表膜组件和其制造方法技术

本发明专利技术提供一种表膜组件和其制造方法，所述方法包含制造包含侧壁的表膜框架，所述侧壁具有多孔材料。在一些实施例中，所述表膜框架经受阳极化过程以形成所述多孔材料。所述多孔材料包含在垂直于所述侧壁的外部表面的方向上从所述侧壁的所述外部表面延伸到内部表面的多个孔隙通道。在各种实施例中，形成表膜薄膜，且所述表膜薄膜附接到所述表膜框架使得所述表膜薄膜由所述表膜框架悬置。本文中所揭示的一些实施例进一步提供包含薄膜和表膜框架的系统，所述表膜框架固定跨越所述表膜框架的所述薄膜。在一些实例中，所述表膜框架的一部分包含多孔材料，其中所述多孔材料包含所述多个孔隙通道。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体领域技术，特别涉及半导体领域中的表膜组件和其制造方法。
技术介绍
在半导体集成电路(IC)工业中，IC材料和设计的技术进步已生产出数代IC，其中每一代具有比先前一代更小且更复杂的电路。在IC演进过程中，功能密度(即，每芯片区域的互连器件的数目)已大体增加，同时几何大小(即，可使用制造过程产生的最小部件(或线路))已减少。此按比例缩小过程通常通过增加生产效率和降低相关联成本来提供效益。此按比例缩小还增加了IC加工和制造的复杂性。光刻过程形成用于各种图案化过程(例如蚀刻或离子注入)的经图案化的抗蚀剂层。可通过此类光刻过程图案化的最小特征大小受到经投射的辐射源的波长限制。光刻机已从使用具有365纳米波长的紫外光转为使用包含248纳米的氟化氪激光(KrF激光)和193纳米的氟化氩激光(ArF激光)的深紫外(DUV)光和使用波长13.5纳米的极紫外(EUV)光，从而在每一步骤处改善分辨率。在光刻过程中，使用光掩模(或掩模)。掩模包含衬底和界定在光刻过程期间待转移到半导体衬底的图样化层。掩模通常与表膜组件包含在一起，统称为掩模系统。表膜组件包含透明的薄膜和表膜框架，其中薄膜安装在表膜框架上方。表膜保护掩模免于落下的粒子的干扰且保持粒子离焦以使得其不产生在使用掩模时可引起缺陷的经图案化图像。薄膜通常经拉伸而安装在表膜框架上方，且通过胶或其它粘着剂附接到表膜框架。内部空间可由掩模、薄膜，和表膜框架形成。在平衡内部与外部压力之间的压力差方面的不足可引起薄膜变形、起皱、破损，或以其它方式受损，进而使得掩模表膜系统不可用。因此，用于制造掩模表膜系统的现有技术并未证明在所有方面令人满意。
技术实现思路
根据本专利技术的一实施例，一用于半导体光刻过程的系统，其包括：薄膜；以及表膜框架，其固定跨越该表膜框架的该薄膜，其中该表膜框架的第一部分包含多孔材料；其中该多孔材料包含在垂直于该表膜框架的外部表面的方向上从该表膜框架的该外部表面延伸到内部表面的多个孔隙通道。在本专利技术的一实施例中，该表膜框架的该第一部分包含表膜侧壁，且其中不同于该第一部分的该表膜框架的第二部分包含该多孔材料。该多个孔隙通道形成有序布置，且其中该多个孔隙通道中的每一者从该表膜框架的该外部表面上的第一开口延伸到该表膜框架的该内部表面上的第二开口。该系统进一步包括：包含经图案化表面的掩模，其中该表膜框架安装在该掩模上，且其中该薄膜与该经图案化表面相距一相隔距离悬置；其中内部空间由该薄膜的底部表面、该掩模的顶部表面和该表膜框架的该内部表面界定。该多个孔隙通道经配置以防止粒子进入该内部空间，且其中该多个孔隙通道经配置以在该内部空间与围绕该系统的空间之间提供压力均衡。该多孔材料包含阳极氧化铝AAO。该表膜框架的该外部表面上的该第一开口具有在约10nm到1000nm之间的范围内的直径。该系统充当极紫外EUV光刻系统的部分。根据本专利技术的另一实施例，一用于制造用于光刻过程的表膜组件的方法，其包括：制造包含具有多孔材料的侧壁的表膜框架，其中该多孔材料包含在垂直于该侧壁的外部表面的方向上从该侧壁的该外部表面延伸到内部表面的多个孔隙通道；以及使用低透射率材料形成表膜薄膜；以及将该表膜薄膜附接到该表膜框架使得该表膜薄膜由该表膜框架悬置。根据本专利技术的又一实施例，一用于光刻过程的方法，其包括：提供表膜装置，其中该表膜装置包含薄膜和固定跨越表膜框架的该薄膜的该表膜框架，且其中该表膜框架包含具有多个孔隙通道的多孔材料，该多个孔隙通道在垂直于该表膜框架的外部表面的方向上从该表膜框架的该外部表面延伸到内部表面；将该表膜装置安装到掩模上，其中该掩模包含经图案化表面；将具有安装在其上的该表膜装置的该掩模装载到光刻系统中且将半导体晶片装载到该光刻系统的衬底平台上；以及执行光刻曝光过程以将该经图案化表面的图案从该掩模转移到该半导体晶片。附图说明当结合附图阅读时，从以下实施方式最好地理解本专利技术的各方面。应注意，根据业界中的标准惯例，各种特征未按比例绘制。事实上，为了论述清楚起见，可任意增大或
减小各种特征的尺寸。图1为根据一些实施例的光刻系统的示意图。图2为根据一些实施例的掩模的截面。图3A、3B和3C分别为根据一些实施例的掩模表膜系统沿着线A-A'的俯视图、透视图，和截面图。图4A和4B为根据一些实施例的表膜框架的部分截面图。图5为根据一些实施例构建的方法的流程图。图6为根据一些实施例构建的系统的示意图。图7为根据一些实施例构建的方法的流程图。具体实施方式以下揭示内容提供用于实施本专利技术的不同特征的许多不同实施例或实例。下文描述部件以及布置的具体实例以简化本专利技术。当然，这些部件以及布置仅为实例且并不意欲为限制性的。举例来说，在以下描述中，第一特征在第二特征上方或上的形成可包含第一特征和第二特征直接接触地形成的实施例，且还可包含其它特征可在第一特征与第二特征之间形成使得第一特征和第二特征可不直接接触的实施例。另外，本专利技术可在各种实例中重复参考标号和/或字母。此重复是出于简化和清楚的目的且本身并不指示所论述的各种实施例和/或配置之间的关系。此外，为易于描述，可使用与空间相关的术语，例如“在...下方”、“在之下”、“下部”、“在之上”、“上部”及其类似者，以描述如图中所说明的一个元件或特征相对于另一元件或特征的关系。除图中所描绘的定向以外，与空间相关的术语意欲包涵在使用中的器件或操作的不同定向。装置可以其它方式定向(旋转90度或处于其它定向)，且本文中所使用的与空间相关的描述词同样可相应地进行解释。图1中说明根据一些实施例的光刻系统100的示意图。光刻系统100一般也可称作可操作以执行光刻过程的扫描器，所述光刻过程包含使用对应的辐射源且以特定曝光模式的曝光。在本专利技术的至少一些实施例中，光刻系统100包含经设计以通过EUV光曝光抗蚀剂层的极紫外线(EUV)光刻系统。因为，在各种实施例中，抗蚀剂层包含对EUV光敏感的材料(例如，EUV抗蚀剂)。图1的光刻系统100包含多个子系统，例如辐射源102、照明器104、经配置以容纳掩模108的掩模平台106、投影光学器件110，和经配置以容纳半导体衬底116的衬底平台118。可如下给出光刻系统100的操作的大体描述：将来自辐射源102的EUV光引导朝向照明器104(其包含一组反射镜)且投射到反射掩模
108上。经反射的掩模图像经引导朝向投影光学器件110，投影光学器件110聚焦EUV光且将EUV光投射到半导体衬底116上以曝光沉积在其上的EUV抗蚀剂层。另外，在不同实例中，光刻系统100的每一子系统可收纳在(例如)高真空环境中，且因此可在高真空环境内操作以减少对EUV光的大气吸收。在本文中所描述的实施例中，辐射源102可用于产生EUV光。在一些实施例中，辐射源102包含等离子体源，例如放电等离子体(DPP)或激光产生等离子体(LPP)。在一些实例中，EUV光可包含波长范围为约1nm至约100nm的光。在一个特定实例中，辐射源102产生波长集中在约13.5nm的EUV光。因此，辐射源102也可称作EUV辐射源102。在一些实施例中，辐射源102还包含集光器，所述集光器可用于收集从等离子体源产生的EUV光且可用于将EUV光引导朝向例本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于半导体光刻过程的系统，其包括：薄膜；以及表膜框架，其固定跨越所述表膜框架的所述薄膜，其中所述表膜框架的第一部分包含多孔材料；其中所述多孔材料包含在垂直于所述表膜框架的外部表面的方向上从所述表膜框架的所述外部表面延伸到内部表面的多个孔隙通道。

【技术特征摘要】
2015.05.29 US 14/726,3171.一种用于半导体光刻过程的系统，其包括：薄膜；以及表膜框架，其固定跨越所述表膜框架的所述薄膜，其中所述表膜框架的第一部分包含多孔材料；其中所述多孔材料包含在垂直于所述表膜框架的外部表面的方向上从所述表膜框架的所述外部表面延伸到内部表面的多个孔隙通道。2.根据权利要求1所述的系统，其中所述表膜框架的所述第一部分包含表膜侧壁，且其中不同于所述第一部分的所述表膜框架的第二部分包含所述多孔材料。3.根据权利要求1所述的系统，其中所述多个孔隙通道形成有序布置，且其中所述多个孔隙通道中的每一者从所述表膜框架的所述外部表面上的第一开口延伸到所述表膜框架的所述内部表面上的第二开口。4.根据权利要求1所述的系统，其进一步包括：包含经图案化表面的掩模，其中所述表膜框架安装在所述掩模上，且其中所述薄膜与所述经图案化表面相距一相隔距离悬置；其中内部空间由所述薄膜的底部表面、所述掩模的顶部表面和所述表膜框架的所述内部表面界定。5.根据权利要求1所述的系统，其中所述多个孔隙通道经配置以防止粒子进入所述内部空间，且其中所述多个孔隙通道经配置以在所述内部空间与围绕所述系统的空间之间提供压力均衡。6...

【专利技术属性】
技术研发人员：许倍诚，林志诚，李信昌，连大成，严涛南，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71