本发明提供了用于控制半导体制造中的处理温度的方法。该方法包括检测配置为处理半导体晶圆的第一室中的温度。该方法还包括在第二室中产生热交换介质的流体以冷却第一室，第二室连接至第一室。该方法也包括根据第一室中的检测的温度，通过改变第一通风单元...

本发明公开了互连结构、封装的半导体器件和半导体器件的封装方法。在一些实施例中，互连结构包括第一后钝化互连(PPI)层。第一PPI层包括接合焊盘和靠近接合焊盘的阴影焊盘材料。聚合物层位于第一PPI层上方，并且第二PPI层位于聚合物层上方。...

提供一种用于形成互连结构的方法。该方法包括提供衬底。该方法还包括在衬底上形成介电层，并且介电层包括极低k(ELK)介电层。该方法包括在介电层中形成通孔以及在通孔中和在介电层上形成光刻胶。该方法还包括通过使用CxHyOz气体的等离子体工艺...

本发明提供了一种用于制造半导体结构的方法。多个沟槽形成在衬底中。沟槽限定位于其之间的至少一个鳍。鳍被氢退火。介电材料形成在沟槽中。沟槽中的介电材料被凹入。本发明还提供了一种半导体结构。

半导体结构包括衬底、第一半导体鳍、第二半导体鳍和第一轻掺杂漏极(LDD)区。第一半导体鳍设置在衬底上。第一半导体鳍具有顶面和侧壁。第二半导体鳍设置在衬底上。第一半导体鳍和第二半导体鳍彼此间隔开纳米尺度的距离。第一轻掺杂漏极(LDD)区至...

本发明公开了一种半导体结构和方法。半导体结构包括：介电质波导，垂直设置在第一层与第二层之间；驱动器管芯，被配置为在第一输出节点处生成驱动信号；第一传输电极，沿着介电质波导的第一侧放置并且被配置为接收来自第一输出节点的驱动信号；第一接收器...

本发明提供了用于处理半导体晶圆的方法。该方法包括在封闭的放电室中对半导体晶圆实施放电工艺。该方法还包括在放电工艺之后通过使用第一处理模块处理半导体晶圆。在放电工艺期间，基于半导体晶圆的表面的特性来调节施加在半导体晶圆上的带电粒子。本发明...

本发明的一些实施例提供了一种背照式(BSI)图像传感器。背照式(BSI)图像传感器包括：半导体衬底；以及层间介电(ILD)层，位于半导体衬底的前侧处。ILD层包括：介电层，位于半导体衬底上方；和接触件，部分地掩埋在半导体衬底内部。接触件...

本发明提供了一种半导体结构，包括：衬底，衬底包括第一侧和第二侧，第二侧与第一侧相对设置的并且配置为接收电磁辐射；阻挡层，设置在衬底的第二侧上方；滤色镜，设置在阻挡层上方；以及栅格，围绕滤色镜并且设置在阻挡层上方，其中，阻挡层配置为吸收或...

用于形成器件封装件的方法包括在多个管芯周围形成模塑料以及在管芯上方层压聚合物层。在形成模塑料时，管芯的顶面由膜层覆盖，并且聚合物层横向延伸超出管芯的边缘部分。该方法还包括在聚合物层中形成导电通孔，其中，导电通孔在管芯的一个的顶面处电连接...

一种封装件包括器件管芯、其中模制器件管芯的至少一部分的模制材料以及基本穿透模制材料的通孔。该封装件还包括接触通孔和模制材料的介电层以及附接至器件管芯的背侧的管芯附接膜。管芯附接膜包括延伸到介电层中的部分。本发明还提供了具有不连续聚合物层...

本发明涉及结合不同图案材料的光学光刻技术。具体的，本发明提供一种用于图案化工件的技术，所述工件例如集成电路工件。在示范性实施例中，所述方法包含接收工件，所述工件具有设置在衬底上的材料层。第一组鳍形成在所述材料层上，并且第二组鳍形成在所述...

本发明提供了具有介电栅格开口的背侧照明(BSI)图像传感器，介电栅格开口具有弯曲的下表面。像素传感器布置在半导体衬底内。金属栅格布置在像素传感器上方并且限定金属栅格开口的侧壁。介电栅格布置在金属栅格上方并且限定介电栅格开口的侧壁。覆盖层...

本发明公开了一种锁相环(PLL)电路。PLL电路包括：检测电路，被配置为检测数字化控制振荡器(DCO)时钟信号与参考时钟信号之间的相位差，并且基于检测的相位差来生成差分信号；数字化差分生成器，耦合至检测电路，并且被配置为基于差分信号来生...

一种制造FinFET器件的工艺，并且该工艺包括以下步骤。从衬底形成有源鳍结构和伪鳍结构，并且隔离层覆盖在有源鳍结构和伪鳍结构上方。然后，去除位于伪鳍结构之上的隔离层，并且选择性蚀刻伪鳍结构，其中伪鳍结构与隔离层的选择性比率超过8。

器件封装件包括半导体器件管芯、位于钝化层上方并且电连接至器件管芯的第一导线以及位于钝化层上方并且电连接至器件管芯的第二导线，半导体器件管芯包括顶面处的钝化层。第一导线厚于第二导线，并且第一导线和第二导线形成在相同的器件封装件层中。本发明...

封装件包括第一模制材料、位于第一模制材料中的下层级器件管芯、位于下层级器件管芯和第一模制材料上方的介电层以及延伸至第一介电层以电连接至下层级器件管芯的多条重分布线。该封装件还包括位于介电层上方的上层级器件管芯以及将上层级器件管芯模制在其...

提供了一种半导体结构及其形成方法。半导体结构包括：衬底；鳍结构，从衬底突出，鳍结构沿着第一方向延伸；隔离部件，设置在鳍结构的两侧上；栅极结构，位于鳍结构上方并且沿着垂直于第一方向的第二方向在隔离部件上延伸；以及其中，栅极结构包括第一部分...

本发明的实施例提供了一种存储器宏中的跟踪电路，包括数据线、与数据线电耦合的跟踪单元、逻辑门、反馈晶体管和多个拉动器件。逻辑门具有输入端子和输出端子。逻辑门的输入端子与数据线电耦合。反馈晶体管具有第一端子、第二端子和栅极端子。反馈晶体管的...

本发明涉及集成电路(IC)，IC包括布置在半导体衬底上方的具有一对分裂栅极闪存单元的闪存器件区。该一对分裂栅极闪存单元分别具有控制栅极(CG)，CG包括多晶硅栅极和上面的硅化物层。外围电路包括一个或多个高k金属栅极(HKMG)晶体管，外...