本发明涉及用于半导体封装件的衬底设计及其形成方法。一种示例性器件，包括：第一管芯；沿着第一管芯的侧壁延伸的第一模塑料；和位于第一管芯和第一模塑料上的一个或多个第一重分布层(RDL)。该器件还包括：包括多个第二管芯的器件封装件，其中，器件...

本发明描述了一些示例性结构和方法。结构包括至少由包封剂横向包封的集成电路管芯以及位于集成电路管芯和包封剂上的再分布结构。再分布结构电连接至集成电路管芯。再分布结构包括位于至少包封剂上的第一介电层、位于第一介电层上的金属化图案、位于金属化...

本发明公开一种用于内部电路的ESD保护系统。该ESD保护系统包括：连接在第一域的第一焊盘与第二焊盘之间的ESD钳位器件；预驱动器，该预驱动器的输出端连接至ESD钳位器件的栅极；连接在预驱动器与内部电路之间的ESD控制电路；以及连接至ES...

本发明的实施例涉及一种电路，包括第一数据线、第二数据线、第一拉动器件、第二拉动器件、第三拉动器件和第四拉动器件。第一拉动器件被配置为：响应于第一控制信号而被激活或无效；以及被配置为：当第一拉动器件被激活时，基于第二数据线处的第二信号，将...

本发明提供一种用于存储操作的系统、器件以及方法。一个示例性的系统包括：锁存电路，该锁存电路被存储器件的多个存储块共享，并且该锁存电路被配置为提供一个或多个调节信号以用于存储操作；源信号线电路，该源信号线电路被多个存储块共享，并且被配置为...

本发明提供了一种半导体器件，包括衬底、逻辑栅极结构、光敏栅极结构、硬掩模层、第一间隔件、第一源极、第一漏极、第二间隔件、第二源极和第二漏极。逻辑栅极结构和光敏栅极结构设置在衬底的表面上。硬掩模层覆盖逻辑栅极结构、光敏栅极结构和衬底的表面...

一些实施例针对一种双极结晶体管(BJT)，BJT具有形成在半导体衬底的主体内的集电极区以及布置在半导体衬底的上表面上方的发射极区。BJT包括布置在半导体衬底的上表面上方的基极区，基极区将发射极区和集电极区垂直分隔开。基极区布置在导电基极...

一种半导体器件包括FinFET晶体管。FinFET晶体管包括在第一方向上延伸的第一鳍结构、栅极堆叠件以及源极和漏极。栅极堆叠件包括栅电极层和栅极介电层，栅极结构覆盖鳍结构的部分并且在与第一方向垂直的第二方向上延伸。每个源极和漏极均包括设...

在衬底上方形成可图案化层。在可图案化层上方形成光敏层。光敏层包含添加剂。添加剂至少包含浮动控制化学成分和容量控制化学成分。对光敏层实施旋转干燥和/或烘烤工艺。浮动控制化学成分使添加剂在旋转干燥或烘烤期间上升。此后，作为远紫外(EUV)光...

一种封装件包括：器件管芯、在其中模制器件管芯的模制材料以及在封装件的表面处的表面介电层。角部开口在表面介电层中。角部开口邻近封装件的角部。内部开口在表面介电层中。内部开口离封装件的角部比角部开口离封装件的角部更远。角部开口具有大于内部开...

本发明提供了半导体结构及其形成方法。半导体结构包括衬底和形成在衬底上方的鳍结构。半导体结构进一步包括围绕鳍结构形成的隔离结构以及横跨鳍结构形成的栅极结构。此外，栅极结构包括形成在鳍结构上方的第一部分和形成在隔离结构上方的第二部分，并且栅...

本发明提供一种电路，包括第一数据线、与第一数据线耦合的多个第一存储器单元以及与第一数据线耦合的数据传输电路。数据传输电路包括输出逻辑门。数据传输电路配置为：在多个第一存储器单元处于待机模式的第一工作模式中，设置输出逻辑门的输出节点以没有...

本发明公开一种形成半导体结构的方法，该方法包括：提供一半导体基底；形成一栅极介电层于该半导体基底上，其中该半导体基底与该栅极介电层的一侧壁具有一接合点；形成一栅极电极于该栅极介电层上；形成一掩模层于该半导体基底与该栅极电极上，其中邻接该...

本发明提供了半导体器件的结构和形成方法。该半导体器件包括半导体衬底和位于半导体衬底上方的第一导电部件。该半导体器件也包括位于半导体衬底上方并且围绕第一导电部件的第一介电层。该半导体器件还包括位于第一导电部件上方的第二导电部件，并且第二导...

本发明提供一种方法，包括处理集成电路的布局，以确定集成电路的一个或多个部件的一种或多种属性。方法还包括从与制造集成电路相关联的工艺文件中提取一个或多个工艺参数。基于包括在工艺文件中的一个或多个逻辑函数，从工艺文件中提取一个或多个工艺参数...

本发明涉及一种非平面的FEOL(前道工序)电容器和一种相关的制造方法，该非平面的FEOL电容器包括设置在电极间的电荷捕获介电层。在一些实施例中，非平面的FEOL电容器具有设置在衬底上方的第一电极。电荷捕获介电层在衬底上设置在邻近第一电极...

提供了一种半导体结构及其形成方法。用于制造半导体结构的方法包括：在衬底上方形成源极/漏极结构和在源极/漏极结构上形成金属层。用于制造半导体结构的方法还包括：使金属层的部分与源极/漏极结构反应以在源极/漏极结构上形成金属化层。用于制造半导...

一种器件包括中介层，中介层包括具有顶面和底面的衬底。多个衬底通孔(TSV)穿过衬底。多个TSV包括具有第一长度和第一水平尺寸的第一TSV，以及具有不同于第一长度的第二长度和不同于第一水平尺寸的第二水平尺寸的第二TSV。互连结构被形成为置...

本发明的一些实施例涉及布置在半导体衬底上的集成电路(IC)，该半导体衬底包括闪存区域、电容器区域和逻辑区域。电容器区域的上部衬底表面分别相对于闪存区域和逻辑区域的相应的上部衬底表面凹进。包括多晶硅底部电极、布置在多晶硅底部电极上方的导电...

本发明涉及用于嵌入式闪存存储器件的集成电路(IC)。在一些实施例中，IC包括设置在半导体衬底上方的存储阵列区和围绕存储阵列区的边界区。包括多个离散部分的硬掩模设置在存储阵列区处。硬掩模设置在存储阵列区的控制介电层下方。本发明还涉及一种改...