本发明提供了一种半导体器件，包括衬底和金属化层。衬底具有包括相对的第一边缘和第二边缘的有源区。金属化层设置在衬底上方并且包括一对金属线和金属板。金属线从有源区的外周边延伸进有源区并且朝向有源区的第二边缘延伸。金属板互连金属线并且金属板的...

本发明的一些实施例提供了半导体器件结构及其制造方法。该半导体器件包括半导体衬底；位于半导体衬底的鳍结构上方的栅极结构；位于栅极结构下方的鳍结构的沟道部分；以及设置在半导体衬底上方并且与沟道部分接触的至少一个外延区。外延区包括具有大于半导...

一种半导体器件包括：第一和第二FinFET晶体管以及由绝缘材料制成并且设置在第一和第二FinFET晶体管之间的分离插塞。第一FinFET晶体管包括在第一方向上延伸的第一鳍结构、形成在第一鳍结构上方的第一栅极电介质和形成在第一栅极电介质上...

在一些实施例中，半导体器件包括第一有源区、第二有源区和导电金属结构。第二有源区与第一有源区分隔开。导电金属结构布置为连接第一有源区与第二有源区。导电金属结构包括第一支柱、第二支柱和主体。第二支柱与第一支柱分隔开且主体在第一支柱和第二支柱...

一种衬底上具有栅极且栅极与源极/漏极(S/D)相邻的半导体器件。第一介电层覆盖栅极和S/D区域，第一介电层具有位于S/D区域上的第一接触孔且第一接触插塞由第一材料形成，第一接触插塞与各自的S/D区域连接。第二介电层覆盖第一介电层和第一接...

一种三维集成电路包括第一层和电连接至所述第一层且相对于所述第一层以堆叠关系设置的第二层。逻辑电路系统集成在第一层中且输入输出电路的输入输出电路系统集成在第二层中。本发明还涉及用于集成电路的输入输出。

本发明涉及金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器和形成方法。在一些实施例中，MIM电容器具有布置在半导体衬底上方的电容器底部金属(CBM)电极。MIM电容器具有设置在CBM电极上方的高k电介质和布置在高k介电层上方的电容器顶部金属(CTM)...

本发明的实施例借由动态库存控制的方法与系统满足适当控制半导体产品库存的需求。该方法与系统适时修正影响库存的参数。该参数可能包括目标库存、周期时间、初制晶片、未来库存与未来货运。另外，该方法与系统收集了即时的客户需求预测来辅助生产计划与调...

提供了具有基于V族氧化物和氧化铪的高κ层的电阻式随机存取存储器(RRAM)单元。RRAM单元包括底部电极层；V族氧化物层，布置在底部电极层上方；和氧化铪基层，布置在V族氧化物层上方并且邻接V族氧化物层。RRAM单元还包括覆盖层，布置在氧...

本发明提供一种静态随机存取存储器与半导体装置的制造方法,该静态随机存取存储器的制造方法包括提供一基板；于基板上,形成一第一虚拟图案；沿着第一虚拟图案的至少一侧壁,形成一第一间隙壁；移除第一虚拟图案；以及借由移除未被第一间隙壁覆盖的部分上...

本发明公开了用于无掩模直写光刻的系统和方法。该方法包括：接收表示集成电路(IC)布局的多个像素；识别适合于第一压缩方法的像素的第一子集；以及识别适合于第二压缩方法的像素的第二子集。该方法还包括分别使用第一压缩方法和第二压缩方法压缩第一子...

本发明提供一种静电放电(ESD)结构，包括输入焊盘和电连接至输入焊盘的第一开关器件。ESD结构还包括第一二极管，其中第一开关器件被配置为将第一二极管选择性地连接至输入焊盘，并且第一二极管被配置为提供用于输入焊盘处的ESD事件的第一消耗路...

本发明提供一种半导体结构，包括：有源区，具有第一表面；隔离区，具有第二表面，隔离区围绕有源区，第一表面高于第二表面；以及金属栅极，具有设置在第一表面和第二表面上方的多个金属层。多个金属层中的至少一个层的最薄部分与最厚部分的比率约大于40...

一种半导体Fin FET器件包括设置在衬底上方的鳍结构。鳍结构包括沟道层。Fin FET器件也包括栅极结构，栅极结构包括栅电极层和栅极介电层，覆盖鳍结构的部分。侧壁绝缘层设置在栅电极层的两个主要侧面上方。Fin FET器件包括源极和漏极...

本发明提供了一种带隙基准电压电路，包括带隙基准电压生成器和启动电流生成器。带隙基准电压生成器被配置为生成第一电压和第二电压。启动电流生成器包括电压比较器和开关。电压比较器连接至带隙基准电压生成器，并且被配置为将第一电压与第二电压和偏移电...

第一反相器的输入端被配置为用作输入端节点。第一反相器的输出端连接至第二反相器的输入端。第二反相器的输出端被配置为用作输出端节点。第三反相器的输入端连接至第一反相器的输入端。第一NMOS晶体管的栅极连接至第三反相器的输出端。第一NMOS晶...

本发明公开了一种半导体器件以及形成方法。半导体器件包括器件管芯、围绕器件管芯的模制层、形成在模制层中的多个第一垂直导电结构以及形成在模制层中的多个第二垂直的互连结构。第一垂直导电结构和第二垂直导电结构相互交错，以及绝缘结构形成在第一垂直...

用于制造半导体器件的方法包括在衬底上方形成鳍结构。形成隔离绝缘层，使得鳍结构的上部突出于隔离绝缘层。在部分鳍结构上方形成栅极结构。在鳍结构的两侧处的隔离绝缘层中形成凹槽。在未由栅极结构覆盖的部分鳍结构中形成凹槽。鳍结构中的凹槽和隔离绝缘...

本发明提供了用于微电子机械系统(MEMS)器件的衬底结构、半导体结构及其制造方法。在各个实施例中，用于MEMS器件的衬底结构包括衬底、MEMS器件和抗粘层。MEMS器件位于衬底上方。抗粘层位于MEMS器件的表面上，并且包括非晶碳、聚四氟...

一种集成电路包括在集成电路的第一金属层级上的第一导线。集成电路还包括在集成电路的第二金属层级上的第二导线。集成电路还包括将第一导线与第二导线电连接的槽孔。槽孔与第一导线以及与第二导线重叠。槽孔延伸超出第一导线或第二导线的至少一个的外围。...