本发明提供了用于增加工艺裕度的鳍图案化方法。一种制造半导体器件的方法包括：在衬底上方形成多个第一间隔件。在每个第一间隔件的侧壁上沉积多个第二间隔件的第二间隔件。在一些实施例中，配置相邻第一间隔件之间的间距，使得形成在相邻第一间隔件的侧壁...

本发明的一些实施例提供了制造半导体器件的方法，该方法包括：接收FinFET前体，该FinFET前体包括形成在隔离区域之间的鳍结构以及形成在鳍结构的一部分上方栅极结构，使得鳍结构的侧壁与栅极结构的栅极间隔件接触；图案化鳍结构，以包括从隔离...

FinFET包括鳍结构、栅极和源极-漏极区。鳍结构位于衬底上方并且具有鳍结构的上表面的凹槽以及位于鳍结构中并且邻近凹槽的掺杂区。栅极从凹槽突出并且横跨在鳍结构上方。源极-漏极区位于鳍结构中并且邻近掺杂区。本发明也提供了FinFET的制造...

本发明公开了半导体器件及其制造方法。在一些实施例中，半导体器件包括：第一鳍式场效应晶体管(FinFET)，设置在衬底上方；以及第二FinFET器件，设置在第一FinFET上方。结隔离材料设置在第一FinFET的源极与第二FinFET的源...

本发明提供了具有长形齿布置的研磨轮设计。研磨轮包括基盘、和突出于基盘的表面之外的多个齿。多个齿对准围绕研磨轮的中心的长形环。

本发明公开了一种制造鳍式场效应晶体管(FinFET)器件的方法。该方法包括在鳍部件的不同部分上方形成第一栅极堆叠件和第二栅极堆叠件，鳍部件形成在衬底上，在第一和第二栅极堆叠件之间的间隙中形成第一介电层，去除第一栅极堆叠件以形成第一栅极沟...

本发明的一些实施例提供了修整鳍结构的方法，方法包括以下操作：(i)在衬底上形成鳍结构；(ii)外延生长覆盖(cladding)鳍结构的外延结构，其中外延结构具有第一晶格面、第二晶格面和第三晶格面，第一晶格面具有米勒指数(111)、第二晶...

本发明实施例提供了一种形成半导体器件的方法。方法包括在第一器件区中的第一源极/漏极区上方形成诸如氧化层的掩模层。形成诸如层间介电层的介电层并且图案化该介电层以暴露第一源极/漏极区和第二器件区中的第二源极/漏极区。对第二源极/漏极区实施硅...

本发明公开了封装结构及其形成方法。封装结构包括管芯、介电层、密封剂和多个支持件。管芯在其第一侧上方包括多个连接件。介电层在管芯上方形成在连接件旁边。密封剂在管芯旁边。支持件穿透介电层。支持件的研磨速率与密封剂的研磨速率基本相同但不同于介...

一种半导体器件的布局包括有源区域、横跨多个有源区域的栅电极、沿着对应多个栅电极的侧面的间隔件、第一接触件图案化区域、第二接触件图案化区域和接触件区域。第一接触件图案化区域与多个有源区域中的至少一个有源区域、多个栅电极中的至少一个栅电极以...

本发明提供了一种半导体结构及其制造方法。本发明的一些实施例提供了一种半导体器件，其包括衬底和衬底上的栅极结构。第一导电类型的第一阱区域位于衬底中，接近栅极结构的第一侧壁。第二导电类型的第二阱区域也位于衬底中，接近栅极结构的第二侧壁。导电...

一种触发器电路，包括第一锁存器、第二锁存器和触发级。第一锁存器被配置为基于第一锁存器输入信号和时钟信号设置第一锁存器输出信号。第二锁存器被配置为基于第二锁存器输入信号和时钟信号设置第二锁存器输出信号。触发级被配置为基于第一锁存器输出信号...

本发明提供了半导体器件制造的方法，其包括提供具有多个沟槽的衬底，多个沟槽设置在形成于衬底上方的介电层中。包括多个开口的通孔图案可限定在衬底上方。间隔件材料层形成在至少一个沟槽的侧壁上。使用通孔图案和间隔件材料层作为掩模元件可在介电层中蚀...

本发明提供了鳍式场效应晶体管(FinFET)器件结构以及形成FinFET器件结构的方法。FinFET结构包括衬底和在衬底之上延伸的鳍结构。FinFET结构包括形成在鳍结构上的外延结构，并且外延结构具有第一高度。FinFET结构也包括形成...

本发明提供了一种具有改进的热均匀性的衬底保持器件。在一个示例性实施例中，衬底保持器件包括具有限定的周边的基本圆形的第一表面、设置在周边处的多个接触区域、以及也设置在周边处的多个非接触区域。接触区域与非接触区域穿插设置。在非接触区域中的每...

本发明提供了一种用于形成半导体器件结构的方法。该方法包括在半导体衬底上方形成介电层。该方法包括在介电层上方形成掩模层。掩模层具有暴露介电层的部分的开口。该方法包括穿过开口来去除介电层的部分以在介电层中形成凹槽。该方法包括去除掩模层。该方...

本发明公开了半导体器件，封装结构及其形成方法。该半导体器件包括由密封剂密封的管芯、在管芯旁边的导电结构和在导电结构上面的介电层。导电结构包括在密封剂中的通孔、在通孔上面的再分布线层和在再分布线层上面的晶种层。介电层包括开口，其中开口暴露...

本发明提供了半导体器件结构的结构和形成方法。半导体器件结构包括半导体衬底和位于半导体衬底上方的鳍沟道结构。半导体器件结构也包括覆盖鳍沟道结构的部分的栅极堆叠件。半导体器件结构还包括邻近鳍沟道结构的源极/漏极结构以及位于半导体衬底和鳍沟道...

本发明提供了半导体器件及其形成方法。该半导体器件包括：衬底；第一有源区，位于衬底上方；第二有源区，位于衬底上方；石墨烯沟道，位于第一有源区和第二有源区之间；以及第一面内栅极。在一些实施例中，石墨烯沟道、第一面内栅极、第一有源区和第二有源...

本发明提供一种表膜组件和其制造方法，所述方法包含制造包含侧壁的表膜框架，所述侧壁具有多孔材料。在一些实施例中，所述表膜框架经受阳极化过程以形成所述多孔材料。所述多孔材料包含在垂直于所述侧壁的外部表面的方向上从所述侧壁的所述外部表面延伸到...