本发明实施例涉及一种单片MEMS(微电子机械系统)平台和相关的形成方法，单片MEMS平台包括温度传感器、压力传感器和气体传感器。在一些实施例中，MEMS平台包括：具有一个或多个晶体管器件和温度传感器的半导体衬底。介电层设置在半导体衬底上...

本发明描述了器件和形成这样的器件的方法，器件具有当为块状时是半金属但是在器件中是半导体的材料。示例性结构包括衬底、第一源极/漏极接触区、沟道结构、栅极电介质、栅电极和第二源极/漏极接触区。衬底具有上表面。沟道结构连接至第一源极/漏极接触...

本发明提供一种形成包括垂直MTJ(磁性隧道结)的磁阻式随机存取存储器(MRAM)器件的方法。该方法包括在底部电极层上方形成磁性隧道结(MTJ)。顶部电极层形成在MTJ的上表面的上方，并且硬掩模形成在顶部电极层的上表面的上方。执行第一蚀刻...

本发明的实施例提供一种用于形成半导体器件结构的方法。方法包括提供衬底并且在衬底上形成底层、中间层和顶层。方法还包括：图案化顶层，以形成图案化的顶层，并且通过包括等离子体工艺的图案化工艺来图案化中间层，以形成图案化的中间层。通过使用包括氢...

本发明描述了各种封装结构以及形成封装结构的方法。根据一个实施例，一种结构包括第一封装件以及通过外部连接件附接至第一封装件的封装部件。第一封装件包括附接至第一焊盘和第二焊盘的器件。该器件是表面贴装器件(SMD)、集成无源器件(IPD)或它...

本发明涉及一种具有RRAM单元的集成电路器件以及相关的形成方法。在一些实施例中，集成电路器件具有被下部ILD层围绕的下部金属互连层和设置在下部金属互连层上方的底部电极。底部电极具有被底部介电层围绕的下部和比下部宽的上部。底部介电层设置在...

本公开提供一种半导体装置的制造方法。此方法包含形成一材料层于一基底之上；形成一第一硬掩膜层于材料层之上；沿着一第一方向，形成一第一沟槽于第一硬掩膜层中。此方法亦包含:沿着第一沟槽的侧壁形成一第一间隔物；通过第一间隔物防护第一沟槽，于第一...

本公开提供一种半导体结构，包括：半导体元件；及钝化层，包括硫化铟形成于半导体元件的表面上，其中半导体元件的表面包括铟基三五族化合物半导体材料。本公开亦提供此半导体结构的制造方法。本公开通过形成一硫化铟钝化层，以提供较佳的铟基半导体表面的...

本发明实施例提供了一种生物感测半导体结构。晶体管包括沟道区和位于沟道区下面的栅极。第一介电层位于晶体管上面。第一开口延伸穿过第一介电层以暴露沟道区。生物感测层作为第一开口的衬垫并且覆盖沟道区的上表面。第二介电层作为第一开口的衬垫并且位于...

一种用于形成半导体器件的方法包括：形成从半导体衬底向上延伸的鳍和在鳍的部分的侧壁上形成牺牲层。该方法还包括在牺牲层上方形成间隔件层和经过牺牲层的底面使鳍的部分凹进。凹进形成设置在间隔件层的侧壁部分之间的沟槽。去除牺牲层的至少部分以及在沟...

本发明涉及具有应力吸收盖衬底的晶圆级芯片尺寸封装件(WLCSP)。盖衬底通过布置在盖衬底的上表面上的接合环和接合焊盘接合至管芯。衬底通孔(TSV)从接合焊盘延伸穿过盖衬底至盖衬底的下表面。此外，上表面中的凹槽在接合焊盘周围延伸和沿着接合...

本发明提供一种具有鲁棒性的静电放电(ESD)保护器件。在一个实例中，ESD保护器件被配置为包括三个节点。当与差分信号器件一起使用时，第一节点和第二节点可以分别连接至差分信号器件的BP和BM信号线，并且第三节点可以连接至电源电压。这允许单...

本发明公开了熔丝结构，依据一实施例，该熔丝结构包括阳极、阴极、熔断体设置于阳极与阴极之间，以及多个阴极连接器耦接至阴极，每个阴极连接器等于或大于耦接至有源元件的接触窗的最小特征尺寸的约两倍。本发明的熔丝结构更坚固耐用，能够降低在公知的单...

一种三维集成电路(3DIC)包括第一衬底和嵌入在第一衬底中的散热结构。该3DIC还包括电连接至第一衬底的管芯，其中，管芯热连接至散热结构。该3DIC还包括位于管芯上的多个存储单元，其中，管芯介于多个存储单元和第一衬底之间，并且多个存储单...

高压半导体器件包括：设置在衬底中的具有第一导电类型的源极和具有第一导电类型的漏极；第一介电组件，设置在源极和漏极之间的衬底的表面上；漂移区，设置在衬底中，其中，漂移区具有第一导电类型；第一掺杂区，具有第二导电类型并且设置在介电组件下方的...

提供了在半导体制造中清洗晶圆的方法。该方法包括使用晶圆洗涤器清洗晶圆。该方法还包括将晶圆洗涤器移入搅动的清洗液内。该方法也包括在搅动的清洗液中，在晶圆洗涤器和清洗工作台之间产生接触。此外，该方法包括在通过搅动的清洗液清洗晶圆洗涤器之后，...

一种电容器结构包括深沟槽、接触插塞、间隔件和金属-绝缘体-金属膜。深沟槽延伸至冠状氧化物衬底内，并且接触插塞完全地设置在冠状氧化物衬底下方。间隔件内衬于深沟槽，并且金属-绝缘体-金属膜设置在深沟槽中。本发明的实施例还涉及电容器结构的制造...

磁芯包括具有基本均匀厚度的中心部分和连接至中心部分并且围绕中心部分的边缘部分。边缘部分包括底部和设置在底部上的顶部，其中，底部具有平缓的侧表面，而顶部具有陡的侧表面。磁芯的轮廓可以更像矩形，从而提供更好的电感器性能。本发明的实施例还涉及...

一种用于制造浅沟槽隔离的方法包括：在衬底中形成沟槽；形成填充沟槽的间隙的底部浅沟槽隔离电介质；以及在底部浅沟槽隔离电介质上形成顶部浅沟槽隔离电介质。底部浅沟槽隔离电介质具有凹形中心部分，并且通过使用低沉积与溅射比率的高密度等离子体化学汽...

本发明提供了一种改进的抗蚀剂材料和一种图案化工件(诸如集成电路工件)的方法，该方法提高了对环境污染物的抵抗力。在一个示例性实施例中，该方法包括接收工件和对该工件施加含有保护剂的抗蚀剂材料，所述保护剂分布在整个抗蚀剂材料中。对工件执行热工...