本发明涉及具有延伸的上电极的磁阻式随机存取存储器(MRAM)单元和形成方法。在一些实施例中，MRAM单元具有布置在导电下电极上方的磁隧道结(MTJ)。导电上电极布置在磁隧道结上方。导电上电极具有下部和上部。下部位于磁隧道结上面并且由包封...

本发明的实施例提供了用于制造半导体器件的方法，包括形成包括阱层、阱层上方设置的氧化物层和氧化物层上方设置的沟道层的鳍结构。形成隔离绝缘层，从而使得鳍结构的沟道层从隔离绝缘层突出，并且氧化物层的一部分或全部嵌入隔离绝缘层中。在鳍结构上方形...

本发明公开了3D堆叠式芯片封装件，包括第一管芯、第二管芯和沿着第一管芯或第二管芯的侧壁延伸的绝缘膜。第一管芯包括设置在第一半导体衬底上的第一再分布层(RDL)和第一RDL中的导电元件。第二管芯包括设置在第二半导体衬底上的第二RDL，其中...

本发明描述了两端口SRAM单元。在一个实施例中，一个单元包括第一、第二和读端口下拉晶体管、第一和第二上拉晶体管、第一、第二和读端口传输门晶体管。每个晶体管都包括位于有源区域中的第一源极/漏极区域、在有源区域之上延伸的沟道以及位于沟道之上...

本发明提供一种半导体器件，包括载体、衬底、感光器件和接合层。衬底位于载体上面，并且具有第一表面和与第一表面相对的第二表面。衬底包括第二表面中的倒金字塔形的凹槽。感光器件设置在衬底的第一表面上。接合层设置在衬底与载体之间。本发明还提供了用...

根据一些实施例提供了一种光刻方法。光刻方法包括在衬底上形成聚合材料的下层；在下层上形成含硅中间层，其中含硅中间层具有重量百分比小于20％的硅浓度并且是可湿剥离的；在含硅中间层上形成图案化的光敏层；实施第一蚀刻工艺以将图案化的光敏层的图案...

本发明提供了晶体管以及用于形成晶体管的方法。该方法包括：在晶体管沟道区域中执行至少一个注入操作，然后在引入进一步的掺杂杂质之前在注入区域上方形成碳化硅/硅复合膜。具有小倾斜角度的晕环注入操作用于在晶体管沟道的边缘处形成高掺杂浓度的区域以...

本发明公开一种半导体装置及其形成方法。其半导体装置包含基板，基板上包含第一源极/漏极构件及第二源极/漏极构件，半导体装置进一步包含第一纳米线于第一源极/漏极构件上及第二纳米线于第二第一源极/漏极构件上，其第一纳米线从第一源极/漏极构件的...

本发明提供了一种多端口存储单元，包括：位于第一金属层中的第一导线、位于第二金属层中的第二导线、位于第三金属层中的第三导线和位于第四金属层中的第四导线。第一导线包括：写位线，与写位线节点电耦合；第一读位线，与第一读位线节点电耦合；以及第二...

本发明提供一种具有双侧壁间隔件结构的磁阻式随机存取存储器(MRAM)单元。MRAM单元包括反铁磁层；固定层，布置在所述反铁磁层上方并且具有固定的磁极性；自由层，布置在所述固定层上方并且具有可变的磁极性；第一侧壁间隔件层，从所述固定层上方...

示例性半导体器件包括从半导体衬底向上延伸的鳍。该鳍包括具有APT掺杂剂的抗穿通(APT)层和位于APT层上方的沟道区。沟道区基本无APT掺杂剂。半导体器件还包括位于沟道区的侧壁和顶面上的导电栅极堆叠件。本发明涉及具有抗穿通层的高迁移率器...

本发明涉及自对准的分裂栅极存储单元以及相关的方法。自对准的分裂栅极存储单元具有长方体形的存储栅极以及选择栅极，其中，存储栅极以及选择栅极的上表面被一些间隔件覆盖。因此，存储栅极和选择栅极被保护以免受到硅化物的影响。通过所述间隔件限定自对...

本发明讨论了多个封装件及封装件的形成方法。根据实施例，封装件包括被密封剂至少横向密封的处理器管芯、被密封剂至少横向密封的存储器管芯和密封剂上的再分布结构。处理器管芯通过再分布结构与存储器管芯通信连接。根据又一个实施例，存储器管芯可包括作...

本发明实施例提供了一种集成电路结构及其形成方法。管芯放置在衬底上并且包裹在模塑料中。重分布层形成在管芯上方并且去除衬底。在重分布层的与管芯相对的侧部上，一个或多个表面安装器件和/或封装件连接至重分布层。重分布层连接至印刷电路板。

本发明提供了半导体器件结构的结构和形成方法。该半导体器件结构包括位于半导体衬底上方的栅极堆叠件。该半导体器件结构也包括位于半导体衬底上方的源极/漏极结构，并且源极/漏极结构包括掺杂剂。该半导体器件结构还包括位于栅极堆叠件下方的沟道区。此...

本发明提供了一种鳍式场效应器件结构及其形成方法。FinFET器件结构包括衬底，以及衬底包括第一区和第二区。FinFET器件结构包括形成在衬底上的隔离结构和形成在第一区上的第一鳍结构。FinFET器件结构也包括形成在第二区上的第二鳍结构，...

本发明描述了一种双端口SRAM单元。在实施例中，单元包括第一和第二下拉晶体管、第一和第二上拉晶体管以及第一至第四传输门晶体管。每一个晶体管都包括：第一源极/漏极区域，位于有源区域中；沟道，延伸至有源区域之上；以及第二源极/漏极区域，位于...

本发明提供了一种用于在化学机械抛光(CMP)工艺之后清洗半导体晶圆的方法。该方法包括将半导体晶圆提供至清洗模块中。该方法还包括通过使清洗刷组件旋转来清洗半导体晶圆。该方法也包括施加搅拌的清洗液以清洗清洗刷组件。本发明还提供一种在半导体制...

一种半导体器件的布局存储在非暂时性计算机可读介质上。该布局包括在第一方向上延伸的有源区、在第二方向上延伸并且横跨有源区的栅电极以及在第二方向上延伸的伪栅极。伪栅极邻近栅电极。伪栅极是介电伪栅极。本发明的实施例还涉及半导体器件和制造半导体...

本发明提供了电子束(e-束)光刻工艺的方法。该方法包括将衬底装载至电子束(e-束)系统，从而使得限定在衬底上的场的第一子集沿着第一方向排列在衬底上。该方法也包括定位多个电子束柱，多个电子束柱具有沿着第一方向排列的电子束柱的第一子集。将电...