在一些实施例中，本发明提供了MEMS封装件。MEMS封装件包括MEMS IC，MEMS IC包括MEMS衬底、设置在MEMS衬底上方的介电层和设置在介电层上方的压电层。介电层包括由介电材料制成的柔性膜片，以及压电层包括位于柔性膜片上方的...

本发明提供了用于FINFET的环绕硅化物。一种方法包括在半导体鳍的中间部分上形成栅极堆叠件，以及在栅极堆叠件的侧壁上形成第一栅极间隔件。形成第一栅极间隔件之后，形成模板介电区以覆盖半导体鳍。该方法还包括开槽模板介电区。开槽之后，在栅极堆...

本发明涉及具有电阻式随机存取存储器(RRAM)单元的集成电路以及形成这样的RRAM单元的相关方法。在一些实施例中，RRAM单元包括通过RRAM电介质彼此分隔开的底电极和顶电极。底电极侧壁和顶电极侧壁彼此垂直对准，并且RRAM介电侧壁从底...

本发明提供一种半导体结构，包括第一器件和第二器件。第一器件包括：板，包括多个孔；隔膜，设置为与板相对并且包括面向多个孔的多个波形件；以及导电塞，从板延伸穿过隔膜。第二器件包括衬底和设置在衬底上方的接合焊盘，其中导电塞与接合焊盘接合，以将...

本公开涉及一种闪存器件以及相关方法。在一些实施例中，闪存器件具有栅叠件，其具有通过控制栅极介电质与浮栅隔开的控制栅极。擦除栅极设置在栅叠件的第一侧上。字线设置在栅叠件的与第一侧相对的第二侧上。字线具有从与栅叠件相对的外侧到距离栅叠件更近...

本公开涉及一种分离式栅极闪存单元。在一些实施中，分离式栅极闪存单元具有与半导体衬底通过栅极介电层分隔开的选择栅极。控制栅极布置在选择栅极的一侧上。电荷捕获层具有设置在选择栅极和控制栅极之间的垂直部分以及在控制栅极下方延伸的横向部分。第一...

本发明的实施例描述了包括具有间隙或空隙的栅极间隔件的器件和结构以及形成这种器件和结构的方法。根据一些实施例，该结构包括衬底、位于衬底上方的栅极堆叠件、位于衬底上方的接触件以及横向设置在栅极堆叠件与接触件之间的间隔件。间隔件包括第一电介质...

提供一种用于处理半导体晶圆的方法。该方法包括：将半导体晶圆定位在扫描电子显微镜(SEM)中。该方法进一步包括：产生在半导体晶圆的工艺表面上指定的测试区域的至少部分的图像。该方法还包括：在测试区域中选择的检查点处，调整SEM的带电粒子束的...

本发明提供了具有互连结构的鳍式场效应晶体管(FINFET)器件结构。提供了半导体器件结构。半导体器件结构包括形成在衬底上方的第一金属层和形成在第一金属层上方的互连结构。互连结构包括上部、中间部和下部，在上部和下部之间连接中间部。上部和下...

制造半导体FinFET的方法包括在衬底上方形成鳍结构。鳍结构包括部分从隔离绝缘层暴露的上层。在部分鳍结构上方形成伪栅极结构。伪栅极结构包括伪栅电极层和伪栅极介电层。形成源极和漏极。去除伪栅电极以使由伪栅极介电层覆盖的上层暴露。去除鳍结构...

本发明提供了一种用于制造包括上部沟道注入晶体管的半导体器件的方法。方法包括在衬底上方形成在第一方向上延伸的一个或多个鳍。一个或多个鳍包括沿着第一方向的第一区域和在第一区域的两侧上沿着第一方向的第二区域。掺杂剂浅注入鳍的第一区域的上部中而...

本发明描述了finFET结构和形成finFET结构的方法。根据一些实施例，一种结构包括沟道区、第一源极/漏极区、第二源极/漏极区、介电层和栅电极。沟道区包括位于衬底之上的半导体层。每个半导体层均与相邻的半导体层分隔开，并且每个半导体层均...

本发明涉及一种垂直式半导体结构，及其制造方法。本发明提供的垂直式栅极围绕(vertical gate all-around,VGAA)半导体结构包括在基板中的第一掺杂区域、从第一掺杂区域延伸的第一垂直通道、在第一掺杂区域的顶表面中的第一...

一种FinFET器件和形成方法。根据一些实施例，器件包括第一p型晶体管和第二p型晶体管。第一晶体管包括包含第一鳍的第一材料的第一沟道区。第一晶体管包括每个均位于第一材料中的相应的第一凹槽中和第一沟道区的相对侧壁上的第一外延源极/漏极区和...

UV固化装置包括处理室、设置在处理室上方的UV光源、设置在处理室和UV光源之间用以允许来自UV光源的UV光穿过且进入处理室的窗、设置在处理室和窗之间用以密封处理室的密封环、和设置在UV光源和密封环之间用以防止密封环暴露给UV光的光遮蔽装...

本发明实施例提供了一种半导体器件结构及其形成方法。半导体器件结构包括：形成在衬底上方的第一金属层和形成在第一金属层上方的介电层。半导体器件结构还包括：形成在介电层中和第一金属层上方的粘合层和形成在介电层中的第二金属层。第二金属层电连接至...

一种器件包括位于第一介电层中的第一沟槽的侧壁和底部上方的第一保护层、位于第一保护层上方的第一阻挡层、位于第一沟槽中的第一金属线、位于第一介电层中的第二沟槽的侧壁和底部上方的第二保护层、位于第二保护层上方的第二阻挡层、位于第二沟槽中的第二...

本发明提供了半导体器件及其制造方法。SRAM单元包括堆叠在第一垂直下拉晶体管上方的第一垂直上拉晶体管，并且堆叠在第二垂直下拉晶体管上方的第二垂直上拉晶体管。第一垂直上拉晶体管和第一垂直下拉晶体管的栅极通过第一通孔连接，同时所述第二垂直上...

本发明涉及一种形成具有介电数据层的RRAM单元的方法和相关的装置，介电数据层配置为提供良好的性能、器件良率、和数据保持。在一些实施例中，通过形成具有底电极层、顶电极层和设置在底电极层和顶电极层之间的介电数据存储层的RRAM膜堆叠件来实施...

一种用于自对准图案化的方法包括：提供衬底；形成包括多个芯轴部件的图案化的芯轴层，图案化的芯轴层形成在衬底上；在芯轴层上方沉积第一间隔件层，第一间隔件层包括第一类型的材料；各向异性地蚀刻第一间隔件层以在芯轴部件的侧壁上留下第一组间隔件；去...