形成半导体结构的方法技术

本发明专利技术公开一种形成半导体结构的方法，该方法包括：提供一半导体基底；形成一栅极介电层于该半导体基底上，其中该半导体基底与该栅极介电层的一侧壁具有一接合点；形成一栅极电极于该栅极介电层上；形成一掩模层于该半导体基底与该栅极电极上，其中邻接该接合点的该掩模层的一第一部份至少薄于远离该接合点的该掩模层的一第二部份；在形成该掩模层的步骤之后，执行一环形/口袋注入以引进一环形/口袋掺杂物进入该半导体基底；以及在该环形/口袋注入后，移除该掩模层。其发明专利技术可以降低源极/漏极与源极/漏极延伸区电阻与降低价电子带到传导带的漏电流。

【技术实现步骤摘要】
201610446468

【技术保护点】
一种形成半导体结构的方法，该方法包括：形成一栅极介电层于一半导体基底上，其中该半导体基底与该栅极介电层的一侧壁具有一接合点；形成一栅极电极于该栅极介电层上；以沉积方法形成一由氮化硅、氧化硅和/或氮氧化硅所形成的掩模层于该半导体基底的一源/漏极区与该栅极电极顶部与侧壁上，该栅极电极的侧壁与该栅极介电层的侧壁对齐，其中该掩模不延伸邻接该接合点，或具有邻接该接合点的该掩模层的一第一部份，其薄于远离该接合点的该掩模层的一第二部份；在形成该掩模层的步骤之后，但当该掩模层于该栅极电极顶部与侧壁上时，执行一环形/口袋注入以引进一环形/口袋掺杂物进入该半导体基底，其中在该环形/口袋注入后，在掩模层的该第二部分存在的区域中，该环形/口袋掺杂物具有一最高浓度于该掩模层中；以及在该环形/口袋注入后，移除该掩模层。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：余振华，邱奕杭，杨淑婷，许志成，傅竹韵，林正堂，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71