一种半导体结构包括半导体衬底、n‑型源极个漏极应力源和栅极堆叠件。半导体衬底具有位于半导体衬底中的源极和漏极凹槽。n‑型源极和漏极应力源分别存在于源极和漏极凹槽中。n‑型源极和漏极应力源的至少一个具有氢终止的表面。栅极堆叠件存在于半导体...

本发明描述了具有位于源极和漏极区域之间的重叠结构的隧穿场效应晶体管以提供更大的隧穿区域。源极或漏极区域可以是半导体衬底中的掺杂区域。可以通过在掺杂区域上方的外延沉积来形成其他源极或漏极区域。栅极形成在外延区域上方，其中掺杂和外延区域重叠...

本发明提供一种制造MEMS器件的方法，包括在载体衬底上方的牺牲层上形成多个圆边沟槽。然后，在牺牲层上方形成多晶硅层，以填充沟槽。多个制动器由沟槽限定并且从多晶硅层朝向载体衬底突出。随后，去除牺牲层的一部分，以在多晶硅层与载体衬底之间限定...

用于监测污染物的系统包括适合于提供与从室排出的净化气体混合的含湿气螯合气体的含湿气螯合气体供应器、适合于将包括含湿气螯合气体和净化气体的混合气体冷凝成液滴的冷却设备、适合于将液滴收集在采样管壁上和混合气体中的冲击式采样器以及导电率计。液...

本发明提供了一种形成IC(集成电路)器件的方法。方法包括：接收第一晶圆，第一晶圆包括第一衬底并且包括设置在其上表面上的等离子体反射层。等离子体反射层配置为从其反射等离子体。在第二晶圆的下表面上形成介电保护层，其中，第二晶圆包括第二衬底。...

本发明公开了栅极结构和形成栅极结构的方法。在一些实施例中，方法包括在衬底中形成源极/漏极区，以及在源极/漏极区之间形成栅极结构。该栅极结构包括位于衬底上方的栅极介电层、位于栅极介电层上方的功函调节层、位于功函调节层上方的第一金属、位于第...

一种示例性封装件包括第一扇出层、位于第一扇出层上方的扇出再分布层(RDL)以及位于扇出RDL上方的第二扇出层。第一扇出层包括一个或多个第一器件管芯以及沿着一个或多个第一器件管芯的侧壁延伸的第一模塑料。第二扇出层包括接合至扇出RDL的一个...

本发明提供集成电路中的一种智力成果(IP)模块部分，包括第一稳压器、第一电路、电源转换器和第二电路。第一稳压器配置为接收电源电压并且生成第一输出电压。第一电路与第一稳压器耦接并且配置为接收第一输出电压。电源转换器包括：充电泵，配置为接收...

描述了栅极上的缓冲层及其形成方法。根据一个方法实施例，形成栅极结构。该栅极机构包括位于衬底上方的栅极电介质，位于栅极电介质上方的功函调整层，位于功函调整层上方的含金属材料。缓冲层形成在含金属材料上。介电材料形成在缓冲层上。根据一种结构实...

本发明提供了一种用于蚀刻形成在晶圆的正面上的蚀刻层的方法和一种晶圆蚀刻装置。晶圆蚀刻装置包括第一流道、温度调节模块和第二流道。第一流道被配置为运送用以控制晶圆的温度的预热/预冷的液体。温度调节模块连接至第一流道。温度调节模块被配置为控制...

本发明提供了包括衬底、栅电极和感测阱的生物器件。衬底包括源极区、漏极区、沟道区、主体区和感测区。沟道区设置在源极区和漏极区之间。感测区至少设置在沟道区和主体区之间。栅电极至少设置在衬底的沟道区上或之上。感测阱至少邻近感测区设置。本发明的...

集成电路芯片包括第一类型的存储单元和第二类型的存储单元。第一类型的存储单元包括第一参考线接合焊盘和第一字线接合焊盘。第一类型的存储单元的第一参考线接合焊盘和第一类型的存储单元的第一字线接合焊盘沿着第一方向对准。第二类型的存储单元包括沿着...

本发明涉及MEMS衬底。在一些实施例中，MEMS衬底包括具有微电子机械系统(MEMS)器件的器件衬底以及定位在邻近MEMS器件的位置处的器件衬底上方的接合材料的层。盖衬底具有设置在邻接接合材料的层的表面内的凹陷。盖衬底内的凹陷形成垂直设...

一种光具座包括其中具有沟槽的衬底和在沟槽内的光发射器件。该光具座还包括光学连接至光发射器件的光接收器件。该光具座还包括电连接至光发射器件的至少一个有源电路。该光具座还包括沟槽中的波导，其中，波导光学地位于光发射器件和光接收器件之间。该光...

本公开涉及半导体结构与其形成方法。一实施例的形成方法包含形成鳍状物于基板上。鳍状物包含第一结晶半导体材料于基板上，以及第二结晶半导体材料于第一结晶半导体材料上。此方法也包含将鳍状物中的至少部份第一结晶半导体材料与第二结晶半导体材料转换成...

本发明的实施例提供了半导体装置。该半导体装置包括晶圆载体和围绕晶圆载体的杯状物。该半导体装置也包括：底部洗涤器件，位于晶圆载体和杯状物之间，并且配置为将洗涤液喷射至杯状物上。因此，可以通过底部洗涤器件洗涤杯状物。本发明的实施例还涉及半导...

远紫外(EUV)辐射源模块包括目标液滴发生器、第一激光源和第二激光源。目标液滴发生器配置为生成多个目标液滴。第一激光源配置为生成多个第一激光脉冲，第一激光脉冲在相应的激发位置处加热目标液滴，从而生成多个目标羽流。目标液滴的至少一个在与其...

实施例是一种方法，方法包括在衬底上形成第一鳍和第二鳍，第一鳍和第二鳍均包括位于衬底上的第一晶体半导体材料和位于第一晶体半导体材料之上的第二晶体半导体材料。将位于第二鳍中的第一晶体半导体材料转变为介电材料，其中在转变步骤之后，位于第一鳍中...

本发明提供一种形成模制层的方法，包括以下操作：形成衬底，衬底具有在其上的至少一个柱结构；翻转具有柱结构的衬底，使得柱结构位于衬底下方；将翻转的衬底的柱结构浸入容纳在容器中的模制材料液中；以及将翻转的衬底的柱结构与容器分离，以形成覆盖柱结...

提供了用于制造具有牺牲支撑件以防止粘滞的微机电系统(MEMS)结构的方法。实施至载体衬底的上表面内的第一蚀刻以在腔体中形成牺牲支撑件。实施热氧化工艺以氧化牺牲支撑件，并且以形成作为上表面的衬垫并且包括氧化的牺牲支撑件的氧化物层。通过氧化...