本发明提供了一种芯片封装件的结构和形成方法。该芯片封装件包括具有许多半导体管芯的芯片堆叠件。该芯片封装件还包括半导体芯片，且半导体芯片高于芯片堆叠件。该芯片封装件还包括覆盖芯片堆叠件的顶部和侧壁以及半导体芯片的侧壁的封装层。本发明实施例...

一些实施例涉及用于形成封装件结构的方法并且由此形成的封装件结构。实施例方法包括：在支撑结构上沉积感光介电层；在感光介电层的表面上形成第一层；将感光介电层暴露于辐射；以及在形成第一层和暴露于辐射之后，显影感光介电层。支撑结构包括集成电路管...

一种传输线设计包括配置为传递至少一个第一信号的第一传输线。传输线设计还包括配置为传递至少一个第二信号的第二传输线，其中，第二传输线和第一传输线分隔开。传输线设计还包括位于第一传传输线和第二传输线之间的高k介电材料。传输线设计还包括围绕高...

本发明涉及具有在集成芯片管芯之间垂直延伸的再分布层的多维集成芯片，其中再分布层横向偏离于背侧接合焊盘。多维集成芯片具有第一集成芯片管芯，第一集成芯片管芯的多个第一金属互连层设置在布置于第一半导体衬底的前侧上的第一层间介电层内。多维集成芯...

本发明公开了一种时钟信号生成电路和方法、以及存储器，其中，该电路包括：信号输入端，用于接收输入的外部时钟信号；信号生成器，连接至所述信号输入端，用于基于输入的外部时钟信号生成内部时钟信号，其中，信号生成器中包含RC器件，RC器件用于对输...

一种半导体器件包括衬底、至少一个层、金属粘着层和金属结构。在衬底上设置层。层具有开口并且开口具有底面和至少一个侧壁。在暴露出开口的侧壁的至少部分的同时，在开口的底面上设置金属粘着层。在开口中和金属粘着层上设置金属结构。本发明的实施例还涉...

一种器件包括：底部封装件，其包括：互连结构、位于互连结构上方的模塑料层、位于模塑料层中的半导体管芯和嵌入在模塑料层中的焊料层，其中，焊料层的顶面低于模塑料层的顶面，并且顶部封装件通过由焊料层和顶部封装件的凸块形成的接合结构接合在底部封装...

本公开提供一种半导体结构及其形成方法。上述半导体结构包括基板及介面层形成在该基板上。上述半导体结构还包括栅极结构形成在该介面层上。此外，以金属锗氧化物、金属硅氧化物或金属锗硅氧化物形成该介面层，且该介面层与该基板的一顶表面直接接触。本发...

本发明提供一种集成电路(IC)封装件，包括：第一衬底；设置在第一衬底上方的第二衬底；设置在第一与第二衬底之间的多个连接件，以电连接第一与第二衬底；设置在第一和第二衬底上方的约束层，使得在约束层与第一衬底之间形成腔体；以及设置在腔体内并且...

本发明的一些实施例涉及一种三维(3D)集成电路(IC)。3DIC包括第一衬底，该第一衬底包括配置为在第一方向上从光源接收光的光电检测器。互连结构设置在第一衬底上方并且包括以交替的方式彼此堆叠的多个金属层和绝缘层。多个金属层中的一个离光源...

本发明实施例提供了一种半导体结构，其包括：半导体衬底、第一阱区、第二阱区、有源区、浅沟槽隔离件(STI)和至少一个深沟槽隔离件(DTI)。第一导电类型的第一阱区位于半导体衬底上。第二导电类型的第二阱区位于半导体衬底上并且邻近第一阱区。第...

一种热检测电路。本发明的实施例公开了一种电路，电路包括第一差分输入对和第二差分输入对。第一差分输入对根据第二差分输入对的输出而激活，并且接收第一与温度相关的电压和输出信号。第二差分输入对根据第一差分输入对的输出而激活，并且接收第二与温度...

一种感测器件包括：采样电路，被布置为响应于具有单调递增波形的采样信号，对感测信号进行采样以用于生成信号；和转换电路，被布置为在信号达到转换电路的预定阈值时，将信号转换为数字输出信号。本发明还提供了图像感测系统及感测方法。

一种方法，包括：在载体上方放置第一器件管芯和第二器件管芯，其中，划线介于第一器件管芯和第二器件管芯之间。第一器件管芯和第二器件管芯由包封材料包封，包封材料具有在划线中的部分。该方法进一步包括在包封材料上方形成介电层，实施第一管芯锯切以在...

铜层结构包括第一铜层、第二铜层和富碳铜层。第二铜层设置在第一铜层上方。富碳铜层夹在第一铜层和第二铜层之间。富碳铜层的碳浓度大于第一铜层的碳浓度和第二铜层的碳浓度。本发明的实施例还涉及具有自退火应变改进的铜层结构的形成。

本发明的实施例公开了用于监控EUV光刻系统的焦点的系统和方法。另一方面包括具有测量第一移位值和测量第二移位值的操作的方法，其中对于晶圆上的焦点测试结构的第一组图案化的子结构，测量第一移位值，并且对于晶圆上的测试结构的第二组图案化的子结构...

一种形成鳍片式场效应晶体管装置之方法，晶体管其方法包含：提供由第一半导体材料形成的基板，其中该基板包含多个隔离区域；将该基板的上部部分蚀刻除去以形成多个沟槽，其中每一沟槽位于两个邻近隔离区域之间；经由外延生长工艺使多个半导体鳍片在该基板...

本发明公开了封装件结构和形成封装件结构的方法。根据一些实施例，封装件结构包括：集成电路管芯；至少横向地密封集成电路管芯的密封剂；位于集成电路管芯和密封剂上的重分布结构；连接至重分布结构的支撑金属化层的连接件；伪图案；第二介电层；以及位于...

一种半导体器件包括：具有有源区的衬底、位于有源区上方的栅极结构、位于有源区上方并且电连接至有源区的下部导电层、以及位于下部导电层上方并且电连接至下部导电层的上部导电层。下部导电层与栅极结构至少部分地共高度。下部导电层包括相互间隔开的第一...

一种半导体结构包括半导体衬底、至少一个介电层、介电间隔件衬垫(DSL)层和至少一个导体。该介电层存在于半导体衬底上。该介电层具有至少一个接触孔，其曝光半导体衬底的至少一部分。该半导体衬底具有与接触孔连通的至少一个凹槽。该凹槽具有底表面和...