【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种半导体结构，包括：有源区，具有第一表面；隔离区，具有第二表面，所述隔离区围绕所述有源区，所述第一表面高于所述第二表面；以及金属栅极，具有设置在所述第一表面和所述第二表面上方的多个金属层，其中，所述多个金属层中的至少一个层的最薄部分与最厚部分的比率约大于40％。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：洪奇成，王喻生，苏丁香，苏庆煌，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71
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