例中，通过从邻接于栅电极处部分地去除第一介电材料和从邻接于栅电极处完全去除第二介电材料来形成自对准接触件。导电材料被沉积到去除第一介电材料和第二介电材料之后的区域中，并且导电材料和金属栅极凹至隔离件下方...

光刻系统中的光刻工艺包括加载掩模，该掩模包括限定集成电路(IC)图案的两种掩模状态。IC图案包括多个主要多边形，其中，将相邻的主要多边形分配至不同的掩模状态；以及背景，包括两种掩模状态中的一种中的场和两种掩模状态中的另一种中的多个亚分辨...

本发明的实施例包括接触结构及其形成方法。一个实施例是形成半导体器件的方法，该方法包括：在衬底上方形成接触区域；在接触区域和衬底上方形成介电层；以及形成穿过介电层的开口以暴露接触区域的一部分。该方法还包括：在接触区域的暴露部分上以及沿着开...

本发明提供了一种封装件以及形成该封装件的方法。具有高密度布线的链接器件附接至封装件以提供互连各半导体器件的高密度互连路径。在一个实施例中，封装件是集成扇出封装件。链接器件可以接合至封装件的任一侧，并且封装件可任选地包括封装通孔。链接器件...

本发明提供了一种电路，包括耦合结构和第一电感器件。耦合结构包括两个或多个导电回路和将两个或多个导电回路电连接的一组导电路径。第一电感器件与两个或多个导电回路的第一导电回路磁耦合。本发明还提供了一种形成该电路的方法。

根据示例性实施例，提供了形成隔离层的方法。该方法包括以下操作：提供衬底；在衬底上方提供具有第一层的垂直结构；在第一层上方提供第一层间电介质；对第一层间电介质实施CMP；以及回蚀刻第一层间电介质和第一层以形成与垂直结构的源极对应的隔离层。...

本发明提供了半导体封装件和方法。第一封装件利用第一外部连接件和第二外部连接件接合至第一衬底。使用不同于第一外部连接件的材料形成第二外部连接件，以提供来自第一封装件的热路径。在一个特定实施例中，第一外部连接件是焊料球并且第二外部连接件是铜块。

本发明提供一种封装系统，此封装系统包括：一第一中介层，其中第一中介层包括：一第一内连线结构；一第一基板，设置于第一内连线结构之上，其中第一基板包括至少一第一硅穿孔结构形成于其中；以及一模封化合物材料，设置于第一内连线结构之上且围绕第一基...

根据示例性实施例，提供了形成垂直结构的方法。该方法包括以下操作：提供衬底；在衬底上方形成第一氧化物层；在第一氧化物层上方形成第一伪层；蚀刻第一氧化物层和第一伪层以形成凹槽；在凹槽中形成第二伪层(以及对第二伪层进一步实施CMP并停止在第一...

本发明提供了垂直器件结构。本发明涉及具有在源极区和漏极区之间延伸的矩形垂直沟道条的垂直晶体管器件及其相关的形成方法。在一些实施例中，垂直晶体管器件包括设置在半导体衬底上方的源极区。具有一个或多个垂直沟道条的沟道区设置在源极区上方。一个或...

本发明提供了一种半导体结构。根据一些实施例，该半导体结构包括：衬底；一个或多个鳍，每一个都包括形成在衬底上方的第一半导体层；氧化物层，形成为包围一个或多个鳍的每一个的上部；以及栅极堆叠件，包括形成为包围在氧化物层上方的高K(HK)介电层...

本发明的一些实施例提供了一种半导体结构，其包括衬底和部分设置在衬底中的外延区域。外延区域包括晶格常数大于衬底的晶格常数的物质。外延区域中的物质的浓度分布从外延区域的底部到外延区域的顶部单调增加。外延区域的第一层具有为约2的高度与宽度比。...

本发明提供了一种D类放大器，包括：模拟-数字转换器(ADC)、数字滤波器、数字脉宽调制(PWM)单元、预驱动单元和输出驱动器。ADC被配置为：接收输入信号和一个或多个反馈信号，以及生成第一数字信号。数字滤波器、数字PWM单元和预驱动单元...

本发明提供了利用邻近接触焊盘的伪焊盘部件的器件及其制造方法。接触焊盘可以是集成的扇出封装件中的接触焊盘，在集成的扇出封装件中，模塑料沿着管芯的侧部放置并且接触焊盘在管芯和模塑料的上方延伸。接触焊盘使用一个或多个重分布层电连接至管芯。伪焊...

本发明提供了一种IC器件的诸多不同实施例。IC器件包括设置在衬底的表面上方的栅叠件和沿着栅叠件的侧壁设置的间隔件。间隔件具有面向衬底的表面同时朝向栅叠件形成锥形的锥形边缘。因此，锥形边缘相对于衬底的表面呈一角度。本发明还提供了一种制造半...

本发明提供了一种半导体结构，包括半导体衬底和浅沟槽隔离(STI)。STI包括与半导体衬底相连接的侧壁。STI从半导体衬底的底部突出，并且STI包括与半导体衬底的底部接触的底面、与底面相对的顶面。底面的宽度大于顶面的宽度。

提供了半导体器件的结构和形成方法。半导体器件包括半导体衬底和位于半导体衬底上方的鳍结构。半导体器件还包括覆盖鳍结构的一部分的栅极堆叠件和位于鳍结构的上方并且与栅极堆叠件相邻的外延生长的源极/漏极结构。半导体器件还包括位于外延生长的源极/...

本发明提供了用于制造具有基本未掺杂的沟道区的半导体器件的方法，该方法包括提供衬底，该衬底具有从衬底处延伸的鳍。在鳍上形成原位掺杂层。例如，原位掺杂层可以包括通过外延生长工艺形成的原位掺杂阱区。在一些实例中，原位掺杂阱区包括N阱区和P阱区...