本发明公开了一种包括存储器单元、字线、选择单元和自升压驱动器的电子器件。将存储器单元配置为存储数据。字线连接至存储器单元。选择单元设置在字线的第一端处，并且被配置为传输选择信号，以根据读命令和写命令中的一个来激活字线。自升压驱动器设置在...

本发明是关于硅基中层组合物及相关方法。根据本发明一实施例，一制造半导体元件的方法包含：于衬底上形成第一材料层，所述第一材料层包含具有烷基的硅基组件；于所述第一材料层上直接形成光阻层；以及将所述光阻层暴露于辐射源之下。

本发明提供了一种制造半导体器件的方法。方法包括：提供半导体衬底；在半导体衬底中至少部分地形成导电区；在衬底上方形成介电层；在介电层上方形成硬掩模，硬掩模具有位于导电区上方的开口；通过第一蚀刻气体干蚀刻介电层以形成凹进的部件，其中，因此在...

提供了涂布技术和底漆材料。在示例性实施例中，涂布技术包括接收衬底和识别其上将形成层的衬底的材料。底漆材料分配在衬底的材料上，以及将成膜材料施加至底漆材料。底漆材料包括包含基于衬底材料的属性的第一基团和基于成膜材料的属性的第二基团的分子。...

本发明涉及半导体装置的制造方法。本揭露内容提供一种形成鳍式晶体管(FinFET)装置的方法。此方法包含形成第一应变释放缓冲(SRB)堆叠于基板之上。第一SRB堆叠与基板间具有晶格不匹配，其产生螺旋状差排缺陷特征于该第一SRB堆叠之中。此...

本发明提供一种存储器电路，包括第一存储单元和与第一存储单元相邻的第二存储单元。第一存储单元包括：第一字线跨接线部，与第一存储单元的传输器件电耦接；和第二字线跨接线部。第二存储单元包括：第一字线跨接线部；和第二字线跨接线部，与第二存储单元...

本发明提供一种半导体装置及其形成方法。模板层形成于基板之上，该模板层中具有凹部。多个纳米线形成于该凹部中。栅极堆叠形成于基板之上，该栅极堆叠包围多个纳米线。使用多个纳米线可改良栅极控制，而于此同时维持高通态电流ION。

本发明涉及一种制造一半导体装置的方法。该方法包括：形成一材料层于一基板之上；形成一负型光致抗蚀剂层于该材料层之上；对该负型光致抗蚀剂层执行一曝光工艺；对该负型光致抗蚀剂层执行一曝光后烘烤工艺；在该曝光工艺与该曝光后烘烤工艺之后，以一溶剂...

本发明实施例提供一种封装件，包括器件管芯、环绕器件管芯的成型材料、以及位于器件管芯和成型材料上方的底部介电层，其中，成型材料的顶面与器件管芯的顶面基本齐平。多个再分布衬里(RDL)延伸至底部介电层内并且电耦接至器件管芯。顶部聚合物层位于...

本发明提供了器件制造及其封装方法。本发明的一些实施例提供了一种半导体器件。该半导体器件包括第一导电层和位于第一导电层上方的第二导电层。第二导电层包括第一部分和从第一部分突出的第二部分。通孔结构位于第二导电层下方和第一导电层的顶部上。通孔...

本发明提供了一种半导体器件结构。半导体器件结构包括衬底和位于衬底上方的第一介电层。半导体器件结构包括位于第一介电层上方的第二介电层。第一介电层和第二介电层由不同的材料制成。半导体器件结构包括穿过第一介电层并且穿入第二介电层内的导电通孔结...

检测系统以及检测方法。一薄膜设置于一蚀刻掩模之上，一声波生成器放置在薄膜之上，声波生成器用来产生多个声波以使薄膜以一目标共振频率振动。一共振检测工具用来检测回应声波的薄膜的一实际共振频率。一或多个电子处理器利用从目标共振频率到实际共振频...

本发明提供了一种半导体结构。该半导体结构包括在衬底上形成的鳍结构；在鳍结构上方形成的栅极堆叠件；位于衬底上方并且在栅极堆叠件的相对两侧上设置的源极/漏极区；在鳍结构中限定并且位于栅极堆叠件的下面的沟道区，其中，沟道区是未掺杂的；以及垂直...

本发明提供了半导体器件结构的结构和形成方法。半导体器件结构包括：栅极堆叠件，位于半导体衬底上方；和源极/漏极结构，邻近栅极堆叠件。半导体器件结构还包括：覆盖元件，位于源极/漏极结构上方。覆盖元件具有顶面和侧面。覆盖元件的顶面与侧面的宽度...

一种半导体器件包括：衬底；位于衬底上的鳍结构，该鳍结构包括掺杂区域；位于鳍结构上方的第一栅极，第一栅极邻近掺杂区域放置，第一栅极在第一侧上具有间隔件并且在栅极与掺杂区域之间的第二侧上没有间隔件；以及接触掺杂区域和栅极的顶部的导电插塞。本...

本发明提供一种半导体器件结构。该半导体器件结构包括半导体衬底。该半导体器件结构包括位于半导体衬底上方的第一介电层。该半导体器件结构包括嵌入在第一介电层中的第一导线。该半导体器件结构包括位于第一介电层和第一导线上方的第二介电层。该半导体器...

本发明提供了半导体器件及其制造方法。半导体器件包括衬底、半导体鳍、栅极堆叠件和外延结构。半导体鳍设置在衬底中。半导体鳍的一部分从衬底凸出。栅极堆叠件设置在从衬底凸出的半导体鳍的部分的上方。外延结构设置在衬底上并紧邻栅极堆叠件。外延结构具...

一种探针头包括第一衬底、第二衬底、间隔件、至少一根探针和绝缘材料。第一衬底具有至少一个第一通孔。第二衬底具有至少一个第二通孔。间隔件设置在第一衬底与第二衬底之间。间隔件、第一衬底和第二衬底共同形成腔体。探针设置在腔体中，并且探针从第一通...

本发明的实施例提供了一种用于背照式(BSI)像素传感器的半导体结构。光电二极管布置在半导体衬底内。复合栅格包括：金属栅格和低折射率(低n)栅格。金属栅格包括位于半导体衬底上面并且对应于光电二极管中的一个的第一开口。低n栅格包括位于半导体...

本发明提供了晶体管、集成电路和制造集成电路的方法。在各个实施例中，晶体管包括源电极、至少一个半导体沟道、栅电极、漏电极和漏极焊盘。源电极设置在衬底中。半导体沟道基本垂直于源电极延伸。栅电极环绕半导体沟道。漏电极设置在半导体沟道的顶部上。...