【技术实现步骤摘要】
201610182673
【技术保护点】
一种器件，包括：中介层，包括具有顶面和底面的衬底；多个衬底通孔(TSV)，穿过所述衬底，其中，所述多个TSV包括具有第一长度和第一水平尺寸的第一TSV和具有不同于所述第一长度的第二长度以及不同于所述第一水平尺寸的第二水平尺寸的第二TSV；以及第一互连结构，被形成为置于所述衬底的所述顶面上并且电连接至所述多个TSV。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：蔡柏豪，林俊成，余振华，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。