本发明公开了一种信号传输的控制方法和装置、以及信号锁存装置，其中，该方法包括：将第一信号输入至第一锁存器；在第一锁存器对第一信号进行锁存期间，将第二信号输入至第一锁存器的输入端。本发明通过控制信号输入到锁存器的时间，减少锁存器在锁存多路...

本发明提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括第一衬底、第二衬底、多个通孔(TV)和多个导电帽。第一衬底具有设置在其上的至少一个电组件。第二衬底堆叠在第一衬底上。TV延伸穿过第二衬底以电连接至第一衬底的至少一个电组件。导电帽分别覆盖TV...

本发明提供了用于形成半导体器件结构的方法。该方法包括在衬底上方形成介电层。衬底具有鳍结构，并且介电层具有沟槽，该沟槽暴露出鳍结构的部分。该方法包括在沟槽中形成栅极材料层。该方法包括在栅极材料层上方形成平坦化层。平坦化层包括第一材料，第一...

一种方法包括使多个管芯和管芯附接膜的相应第一侧与载体晶圆的主要表面接触；以及同时地加热管芯附接膜的接触多个管芯的部分，以同时地将多个管芯接合至管芯附接膜。本发明实施例涉及管芯接合器及其使用方法。

一些实施例涉及一种集成电路(IC)。IC包括半导体衬底，半导体衬底包括闪速存储区和电容器区。闪速存储单元布置在闪速存储区上方以及包括布置在闪速存储单元的第一和第二源极/漏极区之间的多晶硅选择栅极。闪速存储单元也包括布置在选择栅极旁边并且...

提供了一种用于形成半导体器件结构的方法。该方法包括：在半导体衬底上方形成介电层和在介电层上方形成硬掩模层。该方法也包括实施等离子体蚀刻工艺以蚀刻硬掩模层从而形成开口，并且在等离子体蚀刻工艺中使用的气体混合物包括含氮气体、含卤素气体和含碳...

一种互连结构包括第一介电层、第一导体、蚀刻停止层、第二介电层和第二导体。第一介电层在第一介电层中具有至少一个孔。第一导体至少部分地设置在第一介电层的孔中。蚀刻停止层设置在第一介电层上。蚀刻停止层具有开口以至少部分地暴露出第一导体。第二介...

本发明提供了一种FinFET结构，包括多个鳍部、栅极和第一掺杂剂层。在多个鳍部上方基本垂直地设置栅极，以覆盖多个鳍部的部分顶面和部分侧壁。第一掺杂剂层覆盖第一鳍部的结部的顶面和侧壁，该第一掺杂剂层被配置为向第一鳍部的结部提供第一导电类型...

一种半导体器件包括：衬底、第一应变诱导源极和漏极结构、第一栅极结构、第一沟道区、第二应变诱导源极和漏极结构、第二栅极结构和第二沟道区。第一应变诱导源极和漏极结构的至少一个具有与第一沟道区的第一接近度。第二应变诱导源极和漏极结构的至少一个...

本发明提供一种半导体器件结构。半导体器件结构包括：衬底，具有第一源极区和第一漏极区。半导体器件结构包括：位于衬底上方的第一栅极，并且第一栅极介于第一源极区与第一漏极区之间。半导体器件结构包括：第一接触结构，位于第一源极区上方。第一接触结...

本发明包括一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置包括：一第一基材，具有一第一内连线结构；以及一第二基材，具有一第二内连线结构，该第一内连线结构连接该第二内连线结构，该第一内连线结构的第一宽度与该第二内连线结构的第二宽度不同。本发明提供...

本发明提供一种半导体结构的形成方法，该方法包括：提供一半导体基板；于该半导体基板的上方形成第一和第二栅极堆叠结构；于该半导体基板中形成第一和第二凹陷；进行一选择性成长步骤，以于该第一凹陷和该第二凹陷中成长一半导体材料，以同时且分别形成第...

本发明公开了一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置及其制造方法是一种具有外延层的半导体装置及其制造方法。半导体装置包括一基底，其内形成一沟槽且沟槽下方形成一凹口。凹口的侧壁具有(111)晶面取向(crystal orientation...

一种形成半导体集成电路(IC)的方法，该半导体IC在不考虑在IC的不同区中具有不同图案密度的情况下具有基本相等的栅极高度，该方法包括：提供在IC的第一区中具有第一图案密度和在IC的第二区中具有第二图案密度的衬底；在衬底之上形成第一多晶硅...

本发明提供了一种半导体器件。根据一些实施例，从第一多个鳍部和第二多个鳍部上方去除导电材料，其中，第一多个鳍部位于短栅极长度区域内，而第二多个鳍部位于长栅极长度区域内。通过首先利用至少一种蚀刻剂的低压和高流速的干蚀刻来执行去除，这使得导电...

本发明提供一种半导体器件，包括：衬底，具有有源区域；第一栅极结构，位于衬底的顶面上方；第二栅极结构，位于衬底的顶面上方；一对第一间隔件，位于第一栅极结构的每一个侧壁上；一对第二间隔件，位于第二栅极结构的每一个侧壁上；绝缘层，至少位于第一...

本发明公开了具有复合结构的半导体器件，该半导体器件包括沟道结构，该沟道结构具有：内芯杆，基本沿着半导体器件的沟道方向延伸；和外部套管层，设置在内芯杆上。内芯杆机械支撑半导体器件的沟道长度上的套管构件。本发明的实施例还涉及半导体器件的沟道...

本发明提供一种在多栅极器件结构内实施伪栅极结构的结构和方法，其中包括半导体器件，该半导体器件包括将第一有源区和第二有源区分隔开的隔离区。第一有源区邻近隔离区的第一侧而第二有源区邻近隔离区的第二侧。包括源极、漏极和栅极的器件形成在第一有源...

本发明提供一种发光装置芯片封装物及支撑结构的形成方法，该发光装置芯片封装物包括：发光装置芯片；以及支撑结构，其中该发光装置芯片设置于该支撑结构之上，且其中该支撑结构具有用于提供该发光元件芯片的电性连结的一第一组贯穿硅介层物以及用于提供该...

描述了用于IC制造的清洁诸如半导体衬底的方法，包括利用酸和碱中的一种以及臭氧的第一混合物、接下来通过酸和碱中的另一种以及臭氧的第二混合物清洁半导体衬底。清洁混合物可进一步包括去离子水。在一个实施例中，混合物被喷射到加热的衬底表面上。酸可...