本发明涉及一种外延形成的V形半导体层。根据一些实施例，本发明提供了一种方法。该方法包括在半导体衬底的源极/漏极区中形成凹槽，其中，半导体衬底由第一半导体材料形成。该方法还包括在凹槽内外延生长第二半导体材料以在凹槽中形成S/D部件，以及去...

一种集成电路结构包括第一垂直晶体管和第二垂直晶体管。第一垂直晶体管包括第一半导体沟道、位于第一半导体沟道上方的第一顶部源极/漏极区以及覆盖第一顶部源极/漏极区的第一顶部源极/漏极焊盘。第二垂直晶体管包括第二半导体沟道、位于第二半导体沟道...

本发明公开了半导体器件及其形成方法。该器件包括半导体衬底，半导体衬底包括第一半导体材料并且具有多个隔离部件，从而限定第一有源区和第二有源区；第一鳍式半导体部件，包括第二半导体材料并且形成在第一有源区中；以及第二鳍式半导体部件，包括第二半...

根据另一实施例，提供了形成晶体管的方法。该方法包括以下操作：提供衬底；在衬底上方提供源极；提供连接至源极的沟道；提供连接至沟道的漏极；提供邻近沟道的栅极绝缘体；提供邻近栅极绝缘体的栅极；在源极和栅极之间提供第一层间电介质；以及在漏极和栅...

根据一些实施例，本发明提供了一种形成半导体器件的方法。该方法包括：接收衬底，衬底具有突出穿过衬底的鳍，其中，鳍由第一半导体材料形成；将衬底暴露在包括氢自由基的环境中，从而使用氢自由基钝化突出的鳍；以及外延生长第二半导体材料的覆盖层以覆盖...

本发明提供了半导体装置及调节方法。本发明提供了一种半导体装置。该半导体装置包括被配置为保持晶圆的晶圆卡盘，以及被配置为将第一化学液体分配到晶圆上的第一喷嘴。该半导体装置还包括第二喷嘴，该第二喷嘴被配置为在第一喷嘴停止分配第一化学液体之后...

提供了一种用于形成半导体器件结构的方法。该方法包括在衬底上方形成第一金属层和在第一金属层上方形成介电层。该方法包括在介电层上方形成抗反射层，在抗反射层上方形成硬掩模层和在硬掩模层上方形成图案化的光刻胶层。该方法包括通过实施第一蚀刻工艺蚀...

本发明提供了半导体结构和制造半导体结构的工艺。该工艺开始于在衬底上形成功函金属层，以及在功函金属层上方覆盖硬掩模。形成穿过硬掩模和功函金属层的沟槽，以及在沟槽中填充隔离结构。

本发明涉及一种形成具有良好的良率的电阻式随机存取存储器(RRAM)单元的方法和相关的装置。在一些实施例中，通过在下部金属互连层上方形成底电极，以及在底电极上形成具有第一厚度的可变电阻的介电数据存储层来实施该方法。在介电数据存储层上形成覆...

本发明公开了具有金属栅极的半导体器件及其形成方法。该方法包括：接收衬底、形成在衬底上方的伪栅极堆叠件和围绕伪栅极堆叠件的结构。该方法还包括去除伪栅极堆叠件，从而在结构中生成沟槽。该方法还包括在沟槽中形成栅极介电层；在栅极介电层上方形成阻...

一种半导体器件包括用于第一鳍式场效应晶体管(FET)的第一鳍结构。第一鳍结构包括从衬底突出的第一基底层、设置在第一基底层上方的第一中间层以及设置在第一中间层上方的第一沟道层。第一鳍结构还包括由防止下面的层氧化的材料制成的第一保护层。第一...

本发明提供了一种半导体器件和制造方法。放置与所述通孔电连接的可回流材料，其中，通孔延伸穿过密封剂。在可回流材料上方形成保护层。在实施例中，在保护层内形成开口以暴露可回流材料。在另一实施例中，形成保护层从而使得可回流材料延伸为远离保护层。...

本发明提供一种FinFET结构，包括鳍和围绕鳍的第一部分的栅极。鳍的第一部分中的掺杂剂浓度低于约1E17/cm3。FinFET结构还包括围绕鳍的第二部分的绝缘层。鳍的第二部分的掺杂剂浓度大于约5E18/cm3。绝缘层包括下层和上层，并且...

本发明提供了鳍式场效应晶体管(FinFET)器件结构以及形成FinFET器件结构的方法。FinFET结构包括衬底和形成在衬底上的隔离结构。FinFET结构也包括在衬底之上延伸的鳍结构，并且鳍结构嵌入在隔离结构中。FinFET结构还包括形...

根据本发明的另一个实施例，提供了一种半导体结构。该半导体结构包括：衬底；第一纳米线，位于衬底上方；以及第二纳米线，位于衬底上方并与第一纳米线基本对称。根据本发明的实施例，还提供了一种形成纳米线的方法。

本公开提供一种半导体装置及其形成方法，半导体装置的形成方法，包含：提供一承载晶圆；形成一内缩部分于承载晶圆上，内缩部分具有一倾斜部分于内缩部分的一边缘；接合一表层晶圆于承载晶圆上，以形成一开放区域于内缩部分内；图案化表层晶圆，以形成一表...

本发明公开了一种制造半导体器件的方法。该方法包括在衬底上方形成栅极结构。该栅极结构包括第一硬掩模层。该方法还包括在邻近栅极结构的衬底中形成源极/漏极(S/D)部件，且沿着栅极结构的侧壁形成侧壁间隔件。侧壁间隔件的外边缘在其上部背朝栅极结...

本发明公开了半导体器件及其形成方法。该方法包括接收具有鳍的衬底，鳍穿过衬底上方的隔离结构而突出；蚀刻鳍的部分，从而产生沟槽；在沟槽的侧壁上形成掺杂的材料层；以及在沟槽中生长至少一个外延层。该方法还包括使隔离结构上方的至少一个外延层的第一...

一种示例性鳍式场效应晶体管(finFET)，包括：具有沟道区的半导体鳍以及位于沟道区的侧壁和顶面上的栅极氧化物。栅极氧化物包括：具有第一厚度的最薄部分和具有与第一厚度不同的第二厚度的最厚部分。第一厚度和第二厚度之间的差值小于最大厚度变化...

本发明提供了半导体器件结构和形成该半导体器件结构的方法。半导体器件结构包括衬底和形成在衬底上的栅电极。半导体器件结构也包括第一接触结构，第一接触结构包括第一部分和第二部分。第一接触结构的第一部分形成在栅电极中，并且第二部分形成在第一部分...