本发明提供了一种半导体器件，包括：衬底，包括设置在衬底上方的焊盘和对准部件；钝化部，设置在衬底的上方和焊盘的外围；钝化后互连件(PPI)，包括：设置在焊盘上的通孔部，以及容纳导电凸块的加长部，以将焊盘与导电凸块电连接；聚合物，覆盖PPI...

本发明提供了一种封装件，包括器件管芯、将器件管芯模制在其中的模制材料、以及位于器件管芯和模制材料上面的多条再分布线。激光标记焊盘与多条再分布线中的一条共面，其中，激光标记焊盘和该多条再分布线中的一条由相同的导电材料形成。聚合物层位于激光...

本发明提供了诸如FinFET的薄片式非平面电路器件以及用于形成这种器件的方法。在一些示例性实施例中，一种器件包括：衬底，具有顶面；以及部件，设置在衬底上并在顶面上方延伸。材料层设置在部件上。材料层包括多个源极/漏极区域和设置在源极/漏极...

本发明的实施例提供了一种器件，器件包括具有第一图案的第一组纳米线、具有第二图案的第二组纳米线、具有第三图案的第三组纳米线和具有第四图案的第四组纳米线，其中，第一图案、第二图案、第三图案和第四图案形成重复图案。本发明还涉及纳米线结构及其制...

本发明提供了一种集成电路结构，其包括第一和第二半导体芯片。第一半导体芯片包括第一衬底和位于第一衬底下面的多个第一介电层。第二半导体芯片包括第二衬底和位于第二衬底上方的多个第二介电层，其中多个第一介电层和多个第二介电层彼此接合。金属焊盘位...

本发明提供了一种器件，包括位于衬底上方的金属化层中的第一圆形金属线、位于金属化层中的第二圆形金属线、位于第一圆形金属线和第二圆形金属线的侧壁之间的第一气隙、位于金属化层中的第一金属线，其中，第一金属线的顶面高于第二圆形金属线的顶面，并且...

本发明涉及非易失性存储单元结构和相关方法。非易失性存储单元包括具有通过浮栅桥连接在一起的浮置栅极的彼此间隔开的两个晶体管。在操作过程中，非易失性存储器单元从第一晶体管编程和擦除并且从另一个第二晶体管读出。由于两个晶体管的浮置栅极连接在一...

本发明提供了用于防止高迁移率材料暴露给高温工艺的方法和结构，该方法包括提供具有从其延伸的至少一个鳍的衬底。该至少一个鳍包括伪沟道和源极/漏极区。在伪沟道上方形成伪栅叠件。在包括鳍的衬底上形成第一层间介电(ILD)层。平坦化第一ILD层以...

本发明公开了导电结构及其制造方法。在一些实施例中，一种形成导电结构的方法包括：提供在其中形成有凹槽的衬底，该凹槽内衬有第一晶种层且部分填充有第一导电材料；去除第一晶种层的不包含第一导电材料的部分以形成凹槽的暴露表面；将第二晶种层内衬于凹...

本发明提供了一种具有设置在沟道区下面的应变产生结构的非平面电路器件。在示例性实施例中，集成电路器件包括衬底，第一鳍结构和第二鳍结构设置在衬底上。隔离部件沟槽限定在第一鳍结构和第二鳍结构之间。该电路器件还包括设置在隔离部件沟槽内的衬底的水...

根据一些实施例，本发明提供了一种缓解用于ID图案的缺陷适印性的方法。该方法包括：将掩模加载至光刻系统，掩模包括一维集成电路(IC)图案；利用光刻系统中的光瞳相位调制器来调制从掩模衍射的光的相位；以及利用掩模和光瞳相位调制器，在光刻系统中...

本发明提供一种制造半导体器件的方法。接收用于半导体器件的第一布局设计。第一布局设计包括多条栅极线和与栅极线重叠的有源区。有源区包括至少一个有角拐角，该有角拐角邻近栅极线中的至少一条设置。通过光学邻近修正(OPC)工艺修改用于半导体器件的...

本发明提供了一种生成RC提取的修改布局的方法。一种方法包括：根据第一类型宽度变化确定原始布局的第i组布局图案的第一组宽度偏移值。原始布局具有与N个掩模相对应的N组布局图案，第i组布局图案具有与N个掩模中的第i个掩模相对应的第i个掩模分配...

本发明涉及存储芯片和制造存储芯片的布局设计。静态随机存取存储器(SRAM)芯片包括多个SRAM单元和多个单元电流跟踪单元。每个SRAM单元包括电源电压参考导体、第一接地参考导体、两个交叉耦合反相器、和两个传输栅极器件。每个单元电流跟踪单...

本发明提供了一种用于嵌入式闪存器件的集成电路。半导体衬底包括存储区和邻近存储区的逻辑区。逻辑器件布置在逻辑区上方并且包括金属栅极，金属栅极通过具有超过3.9的介电常数的材料与半导体衬底分隔开。闪存单元器件布置在存储区上方。闪存单元器件包...

本发明涉及形成BEOL金属化层的方法和相关联的装置，该方法使用不同的导电材料(例如，金属)来填充层间介电层中的不同尺寸的开口。在一些实施例中，本发明涉及集成芯片，集成芯片具有设置在第一BEOL金属化层内并且包括第一导电材料的第一多个金属...

在第一管芯和第二管芯上形成第一保护层，并且在第一保护层内形成开口。密封第一管芯和第二管芯，从而使得密封剂厚于第一管芯和第二管芯，并且在开口内形成孔。也可以将重分布层形成为在密封剂上方延伸，并且第一管芯可以与第二管芯分离。本发明实施例涉及...

本发明提供了电平位移装置，包括第一电容器，第一电容器的第一侧被配置为接收第一电压。电平位移装置还包括被配置为接收第一电压的边沿检测器。电平位移装置还包括连接至第一电容器的第二侧的输出反相器，输出反相器被配置为输出电平位移装置的电压电平位...

本发明提供了一种模数转换系统包括：跟踪及保持单元，被配置为输出输入值；数模(D/A)转换单元，被配置为生成反馈值；耦合单元，被配置为基于输入信号和反馈信号，生成误差信号；回路滤波器，被配置为生成经过过滤的误差信号值；比较单元，被配置为基...

本发明提供了一种嵌入式同步随机存取存储器(SRAM)芯片，包括第一单端口(SP)SRAM宏和第二SP SRAM宏。第一宏包括第一外围电路和多个第一SRAM单元。第二宏包括第二外围电路和多个第二SRAM单元。另外，多个第一SRAM单元中的...