本发明提供一种无LDD的半导体结构，其包括：半导体层；栅极，位于半导体层上方；以及再生长区域，由半导体材料制成且位于半导体层中。再生长区域形成无LDD的半导体结构的源极区域或漏极区域。栅极包括通过栅极间隔件侧面覆盖的栅电极层。再生长区域...

本发明提供了一种用于生成参数图案的方法，包括：在工件的表面上的多个区域上实施多个测量，以获得多个测量结果；以及根据多个测量结果，通过计算机导出参数图案；其中，参数图案包括与工件的表面上的多个区域中的每个对应的多个区域性参数值。本发明提供...

本发明的实施例提供了一种锁存器电路，包括：第一输入节点；第二输出节点；第一输出节点；第二输出节点；第一开关器件，耦接在第一输出节点与第二输出节点之间；以及第一放大电路，与第一输入节点、第二输入节点、第一输出节点和第二输出节点耦接。第一开...

本发明提供了与图像传感器读出兼容的模数转换器。时间数字转换器(TDC)包括：同步器，被配置为接收停止信号和主时钟信号，其中同步器被配置为生成时钟停止信号和计数器使能信号。TDC还包括：粗计数器，被配置为接收主时钟信号和计数器使能信号，其...

本发明提供了一种输入/输出电路。电路，包括：第一电源节点；输出节点；驱动器晶体管，连接在第一电源节点与输出节点之间；以及竞争电路。驱动器晶体管被配置为：响应于输入信号的第一类型的边沿而导通，以及响应于输入信号的第二类型的边沿而截止。驱动...

本发明提供了一种形成用于制造集成电路的一组掩模的方法，包括：确定原始布局设计中的第一通孔布局图案和电源轨布局图案的存在。第一通孔布局图案和电源轨布局图案彼此重叠。第一通孔布局图案是原始布局设计的第一单元布局的一部分。原始布局设计的第一单...

本发明提供一种物理气相沉积系统与应用其的物理气相沉积方法，物理气相沉积系统包含腔室、盖板、台座与准直器。盖板置于腔室上以用于固持靶材。台座置于腔室中以用于支撑晶圆。准直器安装在盖板与台座之间。准直器包含多个侧壁板，侧壁板共同形成多个通道...

本发明公开了带隙电路和相关方法。器件包括带隙基准级、镜像电流源、电压控制电路和电阻器件。镜像电流源具有电连接至带隙基准级的内部节点的控制端子。电压控制电路包括电连接至带隙基准级的第二内部节点的第一端子和电连接至镜像电流源的第一端子的第二...

根据一些实施例，本发明实施例提供了一种用于制造集成电路的方法。方法包括：在半导体衬底上形成沟槽，从而限定鳍式有源区；提取鳍式有源区的轮廓；根据鳍式有源区的轮廓确定蚀刻剂量；用介电材料填充在沟槽中；以及使用蚀刻剂量对介电材料实施蚀刻工艺，...

本发明提供了一种集成电路(IC)结构。IC结构包括：具有形成在一个表面上的多个导电部件的第一衬底；以及与第一衬底机械接合并且电连接的多个芯片。芯片的第一芯片具有附接至导电部件的第一导电部件的第一凸块。第一凸块在与第一衬底的表面平行的平面...

一种器件包括：延伸至半导体衬底内的隔离区，其中，位于隔离区的相对部分之间的衬底带具有第一宽度。源极/漏极区具有覆盖衬底带的部分，其中，源极/漏极区的上部具有比第一宽度更大的第二宽度。源极/漏极区的上部具有基本垂直侧壁。源极/漏极硅化物区...

半导体封装件包括载体、至少一个粘合剂部分、多个微引脚和管芯。载体具有第一表面和与第一表面相对的第二表面。粘合剂部分设置在第一表面上，并且多个微引脚设置在粘合剂部分中。管芯设置在没有微引脚的剩余的粘合剂部分上。本发明的实施例还涉及用于半导...

一种器件包括：第一半导体条、环绕第一半导体条的第一栅极电介质、与第一半导体条重叠的第二半导体条以及环绕第二半导体条的第二栅极电介质。第一栅极电介质接触第二栅极电介质。栅电极具有位于第二半导体条上方的部分以及位于第一和第二半导体条和第一和...

本发明提供了一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括衬底和在衬底上方形成的栅极结构。半导体结构还包括邻近栅极结构在衬底中形成的第一源极/漏极结构和第二源极/漏极结构。半导体结构还包括在衬底上方形成的层间介电层，层间介电层覆盖栅极结构、...

一种半导体结构包括衬底、至少一个第一外延层和至少一个第二外延层。衬底具有在其中多维布置的多个凹槽。第一外延层至少设置在衬底的凹槽中。第二外延层设置在第一外延层上。本发明实施例涉及半导体结构及其制造方法。

本发明揭露一种互补式金氧半场效晶体管结构及制作其的方法。堆叠的互补式晶体管使用选择性沉积技术来形成一个直立柱体，下部包含一半导体的类型(例如锗)，上部包含另一种类型的半导体(例如砷化铟)。垂直柱体下部提供一类型晶体管的通道区，上部提供另...

提供了半导体器件和制造方法。在实施例中，在半导体晶圆内形成第一半导体器件和第二半导体器件，并且图案化第一半导体器件和第二半导体器件之间的划线区。然后，在划线区内利用分割工艺以将第一半导体器件与第二半导体器件分割开。然后将第一半导体器件和...

本发明描述了一种包括二维(2D)材料的半导体器件及其制造方法。在实施例中，用于制造包括2D材料的半导体器件的方法可以包括：在衬底上外延形成第一2D材料层；以及在第一2D材料层上方形成第二2D材料层，第一2D材料层和第二2D材料层的组分不同。

本发明提供了修复半导体掩模的方法和工具。方法包括以下步骤：将半导体掩模置于包括修复工具的修复室中；向修复室提供第一气体和第二气体。第一气体包括用于修复掩模上的缺陷的修复材料，并且第二气体包括极性气体并帮助修复材料沉积在半导体掩模上。方法...

本发明公开一种形成半导体装置的方法及多种图案化半导体装置的方法。一实施例为一种形成半导体装置的方法，此方法包括：图案化半导体装置层上方所安置的心轴层以形成心轴；使用第一材料在心轴的侧壁上形成第一组间隔垫；选择性移除第一组间隔垫之间所安置...