一种集成电路器件包括：半导体衬底；以及设置在半导体衬底上方的栅极堆叠件。栅极堆叠件还包括设置在半导体衬底上方的栅极介电层；设置在栅极介电层上方的多功能阻挡/润湿层，其中，多功能阻挡/润湿层包括碳氮化铝钽(TaAlCN)；设置在多功能阻挡...

本发明涉及一种具有抗粘滞层的微机电系统(MEMS)封装件及相关形成方法。在一些实施例中，MEMS封装件包括器件衬底和CMOS衬底。器件衬底包括具有可移动的或灵活的部分的MEMS器件，该可移动的或灵活的部分相对于器件衬底是可移动的或灵活的...

本发明揭示的内容为使用多重定向自组装(directed self‑assembly，DSA)图案化工艺形成用于半导体元件的目标图案的一种方法。方法包括接收基板，及通过执行包括第一DSA工艺的工艺在基板上形成导引图案。方法进一步包括使用导...

一种半导体器件包括：鳍结构，设置在衬底上方；栅极结构，设置在鳍结构的部分上方；源极/漏极结构，其包括鳍结构中未被栅极结构覆盖的部分；层间介电层，形成在鳍结构、栅极结构和源极/漏极结构上方；接触孔，形成在层间介电层中；以及接触材料，设置在...

本发明提供了用于监测半导体装置中边缘斜角去除区域的方法和装置以及电镀系统。半导体装置包括转移室、退火站、机械臂和边缘检测器。转移室配置为与电镀装置交界。退火站布置为使晶圆退火。机械臂布置为将晶圆从转移室转移至退火站。边缘检测器设置在机械...

本发明公开了具有有效的FinFET隔离的半导体器件及其形成方法。该方法包括接收具有有源鳍的衬底，多个伪栅极堆叠件位于衬底上方并且与鳍接合，并且第一介电部件位于衬底上方并且将伪栅极堆叠件分隔开。该方法还包括去除伪栅极堆叠件，从而形成分别暴...

一个实施例是方法，该方法包括：在衬底上形成鳍；在鳍的顶部中形成第一掺杂区，第一掺杂区具有第一掺杂剂浓度；以及在鳍的中间部分和底部中形成第二掺杂区，第二掺杂区具有第二掺杂剂浓度，第二掺杂剂浓度小于第一掺杂剂浓度。本发明涉及FinFET和形...

一种用于形成半导体器件的方法实施例包括提供具有损坏的表面的介电层以及修复介电层的损坏的表面。修复损坏的表面包括：将介电层的损坏的表面暴露于前体化学物质，使用光能活化前体化学物质，以及当活化前体化学物质时，过滤掉光能的光谱。本发明还涉及用...

一种用于制造半导体器件的方法，包括：在衬底上方形成鳍结构和在鳍结构的第一部分上方形成第一栅极结构。在鳍结构的第二部分上方形成第一氮化物层。将第一氮化物层曝光于紫外辐射。在鳍结构的第二部分处形成源极/漏极区。本发明实施例涉及用于半导体器件...

本发明提供一种微凸块接合装置，包括一工件，其包括一金属凸块；以及一介电层，其具有位于上述金属凸块正上方的一部分。上述金属凸块和上述介电层的上述部分的一表面形成一介面。一金属表面处理物形成于上述金属凸块的上方且接触上述金属凸块。上述金属表...

本发明提供了集成电路封装件及其形成方法。在载体上形成一个或多个再分布层。在RDL的第一侧上形成第一连接件。使用第一连接件将管芯接合至RDL的第一侧。在RDL的第一侧上和管芯周围形成密封剂。从上面的结构剥离载体，以及在RDL的第二侧上形成...

本发明提供具有可变正电容器的负电容栅极堆叠结构，以实现具有提高的电压增益的无磁滞负电容场效应晶体管(NCFET)。栅极堆叠结构通过利用铁电性负电容器与具有半导体材料(诸如多晶硅)的可变正电容器的组合来提供有效的铁电性负电容器，从而有效的...

本发明公开了一种置入散色条于微影工艺的方法，该方法包括接收包含第一主要部件的集成电路设计布局，以及置入第一多个散色条于上述集成电路设计布局，以形成围绕于上述第一主要部件的第一环形图案的散色条。上述第一主要部件是设置于上述第一环形图案的散...

本发明公开了用于热映射和热工艺控制的方法和装置。根据一些实施例提供了一种热处理装置。该热处理装置包括：加热源，用于向在正表面上形成有电路的工件传输入射辐射；辐射传感器，被配置为接收从工件的正表面辐射的光；以及控制器，耦合至辐射传感器，控...

提供了一种背照式(BSI)图像传感器，包括具有平坦的下表面的介电栅格开口。像素传感器布置在半导体衬底内。金属栅格布置在像素传感器上方并且限定金属栅格开口的侧壁。介电栅格布置在金属栅格上方并且限定介电栅格开口的侧壁。覆盖层布置在金属栅格上...

本发明提供了电阻式随机存取存储器(RRAM)单元的集成电路或半导体结构。RRAM单元包括底电极和布置在底电极上方的具有可变电阻的数据存储区。此外，RRAM单元还包括布置在数据存储区上方的扩散阻挡层、布置在扩散阻挡层上方的离子库区以及布置...

本发明提供了半导体结构，半导体结构包括具有第一和第二表面的半导体层、以及分别限定位于第一和第二表面上方的第一金属栅极和第二金属栅极的层间电介质(ILD)。第一和第二金属栅极分别包括第一SAC硬掩模和第二SAC硬掩模，其中，第一和第二SA...

一种在衬底上形成高介电常数(高k)介电层的方法包括：对衬底的表面实施预清洗工艺。向表面引入氯前体。向表面引入氧化剂以在衬底上形成高k介电层。该高k介电层的氯浓度低于约8原子/立方厘米。本发明的实施例还涉及图像传感器器件及其制造方法。

本发明提供了一种存储器件，包括第一反相器、与第一反相器交叉耦合的第二反相器、访问单元和开关单元。将访问单元配置为根据由第一字线和第二字线提供的信号，使第一反相器的输出端放电并且对第二反相器的输出端充电。将开关单元配置为根据由第一字线提供...

本发明实施例提供了一种用于实施高纵横比蚀刻的方法。提供了一种具有布置在半导体衬底上方的硬掩模层的半导体衬底。对硬掩模层实施第一蚀刻以形成暴露半导体衬底的硬掩模开口。硬掩模开口具有底部宽度。穿过硬掩模开口，对半导体衬底实施第二蚀刻，以形成...