本发明描述了堆叠器件和通过堆叠器件形成的电路。根据一些实施例，半导体柱从衬底垂直延伸。第一源极/漏极区域在半导体柱中。第一栅电极层横向环绕半导体柱并且垂直位于第一源极/漏极区域上方。第一栅极介电层夹置在第一栅电极层和半导体柱之间。第二源...

本发明是关于在垂直纳米导线晶体管中诱发局部应变。根据本发明一实施例的装置包含半导体衬底和所述半导体衬底上方的垂直纳米导线。所述垂直纳米导线包含底部源极/漏极区域、所述底部源极/漏极区域上方的沟道区域，以及所述沟道区域上方的顶部源极/漏极...

本发明公开了用于图案化鳍式场效应晶体管(FinFET)器件的鳍的方法。一种示例性方法包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上形成多个细长突出物，细长突出物在第一方向上延伸，以及形成覆盖细长突出物的第一部分的掩模，该掩模由具有第一蚀刻速率的第...

本发明提供了半导体结构，该半导体结构包括具有表面的半导体层和位于半导体层的表面上方的限定金属栅极的层间电介质(ILD)。该金属栅极包括高k介电层、覆盖层和功函金属层。远离覆盖层的拐角的覆盖层侧壁的厚度基本上薄于覆盖层底部的中心周围的厚度...

本发明提供了垂直全环栅(VGAA)。在实施例中，VGAA具有纳米线与第一接触焊盘和第二接触焊盘。使用栅电极来帮助限定纳米线内的沟道区。在其他实施例中使用了多个纳米线、多个底部接触件、多个顶部接触件、以及多个栅极接触件。本发明还提供了半导...

本发明提供了一种静态随机存取存储器(SRAM)单元，包括：第一上拉晶体管和第二上拉晶体管；与第一上拉晶体管和第二上拉晶体管形成交叉锁存的反相器的第一下拉晶体管和第二下拉晶体管；以及第一传输门晶体管和第二传输门晶体管。第一上拉晶体管和第二...

本发明提供了具有栅极堆叠件的半导体器件的结构和形成方法。本发明提供了半导体器件的结构和形成方法。半导体器件包括半导体衬底和位于该半导体衬底上方的第一栅电极。半导体器件还包括介于第一栅电极和半导体衬底之间的第一栅极介电层。半导体器件还包括...

一种制作发光二极管封装结构的方法及发光二极管元件，该方法包括将多个彼此分离的发光二极管芯片接合至一基板，其中各发光二极管芯片包括一n型掺杂层、一量子阱有源层、以及一p型掺杂层；在彼此分离的发光二极管芯片与基板上沉积一隔离层；蚀刻隔离层以...

本发明提供了具有凹进边缘的半导体器件及其制造方法。本发明提供了利用沿着封装件边缘的凹进区的器件和制造方法。例如，在集成扇出型封装件中，沿着划线去除再分布层的介电层，例如，聚合物层，从而使得在分割之后，介电层从管芯的边缘凹进。可以使拐角区...

本发明提供了具有包括突出底部的栅极间隔件的半导体器件结构及其形成方法。提供了半导体器件结构及其形成方法。该半导体器件结构包括衬底和形成在衬底上的栅极堆叠结构。该半导体器件结构还包括形成在栅极堆叠结构的侧壁上的栅极间隔件，并且栅极间隔件包...

本文讨论了封装件的形成方法和结构。在实施例中，方法包括形成背侧重分布结构，以及在形成背侧重分布结构之后，将第一集成电路管芯粘附至背侧重分布结构。该方法还包括用密封剂密封背侧重分布结构上的第一集成电路管芯，在密封剂上形成前侧重分布结构，以...

本发明提供了一种存储器结构。存储器宏包括多列以及多个切换电路。多列中的一列具有与该列中的多个存储单元相对应的多个电源电压节点。多个切换电路中的一个切换电路对应于多列中的一列并且被配置为选择性地将第一电压源的第一电压值或第二电压源的第二电...

本发明涉及一种MIM电容器，该MIM电容器包括复合电容器顶部金属(CTM)电极和复合电容器底部金属(CBM)电极。复合CBM电极包括覆盖第一金属层的第一扩散阻挡层，以及复合CTM电极包括覆盖第二金属层的第二扩散阻挡层。介电层布置在复合C...

提供一种鳍式场效应晶体管(FinFET)器件结构及其形成方法。FinFET器件结构包括衬底和从衬底延伸的鳍结构。FinFET器件结构还包括形成在衬底上的隔离结构。鳍结构具有顶部和底部，并且底部嵌入隔离结构中。FinFET器件结构还包括形...

本发明提供了一种半导体结构及其形成方法。半导体结构包括：衬底；和鳍结构，位于衬底上方。半导体结构还包括：第一引线结构，形成在鳍结构上方；以及源极结构和漏极结构，形成在鳍结构的相对两侧上。半导体结构还包括：栅极结构，形成在鳍结构上方。另外...

本发明提供一种半导体结构，包括：半导体衬底，包括第一面、与第一面相对的第二面和设置在半导体衬底中的辐射感测器件；层间介电层(ILD)，设置在半导体衬底的第一面上方；以及导电焊盘，穿过ILD且设置在半导体衬底中并被配置为与设置在ILD上方...

本发明提供了一种静态随机存取存储器(SRAM)单元，包括第一边界和与第一边界相对且平行的第二边界、第一和第二上拉晶体管、与第一和第二上拉晶体管形成交叉锁存反相器的第一和第二下拉晶体管、以及第一和第二传输栅极晶体管。第一上拉晶体管和第二上...

本发明提供了半导体结构和制造半导体结构的方法。半导体结构包括：衬底；位于衬底上的金属栅极结构；以及接近金属栅极结构的间隔件，间隔件具有延伸至金属栅极结构内并且与衬底接触的边缘部分。金属栅极结构包括高k介电层和位于高k介电层上的金属栅电极。

一种热传感器，包括具有第一和第二输入节点的比较器。参考电压发生器与第一输入节点电连接。参考电压发生器被配置为提供基本上与温度无关的参考电压。温度感测电路与第二输入节点电连接。温度感测电路被配置为提供依赖于温度的电压。温度感测电路包括电流...

本发明提供了一种FinFET半导体器件，包括在第一方向上延伸并从隔离绝缘层开始延伸的鳍结构。FinFET器件还包括栅叠件，其包括栅电极层、栅极介电层、设置在栅电极层的两侧处的侧壁绝缘层以及设置在侧壁绝缘层的两侧处的层间介电层。栅叠件设置...