提供了一种用于制造具有高纵横比的浅沟槽隔离(STI)区的方法。提供具有沟槽的半导体衬底。形成内衬于沟槽的第一介电层。形成填充第一介电层上方的沟槽的第二介电层。在一些实施例中，在形成第二介电层之前，将离子注入至第一介电层的注入区，注入区沿...

本发明公开了半导体器件的结构和方法。该半导体器件包括具有第一器件区和第二器件区的衬底。第一器件区包括第一源极/漏极(S/D)区，并且第二器件区包括多个第二S/D区。该半导体器件还包括位于第一S/D区中的多个第一凹槽以及多个第二凹槽，每个...

垂直晶体管包括源极-沟道-漏极结构、栅极和栅极介电层。源极-沟道-漏极结构包括源极、源极上方的漏极和介于源极和漏极之间的沟道。栅极围绕沟道的一部分。当垂直晶体管是n沟道垂直晶体管时，栅极被配置成提供基本沿着沟道的延伸方向的压缩应变，或当...

本发明提供一种用于抛光衬底的抛光系统和方法。抛光系统包括具有压盘和压盘上方的抛光垫的抛光装置。抛光系统还包括被配置为使衬底与抛光垫接合的衬底承载装置。抛光系统还包括被配置为监控抛光垫的厚度的厚度感测装置。

一种光刻方法，包括：在基板上形成第一图案化阻剂层，上述第一图案化阻剂层包括至少一个开口；在上述第一图案化阻剂层及上述基板上形成一水溶性聚合物层，藉以在上述第一图案化阻剂层及上述水溶性聚合物层的界面发生反应；以及在上述基板上形成第二图案化...

一种集成电路测试系统包括导电结构、与导电结构电连接的导电焊盘、与导电焊盘电连接的测试电路、与导电结构电连接的导电线，以及与测试电路连接的控制器，其中导电线配置为与地电位连接。控制器配置为选择性地使测试电路通过导电焊盘向导电结构供应电压。...

本发明公开了一种存储器，包括第一存储单元、第二存储单元、锁存单元和开关单元。锁存单元具有标准节点和互补节点。开关单元响应于第一控制信号和第二控制信号，并且开关单元被配置为：响应于第一控制信号，将第一存储单元连接至标准节点并将第二存储单元...

本发明提供一种改进型蚀刻工艺。方法包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上形成掺杂氧化物层；在掺杂氧化物层上形成图案化层，图案化层保持掺杂氧化物层的暴露区；对衬底执行溅射工艺；以及在溅射工艺之后，对半导体衬底执行湿蚀刻工艺，以从暴露区去除掺...

本发明公开了FinFET接触结构及其形成方法。一种器件包括：衬底，包括通过隔离区域分离的第一部分和第二部分；第一栅极结构，位于第一部分上方；第一漏极/源极区域和第二漏极/源极区域，位于第一部分中并位于第一栅极结构的相对侧，其中，第一漏极...

公开了半导体器件以及用于提供从集成扇出叠层封装结构内的半导体管芯增强地去除热量的方法。在实施例中，金属层形成在半导体管芯的背侧上，并且密封半导体管芯和通孔。暴露出金属层的一部分并且连接热管芯以从半导体管芯去除热量。本发明涉及半导体器件及...

本发明提供了半导体器件结构的结构和形成方法。半导体器件结构包括半导体衬底上方的鳍结构和覆盖鳍结构的一部分的栅叠件。栅叠件包括功函层和栅极介电层。半导体器件结构还包括位于半导体衬底上方并且与栅叠件相邻的隔离元件。隔离元件与功函层和栅极介电...

本发明提供了鳍式场效应晶体管(FinFET)器件结构及其形成方法。FinFET器件结构包括衬底和从衬底延伸的鳍结构。FinFET器件结构也包括形成在鳍结构中的抗穿通注入(APT)区和形成在APT区上的阻挡层。阻挡层具有中间部分和外围部分...

本发明提供一种生成输出电压的电路以及低压降稳压器的输出电压的设置方法。将电流源配置为生成参考电流，并且误差放大器具有第一输入、第二输入和单端输出。第一输入连接至参考电压，并且第二输入通过反馈电阻器连接至电路的输出节点。传输晶体管的控制电...

本发明公开了一种用于制造半导体集成电路(IC)的方法。在一个实施例中，在衬底上方形成材料层，并且在材料层上方形成第一硬掩模(HM)部件。HM部件包括具有第一宽度的上部和具有第二宽度的下部，第二宽度大于第一宽度。该方法还包括沿着第一HM部...

本发明提供了一种用于制造具有多阶鳍轮廓的半导体器件的方法，方法包括提供衬底以及在衬底上方形成具有第一间隔件宽度的第一间隔件。在第一蚀刻工艺期间第一间隔件掩蔽衬底的第一部分。通过实例的方式，对衬底实施第一蚀刻工艺以形成第一阶鳍区域，其中，...

本发明提供用于铜柱凸块技术的L型侧壁保护工艺，L型侧壁保护结构由至少一非金属材料层形成。本发明还提供一种集成电路元件、其形成方法及封装组件，该集成电路元件包括：一凸块下金属层和一凸块结构，设置于一半导体基底上，其中该凸块结构包括一顶部表...

本发明提供了半导体部件及其制造方法。本发明提供了一种半导体部件，该半导体部件包括衬底、设置在衬底上的界面层、设置在衬底上的第一金属栅极结构和第二金属栅极结构。第一金属栅极结构包括设置在界面层上的第一高k介电层和设置在第一高k介电层上的第...

本发明提供了无注入损伤的图像传感器及其方法。本发明公开了一种图像传感器。该图像传感器包括外延层、多个插头结构和互连结构。其中多个插头结构形成在外延层中，并且每个插头结构具有掺杂的侧壁，外延层和掺杂的侧壁形成多个光电二极管，多个插头结构被...

提供了半导体器件结构的结构和形成方法。半导体器件结构包括位于半导体衬底上方的鳍结构。半导体器件结构也包括覆盖鳍结构的一部分的栅极堆叠件，和栅极堆叠件包括功函数层和位于功函数层上方的金属填充物。半导体器件结构还包括位于半导体衬底上方并且邻...

描述了微机电系统(MEMS)封装件及其制造方法。在实施例中，制造MEMS封装件的方法可以包括：将具有在其上的盖结构的MEMS结构附接至器件晶圆以形成晶圆级MEMS封装件，器件晶圆包括形成在其中的多个第一器件；以及切割具有附着至其的MEM...