封装件结构及其形成方法技术

一些实施例涉及用于形成封装件结构的方法并且由此形成的封装件结构。实施例方法包括：在支撑结构上沉积感光介电层；在感光介电层的表面上形成第一层；将感光介电层暴露于辐射；以及在形成第一层和暴露于辐射之后，显影感光介电层。支撑结构包括集成电路管芯。在显影期间，第一层具有与感光介电层不同的去除选择性。根据一些实施例，在显影之后可以提高感光介电层的厚度均匀性，并且可以减少因显影感光介电层导致的厚度损失。本发明专利技术实施例涉及封装件结构及其形成方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术实施例涉及封装件结构及其形成方法。
技术介绍
半导体器件用于各种电子应用中，例如，诸如个人计算机、手机、数码相机和其他电子设备。通常通过以下步骤来制造半导体器件：在半导体衬底上方依次沉积绝缘或介电层、导电层和半导体材料层；以及使用光刻来图案化该多个材料层，以在该多个材料层上形成电路组件和元件。半导体工业通过不断减小最小化部件尺寸来继续提高各种电子组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度，这允许更多的组件集成到给定的区域内。在一些器件中，垂直堆叠具有有源器件或电路的多个管芯或封装件，以减小器件封装件的覆盖区并且允许利用不同处理技术使管芯互连。可以通过在绝缘层中形成具有导线的重分布层(RDL)来在衬底的顶面和底面上创建用于该垂直堆叠的互连件。RDL和特定封装件外部的管芯电连接至衬底中的管芯。
技术实现思路
根据本专利技术的一些实施例，提供了一种方法，包括：在支撑结构上沉积感光介电层，所述支撑结构包括集成电路管芯；在所述感光介电层的表面上形成第一层；将所述感光介电层暴露于辐射；以及在形成所述第一层和暴露于辐射之后，显影所述感光介电层，在所述显影期间，所述第一层具有与所述感光介电层不同的去除选择性。根据本专利技术的另一些实施例，还提供了一种方法，包括：利用密封剂至少横向密封集成电路管芯；在室中，在所述集成电路管芯和所述密封剂上方沉积感光层；将所述感光层暴露于前体，以使所述感光层的表面与所述前体反应；将所述感光层暴露于辐射的图案；以及在将所述感光层暴露于所述前体和所述辐射的图案之后，显影所述感光层，其中，与所述辐射的图案对应的一个或多个开口形成为穿过所述感光层。根据本专利技术的又一些实施例，还提供了一种方法，包括：在支撑结构上沉积感光介电层，所述支撑结构具有第一含管芯的区域、第二含管芯的区域和介于所述第一含管芯的区域与所述第二含管芯的区域之间的划线区域；提高所述感光介电层的暴露于辐射的部分与所述感光介电层的未暴露于辐射的部分之间的去除选择性，所述去除选择性体现在显影工艺期间；将所述感光介电层暴露于辐射的图案，在将所述感光介电层暴露于所述图案之后，所述感光介电层包括所述暴露于辐射的部分和所述未暴露于辐射的部分；以及在提高所述去除选择性和将所述感光介电层暴露于所述图案之后，显影所述感光介电层。附图说明当结合附图进行阅读时，根据下面详细的描述可以更好地理解本专利技术的各个方面。应该强调的是，根据工业中的标准实践，各种部件没有被按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各种部件的尺寸可以被任意增加或减少。图1至图4是根据一些实施例的第一通用工艺的中间结构的截面图。图5是根据一些实施例的第一通用工艺的工艺流程。图6示出了根据一些实施例的通过利用六甲基二硅氮烷(HMDS)气体处理介电层的上表面而可进行的化学反应。图7至图10是根据一些实施例的第二通用工艺的中间结构的截面图。图11是根据一些实施例的第二通用工艺的工艺流程。图12至图16是根据一些实施例的第三通用工艺的中间结构的截面图。图17是根据一些实施例的第三通用工艺的工艺流程。图18至图31是根据一些实施例的在用于形成封装件结构的工艺期间的中间步骤的截面图。图32是示出了根据一些实施例的划线区域的方面布局图。具体实施方式以下公开内容提供了许多不同实施例或实例，用于实现本专利技术的不同特征。以下将描述组件和布置的特定实例以简化本专利技术。当然，这些仅是实例并且不意欲限制本专利技术。例如，在以下描述中，在第二部件上方或上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件直接接触的实施例，也可以包括形成在第一部件和第二部件之间的附加部件使得第一部件和第二部件不直接接触的实施例。另外，本专利技术可以在多个实例中重复参考标号和/或字符。这种重复是为了简化和清楚的目的，并且其本身不指示所讨论的各个实施例和/或配置之间的关系。此外，为了便于描述，本文中可以使用诸如“在…下方”、“在…下面”、“下部”、“在…上面”、“上部”等空间关系术语以描述如图所示的一个元件或部件与另一元件或部件的关系。除图中所示的方位之外，空间关系术语意欲包括使用或操作过程中的器件的不同的方位。装置可以以其它方式定位(旋转90度或在其他方位)，并且在本文中使用的空间关系描述符可同样地作相应地解释。可以在具体上下文中讨论本文中讨论的实施例，即，扇出或扇入晶圆级封装件。其他实施例涉及其他应用，诸如对阅读本专利技术之后的本领域普通技术人员而言将显而易见的不同封装件类型或不同配置。应该注意，本文中讨论的实施例可以不必示出可能存在于结构中的每个组件或部件。例如，诸如当其中一个组件的讨论可能足以表达实施例的各方面时，图中可以省略多个组件。此外，本文中讨论的方法实施例可能讨论为以特定顺序实施；然而，可以以任何逻辑顺序实施其他方法实施例。图1至图4示出了根据一些实施例的第一通用工艺的中间结构的截面图，以示出各个通用概念，并且图5是根据一些实施例的第一通用工艺的工艺流程。图1示出了具有第一区域40、第二区域42和介于第一区域40与第二区域42之间的划线区域44的支撑结构46。支撑结构46可以包括形成在第一区域40和第二区域42中的各种结构。这种结构可以包括集成电路管芯、密封的集成电路管芯、衬底等。图18至图31中示出这种结构及其形成的实例。如图1以及图5的步骤70所示，诸如通过旋涂、层压等将介电层48沉积在支撑结构46上。介电层48可以是正性或负性的感光材料，并且还可以是诸如聚苯并恶唑(PBO)、聚酰亚胺、苯并环丁烯(BCB)等的聚合物。在一些实施例中，诸如通过旋涂可以将介电层48以液体状态沉积。在将介电层以液体状态沉积的实施例中，诸如在从大约100℃至大约125℃的范围内(如120℃)的温度下，并且在从大约60秒至大约600秒的范围内的(诸如300秒)的持续时间段内，对介电层48进行预烘烤或软烘烤。例如可以在用于沉积介电层48的旋涂室中原位执行预烘烤或软烘烤。在将介电层以液体状态沉积的实施例中，例如，可以蒸发液态介电层48中的溶剂，使得介电层48的10％是溶剂，并且介电层48为半固态。在一些实施例中，根据沉积，介电层48的厚度在从大约6μm至大约18μm的范围内，诸如大约16μm至大约18μm。在图2以及图5的步骤72中，在介电层48的上表面上形成薄层50。在该形成期间，介电层48可以是固态或半固态。在一些实施例中，薄层50的形成包括修改介电层48的上表面。修改可以包括将上表面暴露于诸如六甲基二硅氮烷(HMDS)([(CH3)3Si]2NH)气体等的前体。此外，在一些实施例中，沉积之后，将介电层48的上表面原位暴露于例如HMDS气体的前体。例如，如果在旋涂室中使用旋涂来沉积介电层48，那么可以在支撑结构46和介电层48还在旋涂室中时将HMDS气体提供至旋涂室中。可以使用在从大约50sccm至大约100sccm的范围内(诸如大约50sccm)的前体的流速，并且在从大约80℃至大约150℃的范围内(诸如大约100℃)的温度下，以及在从大约30秒至大约90秒的范围内(诸如60秒)的持续时间段内，将介电层48的上表面暴露于例如HMDS气体的前体。图6示出了通过利用HMDS气体处理介电层48的上表面可进行的化学反应。上表面可具有当暴露于H本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种方法，包括：在支撑结构上沉积感光介电层，所述支撑结构包括集成电路管芯；在所述感光介电层的表面上形成第一层；将所述感光介电层暴露于辐射；以及在形成所述第一层和暴露于辐射之后，显影所述感光介电层，在所述显影期间，所述第一层具有与所述感光介电层不同的去除选择性。

【技术特征摘要】
2015.06.30 US 14/755,5291.一种方法，包括：在支撑结构上沉积感光介电层，所述支撑结构包括集成电路管芯；在所述感光介电层的表面上形成第一层；将所述感光介电层暴露于辐射；以及在形成所述第一层和暴露于辐射之后，显影所述感光介电层，在所述显影期间，所述第一层具有与所述感光介电层不同的去除选择性。2.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述第一层包括将所述感光介电层的表面暴露于六甲基二硅氮烷(HMDS)。3.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述第一层包括将所述感光介电层的表面暴露于气体。4.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述第一层包括通过使前体与所述感光介电层的表面反应来修改所述感光介电层的表面。5.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述第一层包括在所述感光介电层的表面上沉积光刻胶。6.根据权利要求1所述的方法，其中，在将所述感光介电层暴露于辐射之前，实施所述第一层的形成。7.根据权利要求1所述的方法，其中，在将所述感光介电层暴露于辐射之后，实施所述第一层的形成。8.根据权利要求1所述的方法，其中，在将所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡毓祥，刘重希，郭宏瑞，廖思豪，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71